专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020080065971A 모노실란의 제조 방법 无效
标题翻译：生产单体的方法
公开(公告)号：KR1020080065971A
公开(公告)日：2008-07-15
申请号：KR1020087007312
申请日：2006-06-19
申请人： 에보니크 데구사 게엠베하
发明人： 손넨샤인,레이문트 , 아들러,페터 , 카사트킨,유리 , 페트릭,아돌프 , 슈바르츠만,레오니드
IPC分类号： C01B33/04 , B01J8/02
CPC分类号： C01B33/043 , B01D3/009 , B01J8/0085 , B01J8/009 , B01J8/025 , B01J8/0285 , B01J8/0426 , B01J8/0438 , B01J8/0453 , B01J8/048 , B01J8/0484 , B01J8/0492 , B01J8/0496 , B01J8/065 , B01J8/067 , B01J19/30 , B01J19/32 , B01J2208/00176 , B01J2208/00212 , B01J2208/00221 , B01J2208/00247 , B01J2208/00274 , B01J2208/00283 , B01J2208/0053 , B01J2208/00884 , B01J2208/021 , B01J2219/30475 , B01J2219/32466 , B01J2219/3325 , C01B33/10773 , Y02P20/127 , Y10S203/06
摘要： The present invention relates to a plant and a process for the continuous production of monosilane and tetrachlorosilane by catalytic dismutation of trichlorosilane at an operating temperature and a pressure of from 1 to 50 bar abs. in a plant according to claim 1, in which-trichlorosilane (A) is preheated in a heat exchanger (7), and fed to the 10 countercurrent reactor (1) which is provided with catalyst (3),-product mixture formed in the countercurrent reactor (1) is at least partly condensed by means of the condenser (5) at a temperature in the range from-25 to 50°C with the condensate flowing back into the countercurrent reactor (1),-the product phase which is not condensed in the condenser (5) is passed to the 15 condensation unit (8) which is operated at a temperature in the range from-40 to-110°C,-the volatile product phase from the condensation unit (8) is fed to the distillation column (9) which is operated at a temperature in the range from-60 to-170°C and monosilane (C) is discharged at the top of the distillation column (9), 20-the SiCl4-containing bottoms from the countercurrent reactor (1) are brought to a temperature in the range from 60 to 110°C in the vaporizer unit (6) and-bottom product from the vaporizer (6) is conveyed via a heat exchanger (7) into the double wall (2) of the countercurrent reactor (1) and the SiCl4-containing product stream (B) is discharged at a level in the upper region of the reactor (1).
摘要翻译：本发明涉及一种在操作温度和1至50巴绝对压力下通过三氯硅烷的催化分解连续生产甲硅烷和四氯硅烷的设备和方法。在根据权利要求1的设备中，其中在热交换器（7）中预热三氯硅烷（A），并且被供给到设有催化剂（3）的10逆流反应器（1）中， - 在逆流反应器（1）通过冷凝器（5）至少部分地在-25至50℃的温度范围内冷凝，冷凝物流回到逆流反应器（1）中，产物相是在冷凝器（5）中没有冷凝的冷凝单元（8）通过在-40至110℃的温度范围内运行的冷凝单元（8）， - 来自冷凝单元（8）的挥发性产物相进料向在蒸馏塔（9）的顶部排出甲硅烷（C）的温度为-60至-70℃的蒸馏塔（9），20-含有SiCl 4的塔底物逆流反应器（1）在蒸发器单元（6）中达到60至110℃的温度，底部产物蒸发器（6）经由热交换器（7）输送到逆流反应器（1）的双壁（2）中，并且含SiCl4的产物流（B）以反应器（1）。

2. 发明授权

KR101325796B1 실란 제조 장치 및 제조 방법 失效
标题翻译：硅烷制备装置及方法
公开(公告)号：KR101325796B1
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：KR1020077006137
申请日：2005-07-21
申请人： 에보니크 데구사 게엠베하
发明人： 손넨샤인,레이문트 , 아들러,페터 , 푑켄,팀 , 카스니츠,욘
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/04 , B01D3/00 , B01J8/02
CPC分类号： C01B33/107 , B01D3/009 , B01J8/025 , C01B33/1071 , C01B33/10773 , Y02P20/127 , Y10S203/06
摘要： 본 발명은 탑저 (1.1) 및 탑정 (1.2)를 갖는 하나 이상의 증류탑(1), 촉매 층 (3)을 갖는 하나 이상의 측반응기 (2), 하나 이상의 공급구 (1.3), 생성물 배출부 (1.4) 및 하나 이상의 추가적인 생성물 배출부 (1.5 또는 1.8)에 기초하며, 여기서 증류탑 (1)은 하나 이상의 침니 트레이(chimney tray) (4)를 구비하고, 하나 이상의 측반응기 (2)는, 침니 트레이 (4, 4.1)로부터 응축물을 배출하기 위한 증류탑 (1)으로의 라인 (5)의 연결점이 촉매 층 (3, 3.1 또는 3.2)의 상부 가장자리보다 더 높은 위치에 존재하고, 측반응기 (2)로부터 액체 상을 배출하기 위한 라인 (6)은 침니 트레이 (4) 아래에서 증류탑 (1) 내로 개방되고 (6.1), 이 개구 (6, 6.1)은 촉매 층 (3, 3.1 또는 3.2)의 상부 가장자리보다 더 낮은 위치에 존재하며, 연결된 측반응기 (2)로부터 기체 상을 배출하기 위한 라인 (7)은 침니 트레이 (4)의 위치 (4.1)보다 높게 증류탑 (1) 내로 개방되는 (7.1) 방식으로 3개 이상의 파이프 (5, 6 및 7)을 통해 증류탑 (1)에 연결되어 있는, 촉매의 존재 하에 하나 이상의 비교적 고도로 염소화된 실란의 불균화에 의해 화학식 H
n SiCl
4-n (식 중, n이 1, 2, 3 및/또는 4임)의 실란을 제조하기 위한 장치에 관한 것이다. 나아가, 본 발명은 본 발명의 장치에서 상기 실란을 제조하는 방법을 제공한다.
실란 제조 방법, 장치, 염소화된 실란, 불균화

3. 发明公开

KR1020070053269A 실란 제조 장치 및 제조 방법 失效
标题翻译：制备硅烷的装置和方法
公开(公告)号：KR1020070053269A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020077006137
申请日：2005-07-21
申请人： 에보니크 데구사 게엠베하
发明人： 손넨샤인,레이문트 , 아들러,페터 , 푑켄,팀 , 카스니츠,욘
IPC分类号： C01B33/107 , C01B33/04 , B01D3/00 , B01J8/02
CPC分类号： C01B33/107 , B01D3/009 , B01J8/025 , C01B33/1071 , C01B33/10773 , Y02P20/127 , Y10S203/06
摘要： 본 발명은 탑저 (1.1) 및 탑정 (1.2)를 갖는 하나 이상의 증류탑(1), 촉매 층 (3)을 갖는 하나 이상의 측반응기 (2), 하나 이상의 공급구 (1.3), 생성물 배출부 (1.4) 및 하나 이상의 추가적인 생성물 배출부 (1.5 또는 1.8)에 기초하며, 여기서 증류탑 (1)은 하나 이상의 침니 트레이(chimney tray) (4)를 구비하고, 하나 이상의 측반응기 (2)는, 침니 트레이 (4, 4.1)로부터 응축물을 배출하기 위한 증류탑 (1)과의 라인 (5)의 연결점이 촉매 층 (3, 3.1 또는 3.2)의 상부 가장자리보다 더 높은 위치에 존재하고, 측반응기 (2)로부터 액체 상을 배출하기 위한 라인 (6)은 침니 트레이 (4) 아래에서 증류탑 (1) 내로 개방되고 (6.1), 이 개구 (6, 6.1)은 촉매 층 (3, 3.1 또는 3.2)의 상부 가장자리보다 더 낮은 위치에 존재하며, 연결된 측반응기 (2)로부터 기체 상을 배출하기 위한 라인 (7)은 침니 트� �이 (4)의 위치 (4.1)보다 높게 증류탑 (1) 내로 개방되는 (7.1) 방식으로 3개 이상의 파이프 (5, 6 및 7)을 통해 증류탑에 연결되어 있는, 촉매의 존재 하에 하나 이상의 비교적 고도로 염소화된 실란의 불균화에 의해 화학식 H
n SiCl
4
-n (식 중, n이 1, 2, 3 및/또는 4임)의 실란을 제조하기 위한 장치에 관한 것이다. 나아가, 본 발명은 본 발명의 장치에서 상기 실란을 제조하는 방법을 제공한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式