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1. 发明公开

KR1020070051008A 포토레지스트 패턴 형성 방법 无效
标题翻译：形成光电子图案的方法
公开(公告)号：KR1020070051008A
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：KR1020050108343
申请日：2005-11-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김명선 , 윤상웅 , 이창호 , 이정훈 , 김영훈 , 박경실
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/312
摘要： 포토레지스트 패턴 형성 방법에서, 식각 대상막이 형성된 기판 상에 포토레지스트 수지, 광산 발생제 및 교차 결합 화합물을 포함하는 포토레지스트 막을 형성한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴을 1차 베이크 처리하여 상기 포토레지스트 패턴을 경화시키고, 상기 경화된 포토레지스트 패턴을 2차 베이크 처리하여, 상기 포토레지스트 수지와 교차 결합 화합물 사이의 교차 결합을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴을 치밀화시킨다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴은 기존의 포토레지스트 패턴 대비 치밀화된 특성을 갖는다.

2. 发明公开

KR1020070046297A 씨모스 이미지 센서 无效
公开(公告)号：KR1020070046297A
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：KR1020050102820
申请日：2005-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영훈 , 윤상웅 , 이창호 , 이정훈
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/14625
摘要： 씨모스 이미지 센서는 표면 아래에 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 형성되는 층간 절연막과, 상기 층간 절연막 상에 형성되고, 상기 포토 다이오드와 대응되는 영역에 위치하는 컬러 필터 및 상기 컬러 필터 상부에 형성되면서 상기 컬러 필터와 대응되는 영역에 위치하는 마이크로 렌즈를 포함한다. 특히, 상기 컬러 필터는 안트라센 등과 같은 흡광 성분의 물질을 포함하는 포토레지스트 조성물로 이루어진다. 그러므로, 상기 씨모스 이미지 센서의 경우에는 상기 마이크로 렌즈에 의해 집속되는 광을 보다 효율적으로 상기 포토 다이오드까지 전달할 수 있다.

3. 发明公开

KR1020070046293A 씨모스 이미지 센서 无效
公开(公告)号：KR1020070046293A
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：KR1020050102815
申请日：2005-10-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영훈 , 윤상웅 , 이창호 , 안선열 , 김명선 , 강경림
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14627
摘要： 씨모스 이미지 센서는 표면 아래에 포토 다이오드가 형성된 반도체 기판을 포함한다. 그리고, 상기 반도체 기판 상에 형성되는 층간 절연막과, 상기 층간 절연막의 상부 표면에 형성되면서 상기 포토 다이오드와 대응되는 영역에 위치하는 이너 렌즈와, 상기 이너 렌즈 상에 형성되면서 상기 이너 렌즈와 대응되는 영역에 위치하는 컬러 필터 및 상기 컬러 필터 상부에 형성되면서 상기 컬러 필터와 대응되는 영역에 위치하는 마이크로 렌즈 등을 포함한다. 특히, 상기 씨모스 이미지 센서는 상기 층간 절연막과 상기 이너 렌즈 사이 및/또는 상기 컬러 필터와 마이크로 렌즈 사이에 개재되는 평탄화막을 포함하는데, 상기 평탄화막은 집광 효율의 향상을 위하여 흡광 성분을 포함하는 물질로 이루어진다.

4. 发明授权

KR100527667B1 실리콘계 고분기 고분자 계면 활성제, 이의 제조방법 및이를 포함하는 린스용액을 이용한 린스방법 失效
标题翻译：硅氧烷聚合物表面活性剂，其制造方法和使用包含其的冲洗溶液的冲洗方法
公开(公告)号：KR100527667B1
公开(公告)日：2005-11-28
申请号：KR1020040001916
申请日：2004-01-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경미 , 김부득 , 김재호 , 김영호 , 이시용 , 윤상웅
IPC分类号： C11D1/00 , C11D11/00 , H01L21/02
CPC分类号： C08G77/50 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C08L83/06 , C11D1/008 , C11D3/373
摘要： 포토레지스트 잔류물을 용이하게 제거할 수 있는 실리콘계 고분기 고분자 계면 활성제, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 린스용액을 이용한 린스방법이 개시되어 있다. 실리콘계 고분기 고분자 계면 활성제는 하기식 (1)의 단량체를 중합하여 제조되고 소수성 및 친수성기를 포함한다.

이때, 상기식 (1)에서 R
1 은 비닐기이고, R
2 는 수소기를 의미한다. 이와 같이, 친수성 및 소수성을 갖는 실리콘계 고분기 고분자 계면활성제를 제조하여 제공함으로서 반도체 소자용 린스용액에 사용하여 잔류하는 포토레지스트 잔류물을 용이하게 제거한다.

5. 发明公开

KR1020040077454A 실리콘계 고분기 고분자 계면 활성제, 이의 제조방법 및이를 포함하는 린스용액을 이용한 린스방법 失效
标题翻译：基于硅酮的高分子量聚合物表面活性剂，其制备方法和使用含有表面活性剂的溶液的冲洗方法
公开(公告)号：KR1020040077454A
公开(公告)日：2004-09-04
申请号：KR1020040001916
申请日：2004-01-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경미 , 김부득 , 김재호 , 김영호 , 이시용 , 윤상웅
IPC分类号： C11D1/00 , C11D11/00 , H01L21/02
CPC分类号： C08G77/50 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C08L83/06 , C11D1/008 , C11D3/373 , C11D11/0047 , H01L21/02057
摘要： PURPOSE: A silicone-based highly branched polymer surfactant and preparation method thereof, and a rinsing method using a rinse solution containing the surfactant are provided to remove the hydrophobic photoresist residues with ease, by substituting the terminal group of a polymer having a hydrophobic siloxane backbone with a hydrophilic carboxyl group. CONSTITUTION: The silicone-based highly branched polymer surfactant comprising both of a hydrophilic group and a hydrophobic group is prepared by: hydrolyzing dimethylchlorosilane to form a dimethylsilanol; reacting the resulted dimethylsilanol with divinylmethylchlorosilane to obtain a monomer of methyldivinylsiloxy dimethylsilane represented by the formula 1, wherein R1 is a vinyl group and R2 is a hydric group; and carrying out polymerization process, which comprises polymerizing the monomers by hydrosilation to prepare a polymer and substituting the terminal group of the resulted polymer with a carboxylic group. The rinsing method using a rinse solution containing the surfactant comprises: forming photoresist patterns on a semiconductor substrate; applying a rinse solution comprised of the silicone-based highly branched polymer surfactant and deionized water onto the photoresist pattern and the semiconductor substrate; releasing the residues of a developing solution and photoresist from the pattern and the substrate; and removing the released residues.
摘要翻译：目的：提供一种硅基高支化聚合物表面活性剂及其制备方法，以及使用含有表面活性剂的漂洗溶液的漂洗方法，通过用具有疏水性硅氧烷主链的聚合物的末端基取代疏水性光致抗蚀剂残留物具有亲水性羧基。构成：通过以下方法制备包含亲水基团和疏水基团的硅氧烷基高支化聚合物表面活性剂：水解二甲基氯硅烷以形成二甲基硅烷醇; 使得到的二甲基硅烷醇与二乙烯基甲基氯硅烷反应，得到由式1表示的甲基二乙烯基甲硅烷氧基二甲基硅烷的单体，其中R1是乙烯基，R2是一个羟基; 并进行聚合过程，其包括通过硅氢化使单体聚合以制备聚合物并用羧基取代所得聚合物的末端基团。使用含有表面活性剂的冲洗溶液的冲洗方法包括：在半导体衬底上形成光刻胶图案; 将由硅氧烷基高分子量聚合物表面活性剂和去离子水组成的漂洗溶液施加到光致抗蚀剂图案和半导体衬底上; 从图案和衬底释放显影液和光致抗蚀剂的残留物; 并除去释放的残留物。

6. 发明授权

KR100423502B1 엘씨공진기와 차동증폭기를 이용한 전압제어발진기 有权
标题翻译： 엘씨공진기와차동증폭기를이용한전압제어발진기
公开(公告)号：KR100423502B1
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：KR1020010072471
申请日：2001-11-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박선희 , 홍성철 , 서용교 , 윤의식 , 남상민 , 전상윤 , 윤상웅
IPC分类号： H03B5/12
CPC分类号： H03K3/354 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/124
摘要： A differential type VCO (Voltage Controllable Oscillator) is disclosed. The VCO has a differential amplifier having a couple of transistors and a couple of LC tanks. At each LC tank, a transformer is connected to form a buffer. An oscillating signal is output through the buffer with no power consumption. Additionally, a capacitor is connected to the secondary coil of the transformer to form a bandpass filter, thereby attenuating a harmonic signal included in the oscillating signal.
摘要翻译：公开了一种差分型VCO（电压可控振荡器）。 VCO具有一个差分放大器，它具有一对晶体管和一对LC晶体管。在每个LC电抗器上连接一个变压器以形成一个缓冲区。振荡信号通过缓冲器输出，不消耗功率。另外，电容器连接到变压器的次级线圈以形成带通滤波器，从而衰减包含在振荡信号中的谐波信号。

7. 发明公开

KR1020010077196A 사진 공정 중 패턴 뜯김 방지용 점착성 물질 无效
标题翻译：粘附物质防止图案中的图案
公开(公告)号：KR1020010077196A
公开(公告)日：2001-08-17
申请号：KR1020000004829
申请日：2000-02-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이홍 , 윤상웅
IPC分类号： G03F7/085
CPC分类号： G03F7/085 , C08F2/50 , G03F7/0226 , G03F7/039 , G03F7/0392
摘要： PURPOSE: Provided is an adhesive substance for preventing patterns from tearing in a photolithography, which can improve adhesive property between a photoresist and a wafer by spreading the adhesive substance before spreading the photoresist. CONSTITUTION: The adhesive substance for preventing the patterns from tearing is a siloxane compound represented by the formula 1, wherein n is an integer of 3-8 and R is a halogen atom substituted or unsubstituted C2-C6 alkyl or a hydrogen atom. The adhesive substance contains an aliphatic/aromatic substituent and dose not generate ammonia gas.
摘要翻译：目的：提供一种用于防止图案在光刻中撕裂的粘合物质，其可以在铺展光致抗蚀剂之前通过铺展粘合剂物质来改善光致抗蚀剂和晶片之间的粘合性。构成：用于防止图案撕裂的粘合剂物质是由式1表示的硅氧烷化合物，其中n为3-8的整数，R为卤素原子取代或未取代的C 2 -C 6烷基或氢原子。粘合剂物质含有脂肪族/芳族取代基，不产生氨气。

8. 发明授权

KR100669143B1 폴리머막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 失效
标题翻译：用于形成聚合物层的组合物及其形成图案的方法
公开(公告)号：KR100669143B1
公开(公告)日：2007-01-15
申请号：KR1020050015332
申请日：2005-02-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김명선 , 윤상웅 , 김태영 , 김영호 , 박석봉
IPC分类号： G03F7/027
CPC分类号： G03F7/038 , C08F8/42 , C08K5/5419 , C08L71/02 , C09D125/18 , G03F7/0754 , C08L2666/22
摘要： 폴리머막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법에서, 상기 폴리머막 형성용 조성물은 폴리하이드록시 스티렌 수지와 실리콘을 포함하는 교차결합 화합물과 용매를 포함한다. 그리고, 상기 패턴형성 방법은 상기 조성물을 식각 대상물 상에 도포하여 폴리머막을 형성한 후 상기 폴리머막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴에 노출된 상기 폴리머막을 식각하여 폴리머막 패턴을 형성한다. 그러므로, 내식각성이 우수한 폴리머막을 형성할 수 있다.

9. 发明公开

KR1020060094286A 폴리머막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 失效
标题翻译：用于形成聚合物层的组合物及其形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020060094286A
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020050015332
申请日：2005-02-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김명선 , 윤상웅 , 김태영 , 김영호 , 박석봉
IPC分类号： G03F7/027
CPC分类号： G03F7/038 , C08F8/42 , C08K5/5419 , C08L71/02 , C09D125/18 , G03F7/0754 , C08L2666/22
摘要： 폴리머막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법에서, 상기 폴리머막 형성용 조성물은 폴리하이드록시 스티렌 수지와 실리콘을 포함하는 교차결합 화합물과 용매를 포함한다. 그리고, 상기 패턴형성 방법은 상기 조성물을 식각 대상물 상에 도포하여 폴리머막을 형성한 후 상기 폴리머막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴에 노출된 상기 폴리머막을 식각하여 폴리머막 패턴을 형성한다. 그러므로, 내식각성이 우수한 폴리머막을 형성할 수 있다.

10. 发明公开

KR1020030059633A 웨이퍼 가열용 열판 无效
标题翻译：加热加热板
公开(公告)号：KR1020030059633A
公开(公告)日：2003-07-10
申请号：KR1020020000231
申请日：2002-01-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최삼종 , 조규철 , 윤상웅 , 김연숙 , 한신혁
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A heat plate for heating a wafer is provided to be capable of securing the uniformity of heat distributed at the wafer by forming an additional heat coil at the center and peripheral portion of the heat plate, respectively. CONSTITUTION: A heat plate(40') for heating a wafer is provided with a plurality of closed loop type heat coils(61,62,63) having different diameters. At this time, the second closed loop type heat coil(62) has a diameter larger than that of the first closed loop type heat coil(61). At the time, the third closed loop type heat coil(63) has a diameter larger than that of the second closed loop type heat coil(62). Preferably, a plurality of connecting screws capable of controlling the distance between the center portion of the heat plate and each heat coil, are installed corresponding to each heat coil.
摘要翻译：目的：提供用于加热晶片的加热板，以便能够通过在加热板的中心和周边部分处形成额外的热线圈来确保分布在晶片上的热量的均匀性。构成：用于加热晶片的加热板（40'）设置有具有不同直径的多个闭环型热线圈（61,62,63）。此时，第二闭环式热线圈（62）的直径大于第一闭环式热线圈（61）的直径。此时，第三闭环式热线圈（63）的直径大于第二闭环式热线圈（62）的直径。优选地，对应于每个热线圈安装能够控制加热板的中心部分和每个热线圈之间的距离的多个连接螺钉。

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