专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020050110470A 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법 无效
标题翻译：用于清洁半导体衬底的组合物，用于清洁半导体衬底的方法和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020050110470A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：KR1020040035495
申请日：2004-05-19
申请人： 솔브레인 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 이광욱 , 황인석 , 이금주 , 송창룡 , 고용선 , 백귀종 , 한웅
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02071 , C11D3/0084 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/106
摘要： 금속층 및 산화막의 손상을 최소화하면서 반도체 기판 상에 잔류하는 불순물의 제거 효과가 우수한 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및 반도체 장치 제조 방법에서, 상기 세정액 조성물은 산성수용액에 부식방지제를 첨가하여 제조한다. 반도체 기판의 건식식각 공정 후, 반도체 기판 표면 세정에 상기 세정액 조성물을 사용하면 금속층 및 산화막의 손상을 최소화하고 기판상에 잔류하는 불순물의 제거를 용이하게 할 수 있다. 이에 따라 반도체 장치의 불량을 방지함과 동시에 반도체 기판의 세정 시간을 단축할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020020005851A 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 및 그 형성방법 无效
标题翻译： TRENCH隔离型半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020005851A
公开(公告)日：2002-01-18
申请号：KR1020000039319
申请日：2000-07-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이금주 , 박태서 , 권영민 , 문봉호 , 황인석 , 송창룡
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76224
摘要： PURPOSE: A trench isolation type semiconductor device and a fabricating method thereof are provided to prevent a dent phenomenon by using a pull-back method. CONSTITUTION: A trench is formed by etching the silicon substrate(30) including an etch protection layer pattern formed on an active region. A thermal oxide layer is formed on a sidewall of the trench. A reduced pattern is formed by etching the etch protection layer pattern. A liner layer(39') for oxygen barrier is deposited on the thermal oxide layer of the silicon substrate(30). A CVD(Chemical Vapor Deposition) silicon oxide layer is deposited on the silicon substrate(30) including the liner layer in order to fill the trench. An isolation layer(41) is formed by removing the CVD silicon oxide layer. The reduced pattern is removed. A buffer insulating layer(51) is formed on the active region of the silicon substrate(30).
摘要翻译：目的：提供沟槽隔离型半导体器件及其制造方法，以通过使用回拉法来防止凹陷现象。构成：通过蚀刻包括形成在有源区上的蚀刻保护层图案的硅衬底（30）形成沟槽。在该沟槽的侧壁上形成热氧化层。通过蚀刻蚀刻保护层图案形成缩小图案。用于氧阻隔的衬垫层（39'）沉积在硅衬底（30）的热氧化物层上。为了填充沟槽，在包括衬垫层的硅衬底（30）上沉积CVD（化学气相沉积）氧化硅层。通过去除CVD氧化硅层形成隔离层（41）。减少的图案被去除。在硅衬底（30）的有源区上形成缓冲绝缘层（51）。

3. 发明公开

KR1019960005819A 반도체 기판의 세정방법 및 이에 사용되는 세정액 失效
标题翻译：半导体衬底和其中使用的清洗液的清洗方法
公开(公告)号：KR1019960005819A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940016452
申请日：1994-07-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남재우 , 권명민 , 송창룡
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 반도체 기판 세정방법과 이에 사용되는 세정액이 개시되어 있다. 반도체 기판, 특히 폴리사이드 구조가 형성되어 있는 반도체 기판을 TC-1 새정액을 사용하여 세정한다. 상기 TC-l 세정액은 사에딜 수산화 앙모늄 수용액과 과산화수소 수용액을 순수물과 혼합한 알카리계 세정액이다. 본 발명에 따르면, TC-1 세정액을 사용한 세정방법은 폴리사이드 배선의 텅스덴 실리사이드층 및 BPSG층에 대해서도 식각성이 거의 없을뿐만 아나라, 반도체 제조공정 중 발생하는 파티클, 폴리머 및 금속성 불순물들을 충분히 제거할 수 있다.

4. 发明授权

KR100058461B1 세정공정시 건조방법 失效
标题翻译：干燥过程
公开(公告)号：KR100058461B1
公开(公告)日：1993-01-18
申请号：KR1019890020719
申请日：1989-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고용선 , 송창룡
IPC分类号： H01L21/30

5. 发明公开

KR1019920020628A 웨이퍼 세정 장치 无效
公开(公告)号：KR1019920020628A
公开(公告)日：1992-11-21
申请号：KR1019910006343
申请日：1991-04-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고용선 , 송창룡
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 내용 없음

6. 发明授权

KR1019920006188B1 반도체소자의 제조방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1019920006188B1
公开(公告)日：1992-08-01
申请号：KR1019890020714
申请日：1989-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심태언 , 송창룡 , 고용선
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/04
摘要： The method for producing a semiconductor device is characterized by growing a field oxide film (101) on a silicon substrate (100) by the selective oxidation, forming a first oxide film (OX1) on the substrate by the irradiation of UV under O2 or O3 atmosphere of at most 300 deg.C, forming a nitride film (N) on the film (OX1) by the LPCVD, growing a second oxide film (OX2) on the film (N) to form a dielectric film of (OX1)/(N)/(OX2) structure, and forming a capacitor upper substrate (11) on the dielectric film. The device can increase a memory capacity.
摘要翻译：半导体器件的制造方法的特征在于，通过选择性氧化在硅衬底（100）上生长场氧化膜（101），通过在O 2或O 3下的UV照射在衬底上形成第一氧化膜（OX1）气氛为300℃以下，通过LPCVD在膜（OX1）上形成氮化物膜（N），在膜（N）上生长第二氧化膜（OX2），形成（OX1）/ （N）/（OX2）结构，并且在电介质膜上形成电容器上基板（11）。该设备可以增加内存容量。

7. 实用新型

KR2019920005325U 습식세정장치 失效
标题翻译：湿式洗涤器
公开(公告)号：KR2019920005325U
公开(公告)日：1992-03-26
申请号：KR2019900012330
申请日：1990-08-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오영선 , 송창룡
IPC分类号： H01L21/304

8. 发明授权

KR100031975B1 반도체 다층배선 장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100031975B1
公开(公告)日：1990-03-02
申请号：KR1019870005960
申请日：1987-06-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송창룡 , 안용철 , 박문진
IPC分类号： H01L21/60

9. 发明公开

KR1020040017761A 유기 스트리핑 조성물 및 이를 사용한 산화물 식각 방법 失效
标题翻译：有机剥离组合物和使用该方法蚀刻氧化物的方法
公开(公告)号：KR1020040017761A
公开(公告)日：2004-02-27
申请号：KR1020020050200
申请日：2002-08-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태현 , 송창룡 , 고용선 , 윤병문 , 김경현
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/28
摘要： PURPOSE: An organic stripping composition and a method for etching oxide using the same are provided to be capable of completely removing polymer residues of the oxide, restraining an Si pitting phenomenon, and preventing the damage of metal. CONSTITUTION: An organic stripping composition is obtained by adding an oxidizing agent to a predetermined composition. At this time, the predetermined composition includes the first compound containing hydroxy ion(OH-) and the second compound containing fluorine ion(F-). At the time, the oxidizing agent is used for conserving the pH of the organic stripping composition in the range of 6.5-8.0. Preferably, HNO3 is used as the oxidizing agent. Preferably, the pH of the oxidizing agent is in the range of 6.5-7.0.
摘要翻译：目的：提供有机剥离组合物和使用其的氧化物蚀刻方法，以能够完全除去氧化物的聚合物残留物，抑制Si点蚀现象，并防止金属的损伤。构成：通过将氧化剂加入到预定的组合物中而获得有机剥离组合物。此时，预定组成包括含有羟基离子（OH-）的第一化合物和含氟离子（F-）的第二化合物。此时，氧化剂用于将有机剥离组合物的pH值保持在6.5-8.0的范围内。优选使用HNO 3作为氧化剂。优选地，氧化剂的pH在6.5-7.0的范围内。

10. 发明公开

KR1020010036269A 챔퍼가 형성된 금속 실리사이드층을 갖춘 반도체소자의 제조방법 失效
标题翻译：形成具有CHAMFER的金属硅化物层的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020010036269A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990043209
申请日：1999-10-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이금주 , 황인석 , 고용선 , 송창룡
IPC分类号： H01L21/24
CPC分类号： H01L29/42376 , H01L21/28061 , H01L21/28114 , H01L21/32134 , H01L21/32139 , H01L21/76897 , H01L27/10873
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device is provided to ensure necessary insulation length between a lower conducting layer and a self-adjusting contact in a self-contact forming process. CONSTITUTION: A mask pattern(20) is formed on a metal silicide layer to expose a portion of the first metal silicide layer(14). The first etching solution(40) is used to perform an isotropic etching to an exposed portion of the first metal silicide layer(14) to form the second metal silicide layer(15). The second metal silicide layer(15) has a shallow groove(44). The second etching solution is used to remove defects due to silicon components residing on the surface of the second metal silicide layer(15). Then, the third metal silicide layer(16) is formed with a smooth surface(16s). The third metal silicide layer and a polysilicon layers(12) is etched to form a gate structure.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法，以在自接触形成过程中确保下导电层和自调节接触之间的必要绝缘长度。构成：在金属硅化物层上形成掩模图案（20）以暴露第一金属硅化物层（14）的一部分。第一蚀刻溶液（40）用于对第一金属硅化物层（14）的暴露部分进行各向同性蚀刻，以形成第二金属硅化物层（15）。第二金属硅化物层（15）具有浅槽（44）。第二蚀刻溶液用于除去驻留在第二金属硅化物层（15）的表面上的硅成分引起的缺陷。然后，第三金属硅化物层（16）形成有平滑表面（16s）。蚀刻第三金属硅化物层和多晶硅层（12）以形成栅极结构。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式