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1. 发明申请

WO2013024914A1 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：用于制造氮化物半导体发光器件和制造的氮化物半导体发光器件的方法
公开(公告)号：WO2013024914A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006013
申请日：2011-08-17
申请人： 삼성전자주식회사 , 황석민 , 이진복 , 장태성 , 우종균
发明人： 황석민 , 이진복 , 장태성 , 우종균
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
摘要： 본 발명은 일 측면은, 기판 위에 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과, 그 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계와, 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 상기 제2 도전형 질화물 반도체층의 일부 영역이 노출되는 포토레지스트막을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트막에 의하여 노출된 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 위에 제2 전극 구조로서 반사 금속층 및 배리어 금속층을 연속으로 형성한 후 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供一种用于制造由此制造的氮化物半导体发光器件和氮化物半导体发光器件的方法。制造氮化物半导体发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一和第二导电型氮化物半导体层，以在第一和第二导电型氮化物半导体层之间形成包括有源层的发光结构; 依次形成第一导电型氮化物半导体层，有源层和第二导电型氮化物半导体层; 形成连接到第一导电型氮化物半导体层的第一电极; 在所述第二导电型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露所述第二导电型氮化物半导体层的一部分; 并且在用作第二电极和阻挡层的反射金属层之后依次形成在由光致抗蚀剂膜暴露的第二导电型氮化物半导体层上，去除光致抗蚀剂膜。

2. 发明授权

KR102032371B1 마스크드 라이트 동작을 수행하는 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102032371B1
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：KR1020130101275
申请日：2013-08-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정회주 , 박철성 , 오태영 , 유장우 , 이찬용 , 장태성 , 한공흠
IPC分类号： G11C7/22 , G11C7/10 , G11C29/42 , G06F11/10

3. 发明授权

KR101767101B1 반도체 발광소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101767101B1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020110048368
申请日：2011-05-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태훈 , 채승완 , 김용일 , 이승재 , 장태성 , 손종락 , 김보경
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본발명은반도체발광소자및 그제조방법에관한것으로서, 본발명의일 측면은서로대향하는제1 및제2 주면을갖되, 상기제2 주면에는요철이형성된투광성기판과, 상기제1 주면측에배치되며, 제1 및제2 도전형반도체층과이들사이에형성된활성층을포함하는발광부와, 상기제1 및제2 도전형반도체층과각각전기적으로연결된제1 및제2 전극및 상기제2 주면측에배치된반사금속층과, 상기투광성기판및 상기반사금속층사이에배치된투광성유전체층을포함하는배면반사부를포함하는반도체발광소자를제공한다. 본발명의일 실시예에의할경우, 성장기판의배면측에광 반사성능및 방열성능등이우수한반사기구조를갖는반도체발광소자를얻을수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光器件及其制造的方法，并且具有第一mitje第二主表面相对的本发明的相互的一个方面，设置在具有凹凸，第二主表面，所述第一主面侧的透明基板上第一和第二导电类型半导体层以及形成在第一和第二导电类型半导体层之间的有源层;第一和第二电极，电连接到第一和第二导电类型半导体层; 并且背面反射器包括设置在透射衬底和反射金属层之间的反射金属层以及设置在透射衬底和反射金属层之间的透射介电层。根据本发明的一个实施例，可以在生长衬底的背面上获得具有光反射性能，散热性能等优异的反射器结构的半导体发光器件。

4. 发明公开

KR1020150053171A n형 질화물 반도체의 전극형성방법, 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：在N-型氮化物半导体上形成电极的方法，氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150053171A
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020130135026
申请日：2013-11-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태훈 , 김성준 , 성영규 , 이완호 , 장태성 , 박태영 , 임완태
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L21/2236 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2933/0016
摘要： 본발명의일 측면은, 질소성분이결핍된질소공극표면층이형성되도록 n형질화물반도체의표면을비활성기체플라즈마로처리하는단계와, 산소가첨가된질화물막이형성되도록상기질소공극표면층이형성된표면을산소함유기체플라즈마로처리하는단계와, 상기산소가첨가된질화물막에전극을형성하는단계를포함하는 n형질화물반도체의전극형성방법을제공한다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种用于在n型氮化物半导体上形成电极的方法，以提供一种新的技术来处理将要形成电极的表面以产生与n型氮化物的欧姆接触通过包括以下步骤：用惰性气体等离子体处理缺乏待形成的氮物质的氮气隙表面层的n型氮化物半导体的表面; 用形成有氧的氮化物膜的气体等离子体处理形成有氮气隙表面层的表面; 以及用氧在氮化膜上形成电极。

5. 发明授权

KR101518858B1 반도체 발광소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101518858B1
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020080122085
申请日：2008-12-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장태성 , 이수열 , 우종균
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20
摘要： 본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제 1 도전형 반도체층; 상기 제 1 도전형 반도체층 상면에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상면에 형성된 제 2 도전형 반도체층을 포함하며, 상기 제 2 도전형 반도체층의 상면에 상부가 반구형인 기둥 형상을 갖는 광 추출용 패턴이 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 반도체 발광 소자는 광 방출면에 형성되는 광 추출용 패턴에 의하여 소자 내부로 반사되는 광의 비율을 줄여 광 추출 효율이 우수하다.
발광소자, LED, 광 추출용 패턴, 전반사, 발광 효율

6. 发明授权

KR101360882B1 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101360882B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020070082918
申请日：2007-08-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최석범 , 백두고 , 장태성 , 우종균
IPC分类号： H01L33/22 , H01S3/0941
摘要： 본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되되, 상면이 표면 요철을 갖는 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층의 표면 요철 일부분 상에 상기 표면 요철의 프로파일을 따라 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 질화물 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.
질화물, 발광효율, 동작전압, 양자우물, 표면요철

7. 发明授权

KR101333332B1 발광 다이오드 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101333332B1
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020070106760
申请日：2007-10-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 우종균 , 백두고 , 최석범 , 장태성
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/36
摘要： 본 발명에 따른 발광 다이오드는, n형 질화물 반도체층 및 p형 질화물 반도체층과 그 사이에 위치한 활성층을 포함하고, 상기 n형 질화물 반도체층의 외부방향으로 제공된 제 1 면, 상기 p형 질화물 반도체층에 의해 제공되어 상기 제 1 면과 서로 반대 방향에 위치한 제 2 면, 및 그 사이에 상기 n형 질화물 반도체층 내지 상기 p형 질화물 반도체층 까지 소정의 각도로 경사진 측면을 갖는 발광 적층부; 상기 발광 적층부의 p형 질화물 반도체층에 접하도록 상기 제 2 면에 형성된 고반사성 금속부; 상기 발광 적층부의 측면과 상기 고반사성 금속부가 형성된 제 2 면을 둘러싸도록 형성된 절연 구조부; 상기 고반사성 금속부에 접속되어 상기 절연 구조부를 거쳐서 노출 형성된 p측 전극부; 및 상기 발광 적층부의 n형 질화물 반도체층에 접속하여 상기 절연 구조부의 외측을 둘러싸는 n측 전극부를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 따라 종래에 전체 발광 면적 중 전극에 의한 가려지는 부분을 제거하여 발광 면적을 최대로 형성한 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
발광 다이오드, 발광 효율, 전극

8. 发明公开

KR1020120034910A 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制备
公开(公告)号：KR1020120034910A
公开(公告)日：2012-04-13
申请号：KR1020100096293
申请日：2010-10-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장태성 , 황석민 , 이수열 , 우종균
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce an amount of light absorbed in a second conductive semiconductor layer by shortening a path of light emitted by a refractive index difference. CONSTITUTION: An active layer(102) is formed on one side of a first conductive semiconductor layer(103). A second conductive semiconductor layer(101) is formed on the active layer and includes a plurality of holes(105). The plurality of holes are formed in a thickness direction of the second conductive semiconductor layer. A transparent electrode(106) is formed on the second conductive semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件及其制造方法，通过缩短由折射率差发射的光的路径来减少在第二导电半导体层中吸收的光量。构成：在第一导电半导体层（103）的一侧上形成有源层（102）。第二导电半导体层（101）形成在有源层上并且包括多个孔（105）。多个孔沿第二导电半导体层的厚度方向形成。在第二导电半导体层上形成透明电极（106）。

9. 发明公开

KR1020100063528A 반도체 발광소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100063528A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020080122085
申请日：2008-12-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장태성 , 이수열 , 우종균
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction efficiency by reducing the rate of the light advanced inside of a device by a total reflection. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer is formed on an insulating substrate(110). An active layer(102) is formed on an upper side of the first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(103) is formed on the upper side of the active layer. A pattern of a light extraction is formed on the upper side of the second conductive semiconductor layer. A first electrode(105) is formed on the exposed first conductive semiconductor layer. A second electrode(104) is formed on the upper side of the second conductive semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件及其制造方法，以通过全反射降低器件内部的光的速率来提高光提取效率。构成：在绝缘基板（110）上形成第一导电半导体层。在第一导电半导体层的上侧形成有源层（102）。第二导电半导体层（103）形成在有源层的上侧。在第二导电半导体层的上侧形成光提取图案。第一电极（105）形成在暴露的第一导电半导体层上。第二电极（104）形成在第二导电半导体层的上侧。

10. 发明公开

KR1020100049274A 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100049274A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：KR1020080108373
申请日：2008-11-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 우종균 , 이수열 , 장태성
IPC分类号： H01L33/12
摘要： PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to improve an optical extraction efficiency of the device by forming an air layer in the lower side of a buffer layer in order to totally reflect light which is toward to a substrate. CONSTITUTION: An air layer is formed in a buffer layer(120). An n-type nitride semiconductor layer(130) is formed on the buffer layer. An active layer(140) is formed on the n-type nitride semiconductor layer. A p-type nitride semiconductor layer(150) is formed on the active layer. A p-type electrode(160) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. An n-type electrode(170) is formed on the n-type nitride semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过在缓冲层的下侧形成空气层来提高器件的光学提取效率，以便完全反射朝向基质。构成：在缓冲层（120）中形成空气层。在缓冲层上形成n型氮化物半导体层（130）。在n型氮化物半导体层上形成有源层（140）。在有源层上形成p型氮化物半导体层（150）。 p型电极（160）形成在p型氮化物半导体层上。 n型电极（170）形成在n型氮化物半导体层上。

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