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热词
    • 4. 发明申请
    • OLED 표시 장치
    • OLED显示设备
    • WO2016003243A1
    • 2016-01-07
    • PCT/KR2015/006896
    • 2015-07-03
    • 엘지디스플레이 주식회사
    • 윤상훈강창헌이정민
    • G09G3/32
    • G09G3/3291G09G3/3233G09G2300/0819G09G2300/0852G09G2300/0861G09G2310/0256G09G2320/0214G09G2320/0223
    • 본 발명은 OLED 표시 장치에 관한 것으로, N 번째 행 단위 화소로 유입되는 누설 전류에 의한 N 번째 행 단위 화소의 휘도 저하를 저지하고자, N 번째 행 단위 화소와 상기 N 번째 행 단위 화소의 인접 화소 라인들 사이의 전압차를 최소화하도록 N 번째 행 단위 화소의 전압과 인접한 화소 라인들의 애노드의 전압을 제어하는 회로를 포함한다. 회로는 N 번째 행 단위 화소가 OLED 디스플레이 장치의 구동 타이밍 중에 샘플링 기간 또는 프로그래밍 기간에 있을 때, N 번째 행 단위 화소의 인접한 화소 라인들의 애노드의 전압이 N 번째 행 단위 화소의 애노드의 전압과 같거나 그보다 낮도록 구성된다. 이로써, 고전위의 애노드를 가지는 화소에서 저전위의 애노드를 가지는 화소 사이에 발생하는 애노드 간 전압차로 인하여, 공통의 단일층을 통해 저 전위의 애노드를 가지는 화소 쪽으로 의도되지 않은 누설 전류가 흐르는 현상을 최소화할 수 있다.
    • 本发明涉及一种OLED显示装置,其包括用于控制与第N行单位像素相邻的第N行单位像素的电压和像素线的阳极电压的电路,以使第N行单位像素之间的电压差最小化 行单位像素和与第N行单位像素相邻的像素线,以防止由于引入第N行单位像素的漏电流引起的第N行单位像素的亮度劣化。 该电路被构造为使得当第N行单位像素处于采样周期时,与第N行单位像素相邻的像素线的阳极的电压等于或低于第N行单位像素的阳极的电压,或 在OLED显示装置的驱动定时之间的编程周期。 因此,本发明可以使由于在具有低电位的像素之间发生的阳极之间的电压差而导致非预期的漏电流从具有高电位阳极的像素流向具有低电位阳极的像素通过公共单层流动的现象最小化 潜在阳极。
    • 5. 发明申请
    • 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법
    • 使用石墨薄膜和纳米颗粒的光电转换器及其制造方法
    • WO2011025216A2
    • 2011-03-03
    • PCT/KR2010/005631
    • 2010-08-24
    • 한양대학교 산학협력단김태환정재훈손동익이정민양희연박원일
    • 김태환정재훈손동익이정민양희연박원일
    • H01L31/0248B82B1/00
    • H01L31/035209H01L31/112H01L51/428
    • 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 광검출기는, 기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 제작한 시트 형상의 그래핀 박막; 및 상기 그래핀 박막 위에 형성되며 상기 그래핀 박막의 전극 영역을 정의하도록 패터닝되어 있고 매트릭스 물질 없이 나노 입자로 이루어진 나노 입자층을 포함한다. 이러한 광검출기는 그래핀 박막을 채널 및 전극으로 사용하고 나노 입자를 광기전력 물질(자외선에 의한 광기전력으로 전자-정공쌍을 형성)로 사용하는 수평형 구조이며 매우 간단한 구조이므로 저비용으로 제조할 수 있어 생산성이 높을 뿐만 아니라, 그래핀 박막을 포함함에 따라 저전력화할 수 있다.
    • 提供了使用石墨烯薄膜和纳米颗粒的光电检测器及其制造方法。 本发明的光电检测器包括:通过使用蒸气碳源沉积石墨烯而生产的片状石墨烯薄膜; 以及形成在所述石墨烯薄膜上并且被图案化以限定所述石墨烯薄膜的电极区域并且由不含基质材料的纳米颗粒组成的纳米颗粒层。 上述光检测器具有其中使用石墨烯薄膜作为通道和作为电极的平面结构,并且使用纳米颗粒作为光伏材料(通过由紫外线产生的光电子势力形成电子 - 空穴对 射线)。 本发明的光检测器具有非常简单的结构,可以低成本地制造,从而提高生产率。 此外,本发明的光检测器包括所述石墨烯薄膜,因此可以以低功耗工作。