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1. 发明授权

KR101993355B1 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101993355B1
公开(公告)日：2019-09-30
申请号：KR1020130026877
申请日：2013-03-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정숙진 , 이종철 , 김윤수 , 유차영 , 최근규
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/8242 , H01L27/108

2. 发明授权

KR101790511B1 디스플레이 장치 및 그에 포함되는 백 라이트 유닛 有权
公开(公告)号：KR101790511B1
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：KR1020150158837
申请日：2015-11-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성호 , 권용훈 , 김태형 , 박천순 , 이영철 , 이종철 , 조재학 , 채승훈 , 하형진
IPC分类号： G02F1/1335 , F21V8/00 , G02B6/12
摘要： 디스플레이장치는백 라이트유닛; 상기백 라이트유닛으로부터방출된광을투과또는차단하여영상을생성하는영상형성유닛을포함하고, 상기백 라이트유닛은광원; 상기광원으로부터방출된광에서미리정해진범위의파장을갖는광을흡수하고, 흡수되지않는광을반사시키는반사시트; 상기광원으로부터방출된광에서미리정해진범위의파장을갖는광을흡수하고, 흡수되지않은광을투과시키는광학시트를포함할수 있다.

3. 发明公开

KR1020170042120A 반도체 테스트 장치 审中-实审
标题翻译：半导体测试设备
公开(公告)号：KR1020170042120A
公开(公告)日：2017-04-18
申请号：KR1020150141642
申请日：2015-10-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이동영 , 민병준 , 이종철
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2601 , G01R31/2875 , G01R31/2893 , G01R31/31718
摘要： 본발명의일 실시예에의한반도체테스트장치는미테스트반도체칩, 2차불량반도체칩, 및양품반도체칩이적재될수 있는커스터머트레이가수납된트레이수납부, 상기트레이수납부로부터공급된상기미테스트반도체칩을로딩세트플레이트에위치시키고, 상기미테스트반도체칩을테스트트레이에로딩시키는로딩부, 상기테스트트레이가투입및 반출되며, 상기테스트트레이에적재된반도체칩들을테스트하는테스트부, 상기테스트부로부터반출된상기테스트트레이에적재된반도체칩들을언로딩하며, 테스트된반도체칩들을 1차불량반도체칩, 상기 2차불량반도체칩, 및상기양품반도체칩으로분류하여언로딩세트플레이트에위치시키는언로딩부, 및상기 2차불량반도체칩, 및상기양품반도체칩을상기트레이수납부로이송시키고, 상기 1차불량반도체칩을상기로딩세트플레이트로이송시키는리테스트제어부를포함하며, 상기 1차불량반도체칩은상기테스트부에서리테스트되는것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明的实施方式的半导体检查装置中的非测试半导体芯片，所述第二坏的半导体芯片，和一个无缺陷的半导体芯片是keoseuteomeo收容托盘是托盘的数量在堆叠，其中所述非测试从托盘的隔室供给半导体芯片被定位在装载板组，所述非测试和装载单元装载到测试托盘上，所述半导体芯片，其中，所述测试盘放入和取出，测试单元，用于测试堆叠在测试托盘上的半导体芯片的测试单元，堆叠在从取出的测试盘和所述测试半导体芯片主坏的半导体芯片，所述第二半导体坏芯片，以及将所述无负载组分为无缺陷的半导体芯片板的卸载半导体芯片的卸载并且第二有缺陷的半导体芯片和良好的半导体芯片被转移到托盘接收部分，并且第一有缺陷的半导体芯片被转移到装载组保持器包括木马宋力测试控制器到主坏的半导体芯片，其特征在于由所述测试单元的重新测试。

4. 发明公开

KR1020170008655A 디스플레이 장치 및 그에 포함되는 백 라이트 유닛 有权
标题翻译：显示和背光单元
公开(公告)号：KR1020170008655A
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020150158837
申请日：2015-11-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성호 , 권용훈 , 김태형 , 박천순 , 이영철 , 이종철 , 조재학 , 채승훈 , 하형진
IPC分类号： G02F1/1335 , F21V8/00 , G02B6/12
摘要： 디스플레이장치는백 라이트유닛; 상기백 라이트유닛으로부터방출된광을투과또는차단하여영상을생성하는영상형성유닛을포함하고, 상기백 라이트유닛은광원; 상기광원으로부터방출된광에서미리정해진범위의파장을갖는광을흡수하고, 흡수되지않는광을반사시키는반사시트; 상기광원으로부터방출된광에서미리정해진범위의파장을갖는광을흡수하고, 흡수되지않은광을투과시키는광학시트를포함할수 있다.

5. 发明公开

KR1020160092322A 반사형 확산렌즈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 审中-实审
标题翻译：反射扩散镜片，具有相同的显示装置
公开(公告)号：KR1020160092322A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：KR1020150012804
申请日：2015-01-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이영철 , 손예경 , 권용훈 , 이종철 , 조재학
IPC分类号： G02B3/00 , G02B5/02
CPC分类号： G02F1/133611 , G02F1/133606 , G02F2001/133607 , G02B3/0087 , G02B5/0284
摘要： 반사형확산렌즈, 및이를포함하는디스플레이장치가개시된다. 일측에따른광원으로부터입사된광을확산시키는반사형확산렌즈는, 상기광원으로부터입사된광을굴절시키도록형성된입사면; 상기광원으로부터입사된광이상기입사면중에서기 설정된영역으로입사되는경우, 상기입사면에의해굴절된광을반사시키도록형성된반사면; 및상기반사면에의해반사된광을굴절시켜출광되도록형성된측면을포함하고, 상기측면에의해굴절된광은상기광원의광축에수직한방향을기준으로상향방향으로출광되거나또는하향방향으로출광되도록형성될수 있다.
摘要翻译：公开了一种反射扩散透镜及其显示装置。根据一个方面，从光源入射的反射漫射透镜漫射光包括：入射表面，其被形成为折射从光源入射的光; 当从光源入射的光被发射到入射表面的预定区域时，形成为反射由入射表面折射的光的反射表面; 以及形成为折射被反射表面反射的光以被排出的侧表面。此外，由侧面折射的光沿着与光源的光轴垂直的方向在垂直方向或向下方向排出。

6. 发明授权

KR101626954B1 반도체 장치의 캐패시터 제조 방법 및 이에 따라 제조된 반도체 장치의 캐패시터 有权
标题翻译：制造半导体器件的电容器和半导体器件的电容器的方法
公开(公告)号：KR101626954B1
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020100028012
申请日：2010-03-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김완돈 , 이종철 , 김진용 , 김범석 , 탁용석 , 조규호 , 권오성
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： 반도체장치의캐패시터제조방법및 이에따라제조된반도체장치의캐패시터가제공된다. 반도체장치의캐패시터제조방법은반도체기판상에, 내부에홀이정의된원통형의고유전막패턴을형성하고, 고유전막패턴이형성된홀 내에하부전극을형성하고, 하부전극의상면에블록킹절연패턴을형성하고, 고유전막패턴및 블록킹절연패턴을덮는상부전극을형성하는것을포함한다.

7. 发明授权

KR101602451B1 콘택 플러그를 갖는 반도체소자의 형성방법 및 관련된 소자 有权
标题翻译：形成具有接触插塞和相关装置的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101602451B1
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020100006018
申请日：2010-01-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조성일 , 김남건 , 이종철
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/485 , H01L21/76831 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L23/5226 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체소자의형성방법을제공한다. 먼저, 기판에하부도전성패턴을형성한다. 상기하부도전성패턴을덮는절연막을형성한다. 상기절연막을관통하여상기하부도전성패턴을노출하는콘택홀을형성한다. 상기콘택홀은상기하부도전성패턴에인접한하부콘택홀 및상기하부콘택홀의상부에연통되고상기절연막의상부표면에인접한상부콘택홀을구비한다. 상기상부콘택홀의측벽에제 1 스페이서를형성한다. 상기콘택홀에콘택플러그를형성한다. 상기콘택플러그는상기하부도전성패턴에접촉된다.

8. 发明授权

KR101356699B1 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101356699B1
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020080004900
申请日：2008-01-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종철 , 유차영 , 이성해 , 김중현 , 강상열
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115
摘要： 전하 보존 능력이 향상된 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계, 터널링 산화막 상에 전하 저장층을 형성하는 단계, 전하 저장층 상에 블로킹 절연막을 형성하는 단계 및 블로킹 절연막 상에 게이트 전극층을 형성하는 단계를 포함하되, 블로킹 절연막은 실리콘 원자가 첨가되어 등축정계 또는 정방정계의 결정 구조를 가지는 금속 산화막이다.
블로킹 절연막, 하프늄 산화막, 등축정계, 정방정계

9. 发明公开

KR1020110111141A 커패시터 및 그 형성 방법 无效
标题翻译：电容器及其形成方法
公开(公告)号：KR1020110111141A
公开(公告)日：2011-10-10
申请号：KR1020100030552
申请日：2010-04-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김완돈 , 김범석 , 이종철 , 조규호 , 김진용 , 권오성 , 탁용석
IPC分类号： H01G5/011
CPC分类号： H01G4/1209 , H01G4/002
摘要： 커패시터 및 그 형성 방법에서, 상기 커패시터는 기판 상에 형성되고, 실린더 형상의 제1 하부 패턴, 제1 변형 방지막 패턴과 실린더 형상 내부에 구비되는 제2 하부 패턴을 포함하는 하부 전극 구조물을 포함한다. 상기 하부 전극 구조물의 외부 표면을 덮는 유전막이 구비된다. 또한, 상기 유전막 상에 상부 전극 구조물이 구비된다. 상기 커패시터는 높은 커패시턴스 및 낮은 누설 전류를 갖는다.

10. 发明公开

KR1020110108674A 반도체 장치의 캐패시터 제조 방법 및 이에 따라 제조된 반도체 장치의 캐패시터 有权
标题翻译：制造半导体器件的电容器和制造的半导体器件的电容器的方法
公开(公告)号：KR1020110108674A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020100028012
申请日：2010-03-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김완돈 , 이종철 , 김진용 , 김범석 , 탁용석 , 조규호 , 권오성
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： 반도체 장치의 캐패시터 제조 방법 및 이에 따라 제조된 반도체 장치의 캐패시터가 제공된다. 반도체 장치의 캐패시터 제조 방법은 반도체 기판 상에, 내부에 홀이 정의된 원통형의 고유전막 패턴을 형성하고, 고유전막 패턴이 형성된 홀 내에 하부 전극을 형성하고, 하부 전극의 상면에 블록킹 절연 패턴을 국소적으로 형성하고, 고유전막 패턴 및 블록킹 절연 패턴을 덮는 상부 전극을 형성하는 것을 포함한다.

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