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1. 发明公开

KR1020110024244A 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩 有权
标题翻译：用于培养细胞的形成图案的方法，用于培养细胞的图案化基质，培养细胞的图案方法和图案细胞芯片
公开(公告)号：KR1020110024244A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082152
申请日：2009-09-01
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 정동근 , 최창록 , 김경섭
IPC分类号： C12M3/00 , C12N5/02 , G01N33/48
CPC分类号： C12N5/0068 , B01J2219/00509 , B01J2219/00527 , B01J2219/00605 , B01J2219/00612 , B01J2219/00614 , B01J2219/00619 , B01J2219/00621 , B01J2219/00635 , B01J2219/00637 , B01J2219/00743 , C12N2533/12 , C12N2533/30 , C12N2535/10
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing patterned cell culture substrate is provided to selectively culture cells at a certain region. CONSTITUTION: A method for manufacturing patterned cell culture substrate comprises: a step of preparing the substrate; a step of integrating a first precursor material on the substrate using a plasma to form a first plasma polymer layer; a step of placing a shadow mask having a certain pattern on the first plasma polymer layer; and a step of integrating the second precursor material using the plasma to form a second plasma polymer layer. A method for culturing cells comprises: a step of preparing the patterned cell culture substrate; and a step of culturing the cells on the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种制造图案化细胞培养基质的方法，以选择性培养某一区域的细胞。构成：图案化细胞培养基板的制造方法包括：准备基板的工序; 使用等离子体将第一前体材料集成在基板上以形成第一等离子体聚合物层的步骤; 将具有某种图案的荫罩放置在第一等离子体聚合物层上的步骤; 以及使用等离子体整合第二前体材料以形成第二等离子体聚合物层的步骤。培养细胞的方法包括：制备图案化细胞培养基底的步骤; 以及在基板上培养细胞的步骤。

2. 发明公开

KR1020090114655A 저온 액상 증착 기술을 이용한 실리콘산화물 절연막의제조방법 失效
标题翻译：使用低温液相沉积技术制造SIO2电介质层的方法
公开(公告)号：KR1020090114655A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：KR1020080040404
申请日：2008-04-30
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/208 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02282 , H01L21/02164 , H01L21/76897
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing SiO2 dielectric layers using low temperature liquid phase deposition technology are provided to improve the degree of integration by using the conformal insulating layer. CONSTITUTION: The circuit region(33) is formed in the fixed region on the semiconductor substrate(31). The photoresist is evaporated in the front side of the semiconductor board which has the circuit region. The photoresist pattern which exposes the circuit region by performing the exposure development process on a photoresist is formed. The first insulating layer(37) is formed by the low temperature LPD(Liquid Phase Deposition) on the exposed circuit region. The photoresist pattern is removed. The metal wiring(39) electrically connected to the semiconductor substrate to the circuit region is formed.
摘要翻译：目的：提供使用低温液相沉积技术制造SiO 2电介质层的方法，以通过使用保形绝缘层来提高集成度。构成：电路区域（33）形成在半导体衬底（31）上的固定区域中。在具有电路区域的半导体板的正面中蒸发光致抗蚀剂。形成通过对光致抗蚀剂进行曝光显影处理来曝光电路区域的光致抗蚀剂图案。第一绝缘层（37）由暴露电路区域上的低温LPD（液相沉积）形成。去除光致抗蚀剂图案。形成与半导体基板电连接到电路区域的金属布线（39）。

3. 发明授权

KR101129090B1 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법, 패턴화된 세포 배양용 기판, 세포의 패턴화된 배양 방법, 및 패턴화된 세포칩 有权
标题翻译：用于培养细胞的形成图案的方法，用于培养细胞的图案化基质，培养细胞的图案方法和图案细胞芯片
公开(公告)号：KR101129090B1
公开(公告)日：2012-04-13
申请号：KR1020090082152
申请日：2009-09-01
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 정동근 , 최창록 , 김경섭
IPC分类号： C12M3/00 , C12N5/02 , G01N33/48
CPC分类号： C12N5/0068 , B01J2219/00509 , B01J2219/00527 , B01J2219/00605 , B01J2219/00612 , B01J2219/00614 , B01J2219/00619 , B01J2219/00621 , B01J2219/00635 , B01J2219/00637 , B01J2219/00743 , C12N2533/12 , C12N2533/30 , C12N2535/10
摘要： 본 발명은 (1) 기판을 준비하는 단계; (2) 플라즈마를 이용하여 상기 기판 상에 제1 전구체 물질을 집적시켜 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계; (3) 상기 제1 플라즈마 중합체층 상에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 올려놓는 단계; 및 (4) 플라즈마를 이용하여 제2 전구체 물질을 집적시켜 패턴화된 제2 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 관한 것이다.

4. 发明授权

KR100987331B1 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에의해 제조된 나노구조체 失效
标题翻译：使用液相沉积技术及其纳米结构制造纳米结构的方法
公开(公告)号：KR100987331B1
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：KR1020080040401
申请日：2008-04-30
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 김경섭 , 노용한
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 나노미터 크기의 구형물질을 단층으로 형성하는 단계, 상기 구형물질을 부분적으로 식각하는 단계, 상기 식각된 구형물질을 마스크로 상기 기판 상에 금속층을 증착하는 단계, 상기 구형물질을 제거하여 상기 기판을 부분적으로 노출하는 나노 홀을 형성하는 단계, 상기 나노 홀 상에 저온 LPD(Liquid Phase Deposition)로 선택적으로 나노 점을 형성하는 단계 및 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체를 이용하는 것에 의해, 나노미터 규격의 폴리머 입자를 원래의 크기보다 줄어들도록 식각하고, 액상 증착 기술을 이용하여 나노 점을 선택적으로 균일하게 성장시킬 수 있다.
나노 홀, 나노 점, LPD, 폴리스티렌

5. 发明授权

KR100663892B1 나노 홀 형성방법 및 이 나노 홀 형성방법을 통해 제조된반도체장치 失效
标题翻译：纳米孔形成方法和使用其制造的半导体器件
公开(公告)号：KR100663892B1
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050038897
申请日：2005-05-10
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭
IPC分类号： H01L21/28 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은, 실리콘 등으로 구성될 수 있는 피처리기판 상에 금속층 또는 절연층을 증착하는 공정과, PR층을 증착한 후, 다수의 홀 형상에 따라 패턴을 형성하여, 잔류 PR층과 함께 상기 금속층 또는 절연층이 노출되게 하는 공정, 애싱 공정을 통해 잔류 PR의 폭을 감소시켜, 상기 금속층 또는 절연층의 노출 면적을 증가시키는 공정, 상기 노출된 금속층 또는 절연층 위를 절연성 또는 도전성재료로 증착(또는 충진)하는 공정 및, 상기 잔류 PR을 제거하여 나노 홀을 형성하는 공정을 구비하여 이루어지는 나노 홀 형성방법 및 이 나노 홀 형성방법을 통해 제조된 반도체장치를 제공한다.

6. 发明公开

KR1020110014258A 나노 소자의 형성방법 失效
标题翻译：使用具有自组装特性的纳米结构形成纳米器件的方法
公开(公告)号：KR1020110014258A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：KR1020110008340
申请日：2011-01-27
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭 , 정석원 , 김형진 , 박성하
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/20 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02601 , B82B3/0038 , B82Y40/00
摘要： PURPOSE: A formation method of a nano device is provided to perform an ion implantation process and an etching process in a nano scale while not applying an exposure process. CONSTITUTION: A formation method of a nano device comprises the steps of: forming a nanoscale self-assembly material layer(23) on a substrate(21) which has at least one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface treatment process on the substrate; and removing the self-assembly material layer. The surface treatment process is an etching process or ion injection process.
摘要翻译：目的：提供纳米器件的形成方法，以在不施加曝光工艺的情况下进行纳米级的离子注入工艺和蚀刻工艺。构成：纳米器件的形成方法包括以下步骤：在具有至少一层的衬底（21）上形成纳米级自组装材料层（23）; 在所述自组装材料层上形成掩模层（25）; 在基板上进行表面处理工艺; 并移除自组装材料层。表面处理工艺是蚀刻工艺或离子注入工艺。

7. 发明公开

KR1020100039978A 나노 소자의 형성방법 失效
标题翻译：使用具有自组装特性的纳米结构形成纳米器件的方法
公开(公告)号：KR1020100039978A
公开(公告)日：2010-04-19
申请号：KR1020080098992
申请日：2008-10-09
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭 , 정석원 , 김형진 , 박성하
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/20 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/32139 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , H01L21/0332 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78
摘要： PURPOSE: A nano device forming method is provided to pattern a substrate in a nano scale without using a light source, to improve the degree of integration of the device while reducing the fabrication cost, and to improve the yield of the device production. CONSTITUTION: A nano device forming method comprises the following steps: forming a self-assembly material layer(23) in a nano scale on a substrate(21) formed with more than one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface processing on the substrate using the mask layer as a mask; and removing the self-assembly material layer. The surface processing is either an etching or an ion inserting. The mask layer contains a substance selected from the group consisting of gold, silver, silicon, silicon oxide, silicon nitride, iron, cadmium selenide, carbon nano tube, bucky ball and grapheme.
摘要翻译：目的：提供一种纳米器件形成方法，用于在不使用光源的情况下以纳米尺度对衬底进行图案化，从而提高器件的集成度，同时降低制造成本，并提高器件生产的产量。构成：纳米器件形成方法包括以下步骤：在形成有多于一层的衬底（21）上形成纳米尺度的自组装材料层（23）; 在所述自组装材料层上形成掩模层（25）; 使用掩模层作为掩模在基板上进行表面处理; 并移除自组装材料层。表面处理是蚀刻或离子插入。掩模层包含选自金，银，硅，氧化硅，氮化硅，铁，硒化镉，碳纳米管，巴基球和图形的物质。

8. 发明公开

KR1020090114653A 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에의해 제조된 나노구조체 失效
标题翻译：使用液相沉积技术制造纳米结构的方法及其纳米结构
公开(公告)号：KR1020090114653A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：KR1020080040401
申请日：2008-04-30
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 김경섭 , 노용한
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a nanostructure using liquid phase deposition technology and the nanostructure manufactured by the same are provided to reduce the size of polymer particles and to grow nanostructures selectively. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nanostructure comprises the following steps of: preparing a substrate(31); forming a single layered nano-sized spherical materials on the substrate; partly etching the spherical materials; depositing the etched spherical materials on the substrate to form a metal layer(35); removing the spherical materials to expose the substrate to be partly seen, which is a nano hole; selectively forming a nano dot(37) on the nano hole through liquid phase deposition; and removing the metal layer.
摘要翻译：目的：提供使用液相沉积技术制造纳米结构的方法和由其制造的纳米结构，以减小聚合物颗粒的尺寸并选择性地生长纳米结构。构成：制造纳米结构的方法包括以下步骤：制备基底（31）; 在基板上形成单层纳米尺寸球形材料; 部分蚀刻球形材料; 将蚀刻的球形材料沉积在基底上以形成金属层（35）; 去除球形材料以露出待部分看到的衬底，其是纳米孔; 通过液相沉积在纳米孔上选择性地形成纳米点（37）; 并去除金属层。

9. 发明公开

KR1020060116480A 나노 홀 형성방법 및 이 나노 홀 형성방법을 통해 제조된반도체장치 失效
标题翻译：使用其制造的纳米孔形成方法和半导体器件
公开(公告)号：KR1020060116480A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020050038897
申请日：2005-05-10
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭
IPC分类号： H01L21/28 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/76802 , B82Y40/00 , H01L21/0273 , H01L21/31127
摘要： A nano hole forming method and a semiconductor device manufactured thereby are provided to improve the uniformity of nano holes by using a photoresist ashing process. A metal film(20) is formed on an object substrate(10). A photoresist layer is formed thereon. A plurality of hole structures for exposing the metal film to the outside are formed through the photoresist layer. An ashing process is performed on the remaining photoresist layer in order to increase the exposed area of the metal film. An insulating material is formed on the resultant structure. A plurality of nano holes(43) are formed on the resultant structure by removing the remaining photoresist layer therefrom.
摘要翻译：提供纳米孔形成方法及其制造的半导体器件，以通过使用光致抗蚀剂灰化处理来提高纳米孔的均匀性。金属膜（20）形成在物体基板（10）上。在其上形成光致抗蚀剂层。通过光致抗蚀剂层形成用于将金属膜暴露于外部的多个孔结构。在剩余的光致抗蚀剂层上进行灰化处理以增加金属膜的暴露面积。在所得结构上形成绝缘材料。通过从其中除去剩余的光致抗蚀剂层，在所得结构上形成多个纳米孔（43）。

10. 发明授权

KR101094738B1 나노 소자의 형성방법 失效
标题翻译：使用具有自组装特性的纳米结构形成纳米器件的方法
公开(公告)号：KR101094738B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020110008340
申请日：2011-01-27
申请人： 성균관대학교산학협력단
发明人： 노용한 , 김경섭 , 정석원 , 김형진 , 박성하
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/20 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 나노 소자의 형성방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계, 상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계 및 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 나노 소자의 형성방법에 의해, 광원을 이용하지 않고 나노 스케일로 기판을 패터닝하고, 이온주입 공정 및 식각 공정을 수행하여 나노 소자를 제조할 수 있다.

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