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1. 发明公开

KR1020060061260A 탄성표면파 소자 및 탄성표면파 소자의 제조방법 失效
标题翻译：表面声波元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060061260A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：KR1020050116300
申请日：2005-12-01
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 후루하타마코토 , 고토겐지 , 사토히사카츠
IPC分类号： H03H9/15
CPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02566 , H03H9/02574
摘要： A surface acoustic wave (SAW) (10) element including a semiconductor substrate (50) on which a semiconductor wiring region (20) and a SAW region (30) are formed alongside in a same plane, a metal wiring formed in the semiconductor wiring region (20), an insulating layer including the metal wiring and formed throughout on surfaces of the semiconductor wiring region and the SAW region, a most upper layer (40) of the insulating layer formed so as to have a one flat surface throughout the semiconductor wiring region and the SAW region and a uniform thickness from an upper face of the semiconductor substrate, a piezoelectric layer formed on the most upper layer of the insulating layer and an inter digital transducer (IDT) (40) formed on the piezoelectric layer in the SAW region.

2. 发明公开

KR1020130127928A 전기 광학 장치 및 전자 기기 审中-实审
标题翻译：电光设备和电子设备
公开(公告)号：KR1020130127928A
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020130053171
申请日：2013-05-10
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 고시하라타케시 , 사토히사카츠 , 노무라타케시
IPC分类号： H01L51/52
CPC分类号： H01L27/3248 , H01L27/3272 , H01L33/405 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2251/301 , H01L2251/303 , H01L2251/308 , H01L2251/5315 , H01L51/5012 , H01L51/504 , H01L51/5044 , H01L51/5259 , H01L51/5284
摘要： An electro-optical device includes a reflection layer, a light emitting element including a light emitting layer formed between the positive and negative poles, and an operating transistor controlling a current flowing through the light emitting element. A relay electrode included in a current path from the operating transistor to the positive pole is formed on the same layer as the reflection layer, having a gap with the reflection layer. A contact electrode which electrically connects the positive and negative poles to the relay electrode is formed as a light shielding layer shielding light emitted to the gap. [Reference numerals] (AA) Light emitting area
摘要翻译：电光装置包括反射层，包括形成在正极和负极之间的发光层的发光元件和控制流过发光元件的电流的操作晶体管。包括在从工作晶体管到正极的电流路径中的继电器电极形成在与反射层有间隙的与反射层相同的层上。将正极和负极电连接到中继电极的接触电极形成为屏蔽发射到间隙的光的遮光层。（附图标记）（AA）发光面积

3. 发明公开

KR1020060071354A 탄성 표면파 장치 및 탄성 표면파 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：表面声波装置及制造表面声波装置的方法
公开(公告)号：KR1020060071354A
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020050127002
申请日：2005-12-21
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 후루하타마코토 , 사토히사카츠
IPC分类号： H03H9/145 , H03H3/08
CPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02866 , H03H9/02976
摘要： A surface acoustic wave device including at least an IC region and a surface acoustic wave element region in a semiconductor substrate (30) and formed as a single chip, including, in the IC region, a semiconductor element layer (40) having a semiconductor element (31) and an element insulating film (33) formed to cover the semiconductor element (31) and extending to the surface acoustic wave element region, a wiring layer (41) formed by stacking, on the semiconductor element layer (40), wiring for establishing connection with the semiconductor element and a wiring insulating film (36) extending to the surface acoustic wave element region and for insulating the wiring, and a piezoelectric thin film (38) formed above the wiring insulating film, and in the surface acoustic wave element region, a surface acoustic wave element (24) formed on the piezoelectric thin film and equipped with an IDT electrode (22) provided with a plurality of electrode fingers (21), and at least one layer of layer thickness adjusting films (32,35) having linear shapes and arranged in parallel to and with the same pitch (P) as the electrode fingers (21) of the IDT electrode (22), and formed above one of the semiconductor substrate (30), the element insulating film (33), and the wiring insulating film (36), and below an area in which the surface acoustic wave element is formed.

4. 发明授权

KR100741218B1 탄성표면파 소자 및 탄성표면파 소자의 제조방법 失效
标题翻译：表面声波元件及其制造方法
公开(公告)号：KR100741218B1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：KR1020050116300
申请日：2005-12-01
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 후루하타마코토 , 고토겐지 , 사토히사카츠
IPC分类号： H03H9/15
CPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02566 , H03H9/02574
摘要： 우수한 주파수 특성과 통과 특성을 갖는 탄성표면파 소자 및 이 탄성표면파 소자의 제조방법을 제공한다. 탄성표면파 소자(10)는, 반도체 기판(Si층(50))의 동일 평면상에 반도체 배선영역(20)과 SAW(Surface Acoustic Wave) 영역(30)이 병렬로 형성되어 있는 탄성표면파 소자(10)로서, 웨이퍼(1)에 탄성표면파 소자(10)를 격자 형상으로 배열함과 동시에, 인접하는 탄성표면파 소자(10)에 형성되는 반도체 배선영역(20)을 체크무늬 형상으로 배열하고, 반도체 배선영역(20)과 SAW 영역(30)의 상면에 걸쳐 동일 평면의 절연층(71∼74)을 형성하고, 최상층의 절연층(74)의 표면에 압전체층(90)을 형성하고, SAW 영역(30)의 압전체층(90)의 표면에 IDT(40)를 형성한다.

5. 发明公开

KR1019970063594A 반도체장치 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019970063594A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960034977
申请日：1996-08-21
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 사토히사카츠
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 본 발명의 목적은, 본딩배드등의 외부 접속단자의 접속영역을 고밀도에 배치할 수 있고, 또한 신뢰성이 높은 반도체 장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
하층전극(110)과 상층전극(100)의 사이에 층간절연막(130)의 중앙에 스루홀이 형성되고, 그 스루홀에 층간 접속용의 도전체(120)가 매립되어 있다. 그리고, 본딩와이어(140)의 볼부분이, 평면적으로 보아 매립된 도전체(120)을 완전히 덮도록, 상층전극(100)에 접속되어 있다.
본 구조에 의하면 단차가 생기지 않는다. 따라서, 본딩영역의 확보가 용이하고, 한층더 다층화도 용이하다. 또한, 본딩와이어(140)를 타고 오는 수분의 악영향이, 매립된 금속(120)에는 미치지 못한다.

6. 发明授权

KR102048253B1 전기 광학 장치 및 전자 기기 有权
公开(公告)号：KR102048253B1
公开(公告)日：2019-11-25
申请号：KR1020130053171
申请日：2013-05-10
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 고시하라타케시 , 사토히사카츠 , 노무라타케시
IPC分类号： H01L51/52

7. 发明公开

KR1020060070477A 탄성 표면파 장치의 제조 방법 및 탄성 표면파 장치 无效
标题翻译：制造表面声波装置和表面声波装置的方法
公开(公告)号：KR1020060070477A
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1020050126421
申请日：2005-12-20
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 야지마아리츠구 , 사토히사카츠 , 고지마다카시
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/145
CPC分类号： H03H9/02976 , H03H3/08 , H03H9/02866 , Y10T29/42
摘要： 반도체 기판에 IC 영역과 탄성 표면파 소자 영역을 구비하여 하나의 칩으로 구성한 탄성 표면파 장치에 있어서, 탄성 표면파 소자를 형성하는 부분의 평탄도를 확보하여, 양호한 특성이 얻어지는 탄성 표면파 장치의 제조 방법 및 탄성 표면파 장치를 제공한다.
반도체 기판의 IC 영역에 반도체 소자층(45)을 형성하는 공정과, 배선층(46)을 형성하는 공정과, IC 영역 및 탄성 표면파 소자 영역에 층간 절연막(38)을 형성하는 공정과, 층간 절연막(38)의 표면을 CMP 처리하는 공정과, CMP 처리한 층간 절연막(38)의 위에 압전 박막(39)을 형성하는 공정과, 탄성 표면파 소자 영역에서의 압전 박막(39)의 위에 탄성 표면파 소자(40)를 형성하는 공정을 구비한다.

8. 发明授权

KR100410708B1 반도체장치 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100410708B1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：KR1019960034977
申请日：1996-08-21
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 사토히사카츠
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/05 , H01L2224/48463
摘要： 본 발명의 목적은, 본딩 패드 등의 외부 접속단자의 접속영역을 고밀도로 배치할 수 있고, 또한, 신뢰성이 높은 반도체 장치 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
하층 전극(110)과 상층 전극(100)의 사이에 층간 절연막(130)의 중앙에 스루홀이 형성되고, 그 스루홀에 층간접속용의 도전체(120)가 매립되어 있다. 그리고, 본딩 와이어(140)의 볼부분이, 평면적으로 보아 매립된 도전체(120)를 완전히 덮도록, 상층 전극(100)에 접속되어 있다.
본 구조에 의하면 단차가 생기지 않는다. 따라서, 본딩 영역의 확보가 용이하고, 한층 더 다층화도 용이하다. 또한, 본딩 와이어(140)를 타고 오는 수분의 악영향이, 매립된 금속(120)에는 미치지 못한다.

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