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1. 发明申请

WO2013015472A1 반도체 발광소자 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2013015472A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/KR2011/005570
申请日：2011-07-28
申请人： 삼성전자주식회사 , 심현욱 , 한상헌 , 한재웅 , 신동철 , 김제원 , 이동주
发明人： 심현욱 , 한상헌 , 한재웅 , 신동철 , 김제원 , 이동주
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/24
摘要： 본 발명은 발광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는, 상면에 적어도 하나의 피트를 갖는 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 피트를 따라 굴곡진 상면을 갖는 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 활성층의 굴곡을 따라 굴곡진 상면을 갖는 p형 반도체층;을 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及能够提高发光效率的半导体发光装置及其制造方法。根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括：在其顶表面上具有至少一个凹坑的n型半导体层; 形成在所述n型半导体层上的有源层，并且在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹陷的顶面; 以及p型半导体层，其形成在有源层上，并且在其对应于凹坑的区域中具有沿有源层的凹陷凹陷的顶表面。

2. 发明公开

KR1020110114803A 질화물 반도체 소자 无效
标题翻译：氮化物半导体器件
公开(公告)号：KR1020110114803A
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：KR1020100034137
申请日：2010-04-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심현욱 , 한재웅 , 이동주 , 김영선
IPC分类号： H01L33/04
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L33/0075 , H01L33/145 , H01L2924/12041
摘要： 본 발명은, p형 및 n형 질화물 반도체층과 그 사이에 위치하며 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층이 교대로 적층되어 이루어진 다중양자우물구조의 활성층을 포함하며, 상기 복수의 양자장벽층 중 상기 p형 질화물 반도체층에 인접한 양자장벽층은 다른 양자장벽층의 밴드갭보다 작고 상기 양자우물층의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 갖는 내부영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.

3. 发明公开

KR1020110100569A 질화물 반도체 소자 无效
公开(公告)号：KR1020110100569A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020100089586
申请日：2010-09-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이성숙 , 한재웅 , 자바린,예브게니 , 사하로프,알렉세이 , 니콜라예프,안드레이 , 짜실리코프안드레이 , 룬딘쉐벌로드 , 박희석
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/06 , H01L21/02 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/14 , H01L21/0254 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要： 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는, n형 질화물 반도체층과, p형 질화물 반도체층 및 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성되며, 양자우물층 및 양자장벽층이 서로 교대로 적층 되어 이루어진 활성층과, 상기 활성층 및 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성된 전자차단층 및 상기 활성층과 상기 전자차단층 사이에 형성되며, 가전자대역을 기준으로 에너지 준위가 상기 p형 질화물 반도체층의 도핑 준위보다 높은 영역을 구비하는 홀컬렉터층을 포함하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 활성층 내로 진입하는 정공의 농도가 증가됨으로써 발광 효율이 향상되며, 고 전류 주입 시 양자 효율이 저하되는 문제가 해결될 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.

4. 发明公开

KR1020110092525A 반도체 발광소자 제조방법 无效
标题翻译：半导体发光器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020110092525A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100011994
申请日：2010-02-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한상헌 , 김태훈 , 신동철 , 심현욱 , 김제원 , 황석민 , 한재웅 , 이동주 , 이동율
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0075 , H01L2933/0083
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor light emitting device is provided to minimize damage to a light emitting structure by regrowing a second conductive semiconductor layer for a short time. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer(101) is formed on a substrate(100). An active layer(102) is formed on the first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(103) is formed on the active layer. A mask(104) with a plurality of open areas is formed on the second conductive semiconductor layer. The plurality of open areas is regularly arranged.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体发光器件的方法，以通过在短时间内重新生长第二导电半导体层来最小化对发光结构的损伤。构成：在基板（100）上形成第一导电半导体层（101）。在第一导电半导体层上形成有源层（102）。在有源层上形成第二导电半导体层（103）。具有多个开放区域的掩模（104）形成在第二导电半导体层上。多个开放区域被规则排列。

5. 发明公开

KR1020110057541A 질화물 반도체 발광소자 无效
标题翻译：氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020110057541A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090113986
申请日：2009-11-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한상헌 , 천주영 , 김제원 , 이동주 , 신동철 , 심현욱 , 한재웅
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device is provided to improve external quantum efficiency by controlling the thickness of a quantum well according to a low current density and a high current density. CONSTITUTION: An active layer(130) is formed on a first conductive nitride semiconductor layer. An active layer has a structure where a plurality of quantum well layers and quantum barrier layers are alternatively arranged. A second conductive nitride semiconductor layer is formed on the active layer. The plurality of quantum well layers include a first quantum layer(131a) and a second quantum layer(131b) with different thicknesses. The first and second quantum well layers emit light with the same wavelength.
摘要翻译：目的：提供氮化物半导体发光器件，以通过根据低电流密度和高电流密度控制量子阱的厚度来提高外部量子效率。构成：在第一导电氮化物半导体层上形成有源层（130）。有源层具有交替布置多个量子阱层和量子势垒层的结构。在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。多个量子阱层包括具有不同厚度的第一量子层（131a）和第二量子层（131b）。第一和第二量子阱层发射具有相同波长的光。

6. 发明公开

KR1020110041683A 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110041683A
公开(公告)日：2011-04-22
申请号：KR1020090098623
申请日：2009-10-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한재웅 , 김제원 , 심현욱 , 신동철 , 이동주 , 한상헌
IPC分类号： H01L33/20
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve the light emission efficiency by reducing the crystal defect in the semiconductor layer. CONSTITUTION: A n-type semiconductor layer(101) has the pit formed on the upper side. An intermediate layer comprises the domain doped on the n-type semiconductor layer to the p-type impurity. An active layer(103) is formed on the intermediate layer. A p-type semiconductor layer(105) is formed on the active layer. The intermediate layer is divided into the low resistance region and the high resistance region formed on the n-type semiconductor layer upper side except for the pit.
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过减少半导体层中的晶体缺陷来提高发光效率。构成：n型半导体层（101）在上侧形成有凹坑。中间层包括在n型半导体层上掺杂到p型杂质的畴。在中间层上形成有源层（103）。在有源层上形成p型半导体层（105）。中间层被分成低电阻区域和形成在除了凹坑之外的n型半导体层上侧的高电阻区域。

7. 发明授权

KR101737638B1 휴대단말기의 데이터 전송장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101737638B1
公开(公告)日：2017-05-29
申请号：KR1020110000304
申请日：2011-01-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태훈 , 허만근 , 한재웅
IPC分类号： H04B1/40 , G06F3/041
CPC分类号： G06F1/1698 , G06F1/1643 , G06F3/0486 , G06F3/04883 , H04L29/00 , H04L63/08 , H04W12/06 , H04W88/02
摘要： 본발명은전송장치및 방법에관한것으로, 특히두 휴대단말기간의데이터전송을편리하게할 수있는데이터전송장치및 방법에관한것이다.이를달성하기위해휴대단말기가, 터치스크린부, 통신부, 및상기터치스크린부를통해드래그동작의동작시간및 이동속도를인증정보로검출하고, 상기통신부를통해상기검출된인증정보를상대측휴대단말기에게직접으로브로드캐스팅하며, 상기통신부를통해상기검출된인증정보와, 상기상대측휴대단말기의상대측터치스크린부에서연속적인드래그동작에의해생성된상대측인증정보의상대측동작시간및 상대측이동속도가일치하는상기상대측휴대단말기로부터인디케이션이직접적으로수신되면, 상기드래그동작에의해지정된데이터를상기상대측휴대단말기에게전송하도록구성된제어부를포함하는것을특징으로하는한다.

8. 发明公开

KR1020120081729A 세제함 및 이를 포함하는 세탁기 有权
标题翻译：洗衣机和洗衣机
公开(公告)号：KR1020120081729A
公开(公告)日：2012-07-20
申请号：KR1020110003015
申请日：2011-01-12
申请人： 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 성종훈 , 김권희 , 조웅 , 김정훈 , 조창희 , 권율 , 이강현 , 한재웅 , 고훈건 , 김두리 , 권효찬
IPC分类号： D06F39/02 , D06F37/04 , D06F37/22 , D06F37/26 , D06F39/12 , D06F37/42 , D06F39/08
CPC分类号： D06F39/022 , D06F37/04 , D06F37/22 , D06F37/26 , D06F37/42 , D06F39/028 , D06F39/088 , D06F39/12 , Y02B40/50
摘要： PURPOSE: A detergent box and a washing machine including the same are provided to have a remaining water exhaust structure in order not to remain water inside. CONSTITUTION: A detergent box comprises a siphon pipe(103), a siphon cap(104), a remaining water exhaust hole(110), and a switching unit(111). The siphon pipe is projected from the bottom part of a liquid detergent accommodation space. The siphon cap protects the siphon pipe in order to form a siphon flow path. The remaining water exhaust hole is formed at the bottom part of the liquid detergent accommodation space so that the residual water of the liquid detergent accommodation space can be exhausted. The switching unit exercises vertically by the buoyancy of the washing water accepted to the liquid detergent accommodation space. The switching unit opens and closes the remaining water exhaust hole.
摘要翻译：目的：提供洗涤剂盒和包括该洗涤剂的洗衣机以具有剩余的排水结构，以便不将水留在内部。构成：洗涤剂盒包括虹吸管（103），虹吸帽（104），剩余的排水孔（110）和切换单元（111）。虹吸管从液体洗涤剂容纳空间的底部突出。虹吸帽保护虹吸管，以形成虹吸管道。剩余的排水孔形成在液体洗涤剂容纳空间的底部，从而可以排出液体洗涤剂容纳空间的残留水。切换单元通过接受到液体洗涤剂容纳空间的洗涤水的浮力而垂直地进行操作。开关单元打开和关闭剩余的排水孔。

9. 发明公开

KR1020110091245A 반도체 발광소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110091245A
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020100010985
申请日：2010-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심현욱 , 한상헌 , 한재웅 , 신동철 , 김제원 , 이동주
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve optical extraction efficiency by forming a pit in over the top surface of the light emitting device and multiplying light extraction efficiency to the outside through the four sides of the pit. CONSTITUTION: An n-type semiconductor layer(130) has one or more pits on the upper side. An active layer(140) is formed on the n-type semiconductor layer. The area corresponding to the pits has bent upper side along the pits. A p-type semiconductor layer(150) is formed on the active layer. The area corresponding to the pits has bent upper side along the active layer. The active layer and the upper side of the p-type semiconductor layer include a first area which is bent toward the pits and a second area which is not bent.
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过在发光器件的顶表面上形成凹坑并通过凹坑的四边将光提取效率乘以外部来提高光提取效率。构成：n型半导体层（130）在上侧具有一个或多个凹坑。在n型半导体层上形成有源层（140）。与坑相对应的区域沿着凹坑弯曲上侧。在有源层上形成p型半导体层（150）。与凹坑相对应的区域沿着活性层弯曲上侧。 p型半导体层的有源层和上侧包括朝向凹坑弯曲的第一区域和不弯曲的第二区域。

10. 发明公开

KR1020110070545A 질화물 반도체 발광소자 无效
标题翻译：氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020110070545A
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090127403
申请日：2009-12-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한재웅 , 심현욱 , 한상헌 , 이동주 , 신동철
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L33/36 , H01L2924/12041
摘要： PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device is provided to improve the optical output of a light emitting device by increasing the injection of holes by reducing potential barrier due to piezoelectric effect. CONSTITUTION: An n type nitride semiconductor layer(120) is formed on a substrate. An active layer(130) is formed on the n type nitride semiconductor layer by alternatively stacking a plurality of quantum well layers(131) and a plurality of quantum barrier layers(133). The quantum barrier layer includes an intermediate well layer(135b) and a sub quantum barrier layer(135a) with a different energy band gap. A p type nitride semiconductor layer(140) is formed on the active layer.
摘要翻译：目的：提供一种氮化物半导体发光器件，用于通过由于压电效应降低势垒来增加空穴的注入来改善发光器件的光输出。构成：在衬底上形成n型氮化物半导体层（120）。通过交替堆叠多个量子阱层（131）和多个量子势垒层（133），在n型氮化物半导体层上形成有源层（130）。量子势垒层包括具有不同能带隙的中间阱层（135b）和子量子势垒层（135a）。在有源层上形成p型氮化物半导体层（140）。

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