会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 1. 发明授权
    • 골 재생용 실크/하이드록시아파타이트 복합 나노섬유 지지체의 제조방법
    • 制造丝/羟基磷灰石复合纳米纤维支撑骨再生的方法
    • KR101053118B1
    • 2011-08-01
    • KR1020090097627
    • 2009-10-14
    • 서울대학교산학협력단대한민국(농촌진흥청장)
    • 박영환기창석이민정김종욱이광길강석우권해용여주홍조유영
    • A61L27/36A61L27/32A61L27/56
    • 본 발명은 골 재생용 실크/하이드록시아파타이트 복합 나노섬유 지지체의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 실크 방사원액을 준비하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 준비된 실크 방사원액을 전기방사하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 방사된 실크 나노섬유를 분산시키는 단계(단계 3); 상기 단계 3에서 분산된 실크 나노섬유를 소정의 용기에 담아 동결 건조하여 3차원적으로 분산된 스펀지 형태의 실크 나노섬유를 제조하는 단계(단계 4); 상기 단계 4에서 제조된 3차원적으로 분산된 스펀지 형태의 실크 나노섬유를 5배 내지 15배 농도의 인체유사 용액(simulated body fluid, SBF)에 침지하여 하이드록시아파타이트로 복합화 코팅하는 단계(단계 5); 및 상기 단계 5에서 하이드록시아파타이트로 복합화 코팅된 실크 나노섬유에 공극을 형성하는 단계(단계 6)를 포함하여 이루어지는 골 재생용 실크/하이드록시아파타이트 복합 나노섬유 지지체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 5배 내지 15배 농도의 인체유사 용액을 사용함으로써 상온과 상압 조건에서 실크 단백질의 손상 없이 짧은 시간에 플라즈마 처리나 표면처리 같은 추가적인 공정을 수행하지 않고 하이드록시아파타이트를 실크 나노섬유 지지체에 효율적으로 코팅할 수 있으며, 하이드록시아파타이트에 비하여 결정화도가 낮아 천연의 뼈와 비슷한 실크/하이드록시아파타이트 복합 나노섬유 지지체를 제조할 수 있다.
    • 本发明涉及生产用于骨再生的丝/羟基磷灰石复合纳米纤维载体的方法,更具体地讲,涉及制备丝纺原液的步骤(步骤1)。 静电纺丝步骤1(步骤2)中制备的丝纺原液; 在步骤2中分散纺出的丝状纳米纤维(步骤3); (步骤4):在步骤3中通过将分散的丝纳米纤维在预定容器中冷冻干燥而制备三维分散的海绵状丝纳米纤维; 所述方法包括复合材料涂层的三维丝纳米纤维分散在羟基磷灰石中浸泡5次,以(模拟体液,SBF)(步骤5的15倍人体类似的解决方案在上述步骤4中制备的海绵状 ); 和制造骨再生丝/羟基磷灰石复合纳米纤维支撑衬底的方法包括步骤(步骤6),以形成空气间隙丝羟基磷灰石纳米纤维复合材料涂层如在步骤5。 根据本发明,丝的羟基磷灰石无无在室温和大气压等离子体处理或通过使用人体类似〜5倍的溶液进行表面处理,以15倍浓度的纳米纤维损坏的丝蛋白执行额外的处理,这样短的时间 可以有效地涂有载体,结晶度相比,羟基磷灰石可以生产丝/羟基磷灰石复合纳米纤维类似于天然骨支撑被减小。
    • 10. 发明公开
    • 희생층을 이용한 나노 스케일의 티형 게이트 제조방법
    • 使用双层SACRIFICE层及其相同的纳米尺度T型门的制造方法
    • KR1020110087476A
    • 2011-08-03
    • KR1020100006914
    • 2010-01-26
    • 서울대학교산학협력단
    • 서광석김종욱
    • H01L21/336
    • PURPOSE: A method for manufacturing nano scale t-type gate using a sacrificial layer is provided to form stable T-type gate with an excellent current gain property and without inclination by reducing the size of the t-gate which is formed by the post-processing. CONSTITUTION: Sacrificial layers(290,200) are formed on a substrate(200) in which a source and a drain are formed. A photosensitive layer is formed on the upper part of the sacrificial layer. An electronic beam is irradiated on the photosensitive layer and an area, in which a gate is formed, is patterned and the sacrificial layer is exposed. A pattern is formed a wall in which the sacrificial layer is etched and slope is formed. An electrode material is evaporated in the entire of the substrate. The photosensitive layer is eliminated.
    • 目的:提供一种使用牺牲层制造纳米级t型栅极的方法,以形成具有优异电流增益特性的稳定T型栅极,并且通过减小由后置栅极形成的t栅极的尺寸而无倾斜, 处理。 构成:牺牲层(290,200)形成在其中形成源极和漏极的衬底(200)上。 感光层形成在牺牲层的上部。 将电子束照射在感光层上,并且对其中形成栅极的区域进行图案化并且牺牲层被暴露。 形成图案,其中牺牲层被蚀刻并形成斜面。 电极材料在整个基板中蒸发。 消除感光层。