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1. 发明专利

KR102233378B1 KR102233378B1 - Operating method of wearable device paired with mobile terminal and the wearable device 有权
公开(公告)号：KR102233378B1
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020140041242A
申请日：2014-04-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최창목 , 김상준 , 나수현 , 나유진 , 이종기 , 장순규 , 조영이
IPC分类号： G06F3/01
CPC分类号： H04M1/72409 , G06F3/017 , H04M1/724
摘要： 이동 단말과 연결된 착용형 기기의 동작 방법 및 그 착용형 기기가 개시된다. 착용형 기기와 근거리 통신으로 연결되어 있는 이동 단말로부터, 이동 단말에게 수신된 수신 호(incoming call)에 대한 정보를 수신하고, 사용자로부터 이동 단말에게 수신된 수신 호에 대한 수신 거부 입력을 수신하는 것에 대응하여, 사용자에게 수신 호 처리 옵션 리스트를 제공하며, 수신 호 처리 옵션 리스트에 대한 사용자의 제스처를 입력 받고, 제스처에 대응하는 결과 값을 이동 단말로 전송하는 착용형 기기의 동작 방법을 제공할 수 있다.

2. 发明专利

KR102239055B1 KR102239055B1 - Operating method of user specific device providing customized service to multiple adjacent mobile terminals, the user specific device, and the mobile terminal 有权
公开(公告)号：KR102239055B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020140040358A
申请日：2014-04-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최창목 , 김상준 , 나수현 , 나유진 , 이종기 , 장순규 , 조영이
IPC分类号： H04W4/02 , H04W88/02
摘要： 근접한 복수의 이동 단말들에게 맞춤형 서비스를 제공하는 개인 맞춤형 장치의 동작 방법, 개인 맞춤형 장치 및 이동 단말이 개시된다. 개인 맞춤형 장치와 근거리 통신의 커버리지 내에 위치한 복수의 이동 단말들 - 이동 단말들 각각은 개인 맞춤형 장치에 대한 식별 정보를 포함함 - 을 인식하고, 인식된 복수의 이동 단말들 중 적어도 하나의 이동 단말에 대응하는 맞춤형 서비스를 제공하는 개인 맞춤형 장치의 동작 방법을 제공할 수 있다.

3. 发明公开

KR1020170088649A 위치 정보에 기초하여 공기 상태를 제어하는 전자 장치와 이의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：一种基于位置信息控制空调的电子设备及其操作方法
公开(公告)号：KR1020170088649A
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：KR1020160008795
申请日：2016-01-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주은 , 우숙영 , 장순규 , 태은주
IPC分类号： F24F11/02 , F24F11/00 , G05B19/02
CPC分类号： G05B15/02 , F24F11/30 , F24F11/62 , F24F11/63 , F24F2110/10 , F24F2110/12 , F24F2110/20 , F24F2110/22 , F24F2110/50 , F24F2110/52 , F24F2110/64 , F24F2120/20 , G05B2219/2642 , Y02A50/25
摘要： 본발명의실시예에따른전자장치는, 제1영역에위치한적어도하나의제1센서로부터제1감지정보와, 제2영역에위치한복수의센서들중 적어도하나의제2센서로부터제2감지정보를수신하는통신모듈, 및상기제1감지정보와상기제2감지정보에기초하여, 상기제1영역에위치한적어도하나의공기제어장치를제어하여상기제1영역의공기상태를제어하도록설정된프로세서를포함하고, 상기프로세서는상기전자장치의위치에기초하여상기제2센서를선택할수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施例的电子设备包括来自位于第一区域中的至少一个第一传感器的第一感测信息和来自位于第二区域中的多个传感器中的至少一个第二传感器的第二感测信息，以及控制器，被配置为基于第一感测信息和第二感测信息来控制位于第一区域中的至少一个空气控制装置以控制第一区域的空气状况，处理器可以基于电子设备的位置来选择第二传感器。

4. 发明公开

KR1020000014004A 고집적 반도체 장치의 접촉구 및 그 형성 방법 失效
标题翻译：高度集成的半导体器件的接触孔及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000014004A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980033189
申请日：1998-08-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장순규
IPC分类号： H01L21/8242
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a contact hole is provided to improve the quality of the contact hole in a highly integrated semiconductor device. CONSTITUTION: The manufacturing method comprises the steps of: forming a contact hole for a direct contact in a cell and a core regions; evaporating a conductive material; leaving the first conductive material as a form of spacer on sidewalls of the contact hole by etching the entire region; and evaporating a second conductive material which will be used as a bit line conductive material.
摘要翻译：目的：提供接触孔的制造方法，以提高高度集成的半导体器件中的接触孔的质量。构成：制造方法包括以下步骤：在电池和芯区域中形成用于直接接触的接触孔; 蒸发导电材料; 通过蚀刻整个区域将第一导电材料作为间隔物的形式留在接触孔的侧壁上; 并蒸发将用作位线导电材料的第二导电材料。

5. 发明公开

KR1020000003873A 반도체 장치 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其方法
公开(公告)号：KR1020000003873A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980025173
申请日：1998-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장순규
IPC分类号： H01L21/28
摘要： PURPOSE: A semiconductor substrate and method thereof are provided to reduce a contact resistance formed at p-type impurity region without increasing the chip size. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming a first conductive well(101) and a second conductive well(102) in a semiconductor substrate(100); forming a first impurity region(103) in the first conductive well(101); forming a second impurity region(104) in the second conductive well(102); forming an insulating layer(106) on the semiconductor substrate(100); and forming a contact hole(109) by etching the insulating layer(106) to expose the first and second impurity regions(103,104), wherein the width of the contact hole(109) formed in the first impurity region(103) is wider than that of the contact hole(109) formed in the second impurity region(104).
摘要翻译：目的：提供一种半导体衬底及其方法，以减小在p型杂质区形成的接触电阻而不增加芯片尺寸。构成：该方法包括以下步骤：在半导体衬底（100）中形成第一导电阱（101）和第二导电阱（102）; 在第一导电孔（101）中形成第一杂质区（103）; 在所述第二导电孔（102）中形成第二杂质区（104）; 在所述半导体衬底（100）上形成绝缘层（106）; 以及通过蚀刻绝缘层（106）形成接触孔（109）以露出第一和第二杂质区域（103,104），其中形成在第一杂质区域（103）中的接触孔（109）的宽度比在第二杂质区（104）中形成的接触孔（109）。

6. 发明公开

KR1019990075358A 디램 셀 캐패시터의 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR1019990075358A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980009519
申请日：1998-03-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장순규
IPC分类号： H01L27/04
摘要： 본 발명은 스토리지 노드의 쓰러짐을 방지하는 DRAM 셀 캐패시터의 제조 방법에 관한 것으로, 셀 트랜지스터를 포함하여 반도체 기판 상에 절연층이 형성된다. 절연층이 식각 되어 스토리지 노드 콘택홀이 형성된다. 콘택홀이 제 1 도전층으로 채워져서 스토리지 노드 콘택 플러그가 형성된다. 절연층의 일부 두께가 식각 되어 돌출된 형태의 콘택 플러그가 형성된다. 돌출된 형태의 콘택 플러그를 포함하여 절연층 상에 제 2 도전층이 형성된다. 제 2 도전층을 패터닝 하여 돌출된 형태의 콘택 플러그와 전기적으로 접속되는 스토리지 노드가 형성된다. 이때, 제 1 도전층은 제 2 도전층의 식각률과 같거나 그 보다 낮은 식각률을 갖는다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 돌출 형태의 스토리지 노드 콘택 플러그를 형성한 후 스토리지 노드를 형성함으로써, 스토리지 노드 형성을 위한 과식각 공정시 스토리지 노드 콘택홀의 입구에 발생되는 언더 컷을 방지할 수 있고, 따라서 언더 컷 부위에 가해지는 스트레스 및 후속 세정 공정 등에 의해 스토리지 노드가 쓰러지는 것을 방지할 수 있다.

7. 发明公开

KR1019980011863A 반도체 패드 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：制造半导体焊盘装置的方法
公开(公告)号：KR1019980011863A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960029318
申请日：1996-07-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장순규
IPC分类号： H01L21/28

8. 外观设计

KR3008041490000S 有权
公开(公告)号：KR3008041490000S
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR3020140040539
申请日：2014-08-20
申请人： 삼성전자주식회사
设计人： 이올리비아 , 이주은 , 장순규 , 최진미

9. 发明公开

KR1020150116250A 이동 단말과 연결된 착용형 기기의 동작 방법 및 그 착용형 기기 审中-实审
标题翻译：配有移动终端和可穿戴设备的可穿戴设备的操作方法
公开(公告)号：KR1020150116250A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020140041242
申请日：2014-04-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최창목 , 김상준 , 나수현 , 나유진 , 이종기 , 장순규 , 조영이
IPC分类号： G06F3/01
CPC分类号： H04M1/72527 , G06F3/017 , H04M1/72519
摘要： 이동단말과연결된착용형기기의동작방법및 그착용형기기가개시된다. 착용형기기와근거리무선통신으로연결되어있는이동단말로부터, 이동단말에게수신된수신호(incoming call)에대한정보를수신하고, 사용자로부터이동단말에게수신된수신호에대한수신거부입력을수신하는것에대응하여, 사용자에게수신호 처리옵션리스트를제공하며, 수신호 처리옵션리스트에대한사용자의제스처를입력받고, 제스처에대응하는결과값을이동단말로전송하는착용형기기의동작방법을제공할수 있다.
摘要翻译：公开了与移动终端配对的可穿戴设备和可穿戴设备的操作方法。提供了一种穿戴式装置的操作方法，包括以下步骤：从通过短距离无线通信连接到可穿戴设备的移动终端接收由移动终端接收的来话呼叫的信息; 响应于从用户接收到关于由移动终端接收到的来话呼叫的来电接收拒绝输入，向用户提供来话呼叫处理选项列表; 以及接收用于所述呼入处理选项列表的用户手势列表，然后将与所述手势相对应的结果值发送到所述移动终端。

10. 发明授权

KR100493021B1 반도체 메모리 장치 및 그의 제조방법 有权
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100493021B1
公开(公告)日：2005-06-07
申请号：KR1020020040091
申请日：2002-07-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장순규
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/10894 , G11C11/405 , G11C11/406 , G11C11/40603 , H01L21/823462 , H01L27/10873
摘要： 본 발명은 반도체 메모리 장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 메모리 장치는, 반도체 기판 상에 소정의 구획을 형성하면서 메모리 소자들이 형성된 셀 영역과 이 셀 영역을 둘러싸고 형성된 주변회로 영역을 포함하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 셀 영역에 형성되어 메모리 소자 역할을 하며 제1두께의 제1게이트 절연막을 가진 복수의 셀 트랜지스터와, 셀 영역과 인접하는 주변회로 영역에 형성되어 제1두께의 제1게이트 절연막을 가진 복수의 코아 트랜지스터 및 셀영역에 형성된 셀 트랜지스터의 게이트에 네거티브 바이어스(negative bias)를 인가할 수 있도록 주변회로 영역에 형성되어 제2두께의 제2게이트 절연막을 가진 복수의 게이트 네거티브 바이어스용 트랜지스터를 포함한다.
이렇게 게이트에 네거티브 바이어스를 가해주는 트랜지스터의 제2게이트 절연막을 셀 영역 및 주변회로 영역의 제1게이트 절연막과 서로 다른 두께로 형성함으로써, 셀 트랜지스터 및 주변회로의 게이트 네거티브 바이어스용 트랜지스터들의 문턱전압이 균일한 반도체 메모리 장치를 제공할 수 있다.

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