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1. 发明授权

KR100416733B1 강유전성캐패시터 失效
标题翻译：具有Rh的上电极和下电极的电介质电容器
公开(公告)号：KR100416733B1
公开(公告)日：2004-07-05
申请号：KR1019960007560
申请日：1996-03-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이준기 , 정일섭 , 세슈비.데스
IPC分类号： H01L29/92
CPC分类号： H01L28/75 , H01L28/55 , H01L28/60
摘要： PURPOSE: A ferroelectric capacitor is provided to restrain the degradation of characteristics due to the diffusion of Ti from a conventional adhesive layer by forming upper and lower electrodes using Rh. CONSTITUTION: A ferroelectric capacitor includes a substrate(10), an RhOx insulating layer(20) on the substrate, an Rh lower electrode(40) on the insulating layer via an RhOx or Ti adhesive layer(30), a ferroelectric layer(50) on the Rh lower electrode, and an Rh upper electrode(60) on the ferroelectric layer. The RhOx adhesive layer is made of RhO2 and Rh2O3.
摘要翻译：目的：提供一种铁电电容器，通过使用Rh形成上下电极，抑制由于常规粘合剂层的Ti的扩散引起的特性劣化。构成：铁电电容器包括基板（10），基板上的RhOx绝缘层（20），经由RhOx或Ti粘合剂层（30）在绝缘层上的Rh下电极（40），铁电体层（50））和在Rh电极上的Rh上电极（60）。 RhOx粘合剂层由RhO 2和Rh 2 O 3制成。

3. 发明公开

KR1019960036154A 강유전성캐패시터 失效
标题翻译：铁电电容器
公开(公告)号：KR1019960036154A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019960007560
申请日：1996-03-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이준기 , 정일섭 , 세슈비.데스
IPC分类号： H01L29/92
摘要： 본 발명은 FRAM(Ferroelsctric Random Acess Memory)에 메모리 셀로 사용되는 강유전성 캐패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명 캐패시터는 기판과 ; 상기 기판 상에 형성되는 절연층 ; 상기 절연층 상에 마련되는 Rh 하부 전극 ; 상기 절연층과 상기 Rh 하부 전극 사이에 개재되는 접착층 ; 상기 Rh 하부 전극 상에 마련되는 강유전체층 ; 및 상기 강유전체층의 위에 마련되는 Rh 상부 전극 ; 을 구비한다. 이러한 본 발명 강유전성 개패시터은, 전극 소재 사용되는 Rh가 기존의 전극으로 사용되는 Pt에 비해 조직이 치밀하기 때문에 접착층의 소재로 사용되는 Ti의 확산에 매우 강하며, 또한 전기 전도도 및 열전달 특성이 우수하여 전기적 특성에 있어서 월등하다.

4. 发明公开

KR1019960029903A 반응성 이온 에칭을 이용한 강유전체 박막의 에칭방법 无效
标题翻译：反应离子刻蚀法刻蚀铁电薄膜
公开(公告)号：KR1019960029903A
公开(公告)日：1996-08-17
申请号：KR1019950001803
申请日：1995-01-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정지원 , 세슈비.데스 , 웨이팬
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 본 발명은 반응성 이온 에칭을 이용한 강유전체 박막의 에칭방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 반응성 이온 에칭을 이용한 강유전체 박막의 에칭방법에 있어서, CHCIFCF
3 가스를 반응가스로 사용하여 강유전체 박막을 에칭시키는 것으로 이루어지므로써 에칭가스에 의한 환경 오염을 극소화시키고 에칭에 따른 강유전체 캐패시터에로의 에칭 데미지를 최소화시키며 에칭을 최적화시킬 수 있는 잇점이 있다.

5. 发明授权

KR100319915B1 FRAM의제조방법 失效
标题翻译： FRAM的制造方法
公开(公告)号：KR100319915B1
公开(公告)日：2002-08-09
申请号：KR1019950030691
申请日：1995-09-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유인경 , 김창정 , 세슈비.데스
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본 발명은 FRAM의 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 기판 상에 제1 전극, 강유전체 박막 및 제2 전극을 순차적으로 형성시키는 단계 및 상기 단계에서 형성된 일전극에 10V 이하의 직류 전압을 인가하는 분극 전처리 공정을 반복하는 단계를 통하여 제조되는 FRAM은 그 커패시터의 강유전체에 흐르는 과도 전류가 매우 적다. 따라서, 본 발명에 따라 제조된 FRAM에 정보를 기록하면 노이즈의 발생의 문제가 크게 줄어드는 장점이 있다.

6. 发明授权

KR100326585B1 강유전체캐패시터의제조방법 失效
标题翻译：制造铁电电容器的方法
公开(公告)号：KR100326585B1
公开(公告)日：2002-08-08
申请号：KR1019950001804
申请日：1995-01-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정일섭 , 유인경 , 세슈비.데스
IPC分类号： H01G4/018
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a ferroelectric capacitor is provided to change a contact characteristic between a conductive oxide layer and a metal electrode layer and a physical characteristic of a ferroelectric body by depositing the conductive oxide layer on the metal electrode layer without performing a thermal process for the metal electrode layer. CONSTITUTION: A titanium layer(1) is deposited on an upper surface of an SiO2/Si substrate(7). A lower metal layer(2) is deposited on the titanium layer(1). A conductive oxide layer(3) is deposited on the lower metal layer(2) by using a reactive sputtering method or a MOCVD method. The conductive oxide layer(3) is formed with one selected from a group including RuO2-x, IrO2-x, and RhO2-x. A ferroelectric layer is deposited on the conductive oxide layer(3) by using a spin coating method. A conductive oxide layer is deposited on the ferroelectric layer. An upper metal layer is deposited on the conductive oxide layer.

7. 发明公开

KR1019970018565A FRAM의제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019970018565A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950030691
申请日：1995-09-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유인경 , 김창정 , 세슈비.데스
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본 발명은 FRAM의 제조방법에 관한 것이다. 반도체기판 상에 제1전극, 강유전체 박막 및 제2전극을 순차적으로 형성시키는 단계 및 상기 단계에서 형성된 일전극에 10V 이하의 직류 전압을 인가하는 분극 전처리 공정을 반복하는 단계를 통하여 제조되는 FRAM은 그 커패시터의 강유전체에 흐르는 과도 전류가 매우 적다. 따라서 본 발명에 따라 제조된 FRAM에 정보를 기록하면 노이즈의 발생의 문제가 크게 줄어드는 장점이 있다.

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