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热词
    • 8. 发明公开
    • 비아 구조체 및 배선 구조체를 갖는 반도체 소자 제조 방법
    • 制造具有结构和互连结构的半导体器件的方法
    • KR1020160066899A
    • 2016-06-13
    • KR1020140172284
    • 2014-12-03
    • 삼성전자주식회사
    • 시우용콩박성호
    • H01L21/3205H01L21/28
    • H01L21/76844H01L21/76847H01L21/76849H01L21/76879H01L23/5226H01L23/53238H01L23/53266H01L21/3205H01L21/28H01L21/32051
    • 하부층간절연층, 및상기하부층간절연층과공면을갖는전도성베이스구조체를형성하고, 상기하부층간절연층 및상기베이스구조체를덮는중간층간절연층을형성하고, 상기중간층간절연층을수직으로관통하여상기베이스구조체의상면을노출시키는비아홀 및상기비아홀과수직으로정렬하는배선트렌치를형성하고, 상기비아홀의측벽상의비아배리어층, 및상기배선트렌치의바닥면 및측벽상의배선배리어층을형성하되, 상기비아배리어층은상기베이스구조체의상기상면상에형성되지않고, 상기비아배리어층 상에상기비아홀을채우는비아플러그를형성하고, 상기배선트렌치의바닥면 및측벽상의상기배선배리어층 및상기비아플러그의상면상에씨드층을형성하고, 상기씨드층 상에배선전극을형성하고, 및상기배선전극상에배선캡핑층을형성하는것을포함하는반도체소자제조방법이설명된다.
    • 本发明涉及具有通孔结构和布线结构的半导体器件的制造方法。 该制造方法包括以下步骤:形成具有下层绝缘层和共面表面的导电基底结构到下层绝缘层; 形成覆盖下层绝缘层和基体结构的中间层绝缘层; 形成布置沟槽,其布置通过垂直贯穿中间层绝缘层和通孔而露出基部结构的上表面的通孔; 形成通孔,其填充通孔阻挡层上的通孔,该通孔在通孔的侧壁和通孔阻挡层的侧壁和底表面上形成布线阻挡层,而不形成通孔 阻挡层在基部结构的上表面上; 在布线沟槽的侧壁和底表面上的通孔插塞和布线阻挡层的上表面上形成种子层; 在种子层上形成布线电极; 以及在所述布线电极上形成布线覆盖层。 本发明的目的是提供一种具有通孔结构和布线结构的半导体器件的制造方法。
    • 10. 发明公开
    • 간섭 정렬 기반 주파수 할당 방법 및 이를 위한 송신 장치
    • 用于基于干扰对齐的频率分配的方法和装置
    • KR1020150057586A
    • 2015-05-28
    • KR1020130141119
    • 2013-11-20
    • 삼성전자주식회사고려대학교 산학협력단
    • 박성호고영채김명진
    • H04L27/26
    • H04W72/082H04W72/02H04W72/042H04W72/0453
    • 본발명은간섭채널에서의주파수할당방법및 송신장치에관한것으로서, 기지국이상기다수의단말로파일럿신호를전송하는과정과, 상기기지국이상기다수의단말로부터채널정보와 SIR(Signal to Interference Ratio)에대한피드백정보를수신하는과정과, 상기기지국이상기피드백정보를이용하여간섭정렬에사용할서브캐리어개수와간섭정렬을적용할단말을결정하는과정과, 상기기지국이미리설정된간섭정렬용주파수집합들중에서간섭정렬에사용할주파수집합을선택하고, 각주파수당얻을수 있는최대자유도를이용하여송신프리코딩행렬을생성하는과정과, 상기기지국이상기생성된송신프리코딩행렬을이용하여상기선택한주파수집합의인덱스를상기결정된단말로전송하는과정을포함한다.
    • 本发明涉及用于干扰信道的频率分配方法和用于这些目的的传输装置。 本发明包括以下过程:基站向多个终端发送导频信号的过程; 用于基站从多个终端接收信道信息和信号与干扰比的反馈信息的过程; 用于使用所述反馈信息确定所述基站确定子载波号码和终端以应用干扰对准的过程; 基站用于选择要用于预设频带之外的干扰对准的频带的过程,并且通过使用从每个频率可获得的最大自由度生成传输预编码矩阵; 以及用于基站向终端发送通过传输预编码矩阵选择的频带的索引的过程。