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1. 发明申请

WO2013019084A9 전기화학장치용 집전체의 제조 장치 및 이에 의해 제조된 전기화학장치용 집전체 그리고, 전기화학장치용 집전체의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 전지화학장치용 집전체 审中-公开
公开(公告)号：WO2013019084A9
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2012/006176
申请日：2012-08-02
申请人： 솔브레인 주식회사 , 박종훈 , 박선병
发明人： 박종훈 , 박선병
IPC分类号： H01M4/70 , H01M10/04
摘要： 본 발명은 전기화학장치용 집전체의 제조 장치에 관한 것으로, 가공할 금속 포일을 일측에서 연속적으로 풀고 타측에서 가공된 금속 포일을 연속적으로 감는 포일 이송기 및 상기 금속 포일 주행 경로상에 위치하고 포토리소그라피(photolithography) 방식으로 상기 금속 포일에 구멍을 가공하는 포일 가공 유닛을 포함한다. 이와 같은 본원 발명은 포일 이송기에 의해 주행하는 금속 포일 상에 전기화학장치용 집전체의 제조 장치가 포토리소그래피 방식으로 금속 포일에 구멍들을 형성하게 되어 금속 포일에 구멍을 정밀하게 형성할 수 있다.

2. 发明申请

WO2012036403A1 신호 효율이 최대화된 전송선 변압기 审中-公开
标题翻译：传输线变压器的信号效率最大化
公开(公告)号：WO2012036403A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/KR2011/006593
申请日：2011-09-07
申请人： 숭실대학교산학협력단 , 박종훈 , 박창근
发明人： 박종훈 , 박창근
IPC分类号： H01F19/06 , H01P5/02
CPC分类号： H01P5/12 , H01F17/0006 , H01F19/00 , H01P5/04 , H01P5/10
摘要： 신호 효율이 최대화된 전송선 변압기가 개시된다. 본 발명에 따른 전송선 변압기는 집적회로 상에 형성되며, 제1전송선이 일방향으로 형성된다. 제2전송선과 제3전송선은 길이방향이 상기 제1전송선과 동일하고, 제1전송선의 상방 또는 하방에 측방향으로 이격되어 형성된다. 본 발명에 따르면, 제1전송선 및 제2전송선과 제3전송선 사이의 마주보는 면적이 넓어져 결합 계수를 향상시킬 수 있으며, 두 부분으로 나누어지며 제1전송선에 비해 폭이 좁은 제2전송선과 제3전송선을 사용함으로써 반도체 기판과의 사이에서 발생하는 기생 캐패시턴스 성분을 최소화할 수 있다.
摘要翻译：公开了一种传输线变压器，其中信号效率最大化。根据本发明的传输线变压器形成在集成电路上，并且具有沿一个方向形成的第一传输线。第二传输线和第三传输线与第一传输线处于相同的纵向方向，并且在第一传输线的上方或下方横向形成。本发明能够提高耦合系数，因为第一传输线与第二传输线和第三传输线之间的面对面积被扩大，并且使得能够使发生在空间中的寄生电容分量最小化为通过使用比第一传输线窄的第二传输线和第三传输线，由于分为两部分，半导体衬底。

3. 发明申请

WO2013081259A1 결합형 트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：组合型晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2013081259A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/KR2012/003814
申请日：2012-05-15
申请人： 숭실대학교산학협력단 , 박종훈 , 박창근
发明人： 박종훈 , 박창근
IPC分类号： H01L27/07 , H01L21/8248
CPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/8228 , H01L27/0623 , H01L27/0705
摘要： 본 발명에 따른 결합형 트랜지스터는, 기판 상에, 게이트와, 상기 게이트의 일측에 형성된 제1 소스와, 상기 게이트의 타측에 형성된 제1 드레인을 포함하는 제1 MOSFET와, 상기 게이트와, 상기 제1 소스에 대향하여 상기 게이트의 일측에 형성된 제2 드레인과, 상기 제1 드레인에 대향하여 상기 게이트의 타측에 형성된 제2 소스를 포함하는 제2 MOSFET와, 상기 제1 MOSFET의 상기 제1 소스를 에미터로 사용하고, 상기 제2 MOSFET의 상기 제2 드레인을 컬렉터로 사용하고, 상기 기판을 베이스로 사용하여 형성된 제1 BJT와, 상기 제2 MOSFET의 상기 제2 소스를 에미터로 사용하고, 상기 제1 MOSFET의 상기 제1 드레인을 컬렉터로 사용하고, 상기 기판을 베이스로 사용하여 형성된 제2 BJT를 포함하여 이루어진다. 이와 같이 MOSFET과 BJT를 결합하여 동시에 사용할 수 있으므로, 두 트랜지스터의 장점을 모두 활용할 수 있다.
摘要翻译：根据本发明的组合型晶体管包括：第一MOSFET，其在衬底上具有栅极，形成在栅极的一侧上的第一源极和形成在栅极的另一侧上的第一漏极; 具有栅极的第二MOSFET，形成在面对第一源极的栅极侧的第二漏极和形成在栅极另一侧以面对第一漏极的第二源极; 第一BJT具有第一MOSFET的第一源作为发射极，第二MOSFET的第二漏极作为集电极，基板作为基极; 以及第二BJT，其具有作为发射极的第二MOSFET的第二源极，第一MOSFET的第一漏极作为集电极，基板作为基极。根据本发明，由于将MOSFET和BJT组合以便同时使用，所以可以利用两个晶体管的优点。

4. 发明申请

WO2013047947A1 선형 증폭기 및 다단 선형 증폭기 审中-公开
标题翻译：线性放大器和多级线性放大器
公开(公告)号：WO2013047947A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/KR2011/008409
申请日：2011-11-07
申请人： 숭실대학교산학협력단 , 박종훈 , 이창현 , 박창근
发明人： 박종훈 , 이창현 , 박창근
IPC分类号： H03F1/22 , H03F1/32
CPC分类号： H03G3/00 , H03F1/0266 , H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F2200/18 , H03F2200/451 , H03F2203/21106 , H03F2203/21112 , H03F2203/21142
摘要： 본 발명은 선형 증폭기 및 다단 선형 증폭기에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 선형 증폭기는 게이트가 입력 노드와 연결되는 공통 소스 트랜지스터와, 상기 공통 소스 트랜지스터와 캐스코드 형태로 연결되고, 드레인이 출력 노드와 연결되는 제1 공통 게이트 트랜지스터와, 상기 제1 공통 게이트 트랜지스터와 병렬로 연결되되, 게이트가 상기 입력 노드와 연결되고, 드레인이 상기 출력 노드와 연결되는 제2 공통 게이트 트랜지스터를 포함함으로써, 선형 증폭기의 전체적인 선형성을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：线性放大器和多级线性放大器技术领域本发明涉及线性放大器和多级线性放大器。根据本发明的实施例的线性放大器包括：公共源晶体管，其栅极连接到输入节点; 第一公共栅极晶体管，其以共源共栅形式连接到共源极晶体管，并且其漏极连接到输出节点; 以及第二公共栅极晶体管，并联连接到第一公共栅极晶体管，并且其栅极连接到输入节点，其漏极连接到输出节点，从而提高线性放大器的整体线性度。

5. 发明申请

WO2012081872A3 연료전지의 온도분포 측정장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2012081872A3
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/KR2011/009538
申请日：2011-12-12
申请人： 두산중공업 주식회사 , 최운용 , 박종훈 , 김정환 , 김윤성 , 장인갑 , 이태원 , 문길호
发明人： 최운용 , 박종훈 , 김정환 , 김윤성 , 장인갑 , 이태원 , 문길호
IPC分类号： G01K1/10 , G01K7/06 , G01K7/02 , H01M8/04
摘要： 본 발명은 연료전지의 온도분포 측정장치에 관한 것으로서, 상기온도분포 측정장치는 연료전지의 적어도 일부와 접촉가능하도록 형성되며 적어도 하나의 수용부를 갖는 베이스 부재와, 상기 수용부에 수용되는 열전달 관, 및 상기 열전달 관의 중공부분에 삽입되고 상기 열전달 관을 통해 전달되는 온도를 측정 가능하게 하는 열전대를 포함한다. 이를 통하여, 열전대의 손상 및 전해질에 의한 부식의 우려가 없는 온도분포 측정장치가 구현될 수 있다.

6. 发明申请

WO2011043550A2 실리콘 잉곳 제조장치에 사용되는 냉각 제어 시스템 및 수냉로드 审中-公开
标题翻译：在硅锭制造设备中使用的冷却控制系统和水冷负载
公开(公告)号：WO2011043550A2
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/KR2010/006495
申请日：2010-09-20
申请人： 주식회사 세미머티리얼즈 , 이근택 , 박성은 , 박종훈
发明人： 이근택 , 박성은 , 박종훈
IPC分类号： C30B21/02
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
摘要： 본 발명은 실리콘 잉곳 제조장치에 사용되는 냉각 제어 시스템 및 수냉로드에 관한 것으로, 본 발명의 냉각 제어 시스템은 도가니 탑재부 하부면의 중심으로부터 외측 방향으로 서로 이격되게 설치되는 적어도 2개의 수냉로드군과, 수냉로드군에 물 공급관을 통해 냉각수를 공급하는 냉각수 공급부와, 냉각수 공급부와 수냉로드군 사이에 연결된 물 공급관을 개폐시키는 밸브와, 제1, 제2 열감지부에서 감지된 발열온도에 따라 밸브의 개폐동작을 제어하는 밸브 제어기를 포함한다.
摘要翻译：
本发明涉及一种冷却控制系统和在该硅锭的制造装置中使用的水冷却负载，本发明的冷却控制系统被安装成在从坩埚的中心向外的方向上彼此间隔开安装的下表面冷却水供应单元，用于通过供水管向所述水冷杆组供应冷却水;阀，用于打开和关闭连接在所述冷却水供应单元和所述水冷杆组之间的供水管; 以及阀控制器，用于根据产生的发热温度来控制阀的打开和关闭操作。

7. 发明申请

WO2013062187A1 멀티 게이트 트랜지스터 审中-公开
标题翻译：多栅极晶体管
公开(公告)号：WO2013062187A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/KR2012/002079
申请日：2012-03-22
申请人： 숭실대학교산학협력단 , 박종훈 , 박창근
发明人： 박종훈 , 박창근
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7831 , H01L27/088 , H01L29/0692 , H01L29/1033 , H01L29/4238 , H01L29/7838
摘要： 본 발명은 멀티 게이트 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티 게이트 트랜지스터는 하나의 포트로부터 분기되어 서로 대향하여 교대로 형성되되, 서로 인접하는 게이트 간에는 반대 방향의 전류가 흐르는 복수의 게이트와, 상기 복수의 게이트의 일 측 또는 타 측에 형성되는 소스와, 상기 복수의 게이트의 타 측 또는 일 측에 형성되는 드레인을 포함함으로써, 서로 인접한 게이트 간에 흐르는 전류의 방향이 서로 반대 방향이 되어 상호 인덕턴스를 유도함으로써 기생 인덕턴스 성분을 최소화할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及多栅极晶体管，根据本发明的多栅极晶体管包括：多个栅极，其从单个端口分支并交替地形成为彼此面对，其中电流流动在相邻的门相反方向; 源极，其形成在所述多个栅极的一侧或另一侧上; 以及形成在多个栅极的另一侧或一侧上的漏极，由此通过在邻近的栅极中沿相反方向流动的电流引起互感来最小化寄生电感分量。

8. 发明申请

WO2012134008A1 차동 구조를 이용한 전력 증폭기 审中-公开
标题翻译：功率放大器使用差分结构
公开(公告)号：WO2012134008A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/KR2011/007600
申请日：2011-10-13
申请人： 숭실대학교산학협력단 , 박종훈 , 박창근
发明人： 박종훈 , 박창근
IPC分类号： H03F3/45 , H03F3/20
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F3/21 , H03F3/45183 , H03F2203/45034 , H03F2203/45318 , H03F2203/45352 , H03F2203/45481 , H03F2203/45638
摘要： 본 발명은 차동 구조를 이용한 전력 증폭기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 차동 구조를 이용한 전력 증폭기는, 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 각각 제1단이 연결되며, 크기가 같고 반대 극성의 신호가 입력되는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터와, 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터의 제1단에 각각 제1단이 연결되는 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터, 그리고 제3 트랜지스터 및 제4 트랜지스터의 제2단에 제1단이 연결되며, 제3 트랜지스터 또는 제4 트랜지스터의 발진을 제어하는 제5 트랜지스터를 포함한다. 상기 차동 구조를 이용한 전력 증폭기에 의하면, 도움 트랜지스터를 사용함으로써 전력 증폭단의 필요한 구동 전력을 저감시키거나 큰 출력을 낼 수 있다. 또한 발진을 제어하기 위한 스위치 트랜지스터를 발진의 원인이 되는 도움 트랜지스터와만 연결되도록 구성하여, 작은 크기로도 스위치 트랜지스터를 구현할 수 있고 이로 인해 제작비용을 절감할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用差分结构的功率放大器。使用本发明的差分结构的功率放大器包括：第一晶体管和第二晶体管，每个具有第一端，每个第一端连接到提供具有相同尺寸的第一电压的第一电源，并输入具有相反极性的信号 ; 第三晶体管和第四晶体管，每个具有第一端，它们分别连接到第一晶体管和第二晶体管的第一端; 以及第五晶体管，其第一端连接到第三晶体管和第四晶体管的第二端，并用于控制第三晶体管或第四晶体管的振荡。使用差分结构的功率放大器降低功率放大级所需的驱动功率，或通过使用辅助晶体管来实现更大的输出。此外，用于控制振荡的开关晶体管被配置为仅与引起振荡的辅助晶体管连接，从而实现小尺寸的开关晶体管，从而降低制造成本。

9. 发明申请

WO2012057464A2 정전기 방지용 다이오드 审中-公开
标题翻译：二极管用于静电保护
公开(公告)号：WO2012057464A2
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/KR2011/007598
申请日：2011-10-13
申请人： 숭실대학교산학협력단 , 박준영 , 박종훈 , 박창근
发明人： 박준영 , 박종훈 , 박창근
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0255 , H01L29/861
摘要： 본 발명은 집적회로 상에서 입출력 패드에 형성되는 정전기 방지용 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 제 1 다이오드를 구성하는 N형 반도체는 전원 전압을 위한 패드와 연결되고, 상기 제 1 다이오드를 구성하는 P형 반도체는 신호선과 연결되며, 제 2 다이오드를 구성하는 N형 반도체는 상기 신호선과 연결되며 상기 제 2 다이오드를 구성하는 P형 반도체는 접지를 위한 패드와 연결되며, 상기 제 1 다이오드의 N형 반도체와 상기 제 2 다이오드의 P형 반도체가 서로 접합되어 제 3 다이오드가 형성되는 정전기 방지용 다이오드를 제공한다. 상기 정전기 방지용 다이오드에 따르면, 제 1 다이오드와 제 2 다이오드는 입출력 패드에서 발생하는 정전기가 내부 회로로 흘러 들어가는 것을 방지할 뿐만 아니라, 접지 패드에서 발생한 정전기가 전원 전압을 위한 패드로 빠져나갈 때, 제 3 다이오드가 도통되어 정전기가 내부 회로로 흘러 들어가는 것을 방지할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及形成在集成电路上的输入/输出焊盘中的用于静电保护的二极管。根据本发明，构成第一二极管的N型半导体连接到用于供电的焊盘，构成第一二极管的P型半导体连接到信号线，构成第二二极管的N型半导体是连接到信号线的构造第二二极管的P型半导体连接到接地焊盘，第一二极管的N型半导体和第二二极管的P型半导体连接在一起形成第三二极管。根据用于静电保护的二极管，第一和第二二极管防止输入/输出焊盘中产生的静电流入内部电路，并且当输入/输出焊盘中产生的静电流到电源焊盘时，第三个二极管接地，以防止静电流入内部电路。

10. 发明申请

WO2011037393A2 실리콘 잉곳 제조장치 审中-公开
标题翻译：制造硅胶的装置
公开(公告)号：WO2011037393A2
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/KR2010/006473
申请日：2010-09-20
申请人： 주식회사 세미머티리얼즈 , 이근택 , 박성은 , 박종훈
发明人： 이근택 , 박성은 , 박종훈
IPC分类号： C30B21/02
CPC分类号： C30B28/06 , C30B11/003 , C30B29/06
摘要： 본 발명은 실리콘 잉곳 제조장치에 관한 것으로, 챔버와, 챔버 내에 설치되는 도가니와, 도가니를 발열시키는 발열부와, 도가니가 올려지는 도가니 탑재부와, 도가니 탑재부 아래에 형성되는 적어도 2개 이상의 수냉로드군을 포함하되, 적어도 2개 이상의 수냉로드군은 도가니 탑재부 중심으로부터 외측으로 서로 이격되게 설치되며 서로 다른 물 공급관이 연결되는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造硅锭的设备，包括：腔室; 坩埚安装在室内; 用于加热坩埚的加热单元; 坩埚安装单元，其上放置有坩埚; 以及布置在所述坩埚安装单元下方的至少两个或更多个水冷棒组，其中所述至少两个或更多个水冷棒组彼此围绕所述坩埚安装单元间隔开并连接到相应的供水管。

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