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2. 发明公开

KR1020170071481A 박막 트랜지스터 장치, 디스플레이, 및 이들의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管器件，显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170071481A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020177008128
申请日：2015-08-24
申请人： 선전 로욜 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드
发明人： 웨이펑 , 위시아오쥔 , 위엔저 , 자오지강 , 루오하오쥔 , 리우지홍
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1255 , H01L21/283 , H01L21/441 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L28/60 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78684 , H01L2227/323
摘要： 박막트랜지스터(TFT) 장치(200), 디스플레이, 및박막트랜지스터장치(200)의제조방법이개시된다. TFT 장치(200)는게이트전극(204a) 및접속패드(204b)를포함하는제 1 전도층(204)을포함한다. TFT 장치는게이트전극(204a)을덮는제 1 유전층(206)을추가로포함한다. 접속패드(204)는제 1 유전층(206)으로부터노출된다. TFT 장치(200)는제 1 유전층(206) 상에배치되고게이트전극(204a)과중첩되는반도체층(208)을또한포함한다. TFT 장치(200)는반도체층(208)의제 1 및제 2 부분과접속패드(204b)를노출시키기위하여반도체층(208) 및제 1 유전층(206) 상에배치되는제 2 유전층(210)을추가로포함한다. TFT 장치(200)는반도체층(208)의제 1 부분을덮는소스전극부분(212b), 소스전극부분(212b)으로연장되는화소전극부분(212a), 반도체층(208)의제 2 부분을덮는드레인전극부분(212c), 및접속패드(204b) 상에배치되고드레인전극부분(212c)으로연장되는상호접속부분(212d)을포함하는제 2 전도층(212)을추가로포함한다.
摘要翻译：公开了薄膜晶体管（TFT）器件（200），显示器以及制造该薄膜晶体管器件（200）的方法。 TFT器件200包括包含栅电极204a和连接焊盘204b的第一导电层204。 TFT器件还包括覆盖栅电极204a的第一介电层206。连接垫204从第一电介质层206暴露。 TFT器件200还包括设置在第一介电层206上并与栅电极204a重叠的半导体层208。 TFT器件200还包括设置在第一介电层206上的半导体层208和第二介电层210，以暴露半导体层208和连接焊盘204b的第一和第二部分。它包括。 TFT器件200，覆盖第一议程部分半导体层208（212B），所述像素电极部分的源电极部（212A），该半导体层208议程漏极覆盖延伸到源电极部分的第二部分（212B）电极部分212c和设置在连接焊盘204b上并包括延伸到漏极部分212c的互连部分212d的第二导电层212。

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