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1. 发明授权

KR100780759B1 박막 트랜지스터 어레이 검사장치 失效
标题翻译： TFT阵列检测仪
公开(公告)号：KR100780759B1
公开(公告)日：2007-11-30
申请号：KR1020050006443
申请日：2005-01-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최호석 , 바실리레니아신 , 안형민 , 하정수 , 안토노브설지이 , 송미정
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/28 , H01J2237/20207 , H01J2237/2817
摘要： 박막 트랜지스터 어레이를 수평위치 및 경사위치 모두에서 검사할 수 있도록 한 박막 트랜지스터 어레이 검사장치가 개시된다. 본 발명의 박막 트랜지스터 어레이 검사장치는 진공챔버, 진공챔버의 하부에 배치되며 박막 트랜지스터 어레이가 안치되는 스테이지, 스테이지와 대향되게 진공챔버의 상부에 배치되어 박막 트랜지스터 어레이로 전자빔을 쏘아주는 전자총, 스테이지의 일측단부의 상방에 배치되어 전자빔에 의해 박막 트랜지스터 어레이에서 방출되는 2차 전자를 검출하는 전자 검출유닛, 스테이지의 타측단부의 하부에 배치되어 박막 트랜지스터 어레이를 수평위치와 일정각도의 경사위치 사이에서 위치변경 가능하게 하는 승강유닛을 구비한다.

2. 发明公开

KR1020060085536A 박막 트랜지스터 어레이 검사장치 失效
标题翻译： TFT阵列检测设备
公开(公告)号：KR1020060085536A
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：KR1020050006443
申请日：2005-01-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최호석 , 바실리레니아신 , 안형민 , 하정수 , 안토노브설지이 , 송미정
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/28 , H01J2237/20207 , H01J2237/2817
摘要： 박막 트랜지스터 어레이를 수평위치 및 경사위치 모두에서 검사할 수 있도록 한 박막 트랜지스터 어레이 검사장치가 개시된다. 본 발명의 박막 트랜지스터 어레이 검사장치는 진공챔버, 진공챔버의 하부에 배치되며 박막 트랜지스터 어레이가 안치되는 스테이지, 스테이지와 대향되게 진공챔버의 상부에 배치되어 박막 트랜지스터 어레이로 전자빔을 쏘아주는 전자총, 스테이지의 일측단부의 상방에 배치되어 전자빔에 의해 박막 트랜지스터 어레이에서 방출되는 2차 전자를 검출하는 전자 검출유닛, 스테이지의 타측단부의 하부에 배치되어 박막 트랜지스터 어레이를 수평위치와 일정각도의 경사위치 사이에서 위치변경 가능하게 하는 승강유닛을 구비한다.

3. 发明授权

KR100682937B1 상전이 메모리 소자 및 제조방법 失效
标题翻译：相变存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100682937B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050013143
申请日：2005-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서동석 , 강윤호 , 바실리레니아신 , 송미정 , 안토노브세르게이
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/16
摘要： 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 제1전극 상에 형성된 유전층; 상기 유전층에 형성된 콘택홀에 형성된 도전성 콘택; 상기 유전층 상에서 상기 콘택을 덮는 상전이 물질막; 상기 상전이 물질막 상에 형성된 제2전극; 및 상기 제1전극에 전기적으로 연결되는 트랜지스터;를 구비한다. 상기 도전성 콘택의 폭은 30 nm 이하로 형성된다.

4. 发明公开

KR1020060092551A 상전이 메모리 소자 및 제조방법 有权
标题翻译：相变存储元件和制造方法
公开(公告)号：KR1020060092551A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：KR1020050013531
申请日：2005-02-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서동석 , 강윤호 , 노진서 , 바실리레니아신 , 송미정
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691 , Y10S977/754
摘要： 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 기판에 형성된 트랜지스터; 상기 기판 상에서 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제1전극; 상기 제1전극 상에 수직으로 형성된 상전이 물질막; 상기 상전이 물질막 상에 형성된 제2전극;을 구비한다. 상기 상전이 물질막 및 상기 제2전극 사이의 콘택영역의 일 폭은 30 nm 이하로 형성된다.
摘要翻译：公开了一种相变存储元件及其制造方法。公开的相变存储元件包括：形成在衬底上的晶体管; 电连接到衬底上的晶体管的第一电极; 垂直形成在第一电极上的相变材料层; 并且在相变材料膜上形成第二电极。并且相变材料膜和第二电极之间的接触区域的宽度为30nm或更小。

5. 发明公开

KR1020080038547A 잉크젯 화상형성장치 및 그 인쇄 방법 无效
标题翻译：喷墨图像形成装置和使用其的打印方法
公开(公告)号：KR1020080038547A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020060105549
申请日：2006-10-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이유섭 , 이방원 , 바실리레니아신
IPC分类号： B41J2/07 , B41J2/01
CPC分类号： B41J2/155 , B41J2202/20
摘要： An inkjet image forming apparatus and a printing method using the same are provided to reduce mechanism vibrations and increase printing speed by translating a plurality of nozzle parts in opposite directions. An inkjet image forming apparatus includes a first moving device and a second moving device which are separately provided. The first moving device moves a first nozzle part(310). The second moving device moves a second nozzle part(320). The first nozzle device includes a first actuator(410a), and a first guide device(430a). The first actuator pushes the first nozzle part. The first guide device guides movement of the first nozzle part. The second moving device includes a second actuator(410b), and a second guide device(430b). The second actuator pushes the second nozzle part. The second guide device guides movement of the second nozzle part.
摘要翻译：提供一种喷墨图像形成装置和使用该喷墨图像形成装置的打印方法，以通过在相反方向上平移多个喷嘴部分来减少机构振动并提高打印速度。喷墨图像形成装置包括分开设置的第一移动装置和第二移动装置。第一移动装置移动第一喷嘴部分（310）。第二移动装置移动第二喷嘴部分（320）。第一喷嘴装置包括第一致动器（410a）和第一引导装置（430a）。第一执行器推动第一喷嘴部分。第一引导装置引导第一喷嘴部的运动。第二移动装置包括第二致动器（410b）和第二引导装置（430b）。第二执行器推动第二喷嘴部分。第二引导装置引导第二喷嘴部的运动。

6. 发明授权

KR100707182B1 상전이 메모리 소자 및 제조방법 有权
公开(公告)号：KR100707182B1
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020050013531
申请日：2005-02-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서동석 , 강윤호 , 노진서 , 바실리레니아신 , 송미정
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691 , Y10S977/754
摘要： 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 기판에 형성된 트랜지스터; 상기 기판 상에서 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제1전극; 상기 제1전극 상에 수직으로 형성된 상전이 물질막; 상기 상전이 물질막 상에 형성된 제2전극;을 구비한다. 상기 상전이 물질막 및 상기 제2전극 사이의 콘택영역의 일 폭은 30 nm 이하로 형성된다.

7. 发明公开

KR1020060092398A 상전이 메모리 소자 및 제조방법 失效
标题翻译：相变存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060092398A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：KR1020050013143
申请日：2005-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서동석 , 강윤호 , 바실리레니아신 , 송미정 , 안토노브세르게이
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/16
摘要： 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 제1전극 상에 형성된 유전층; 상기 유전층에 형성된 콘택홀에 형성된 도전성 콘택; 상기 유전층 상에서 상기 콘택을 덮는 상전이 물질막; 상기 상전이 물질막 상에 형성된 제2전극; 및 상기 제1전극에 전기적으로 연결되는 트랜지스터;를 구비한다. 상기 도전성 콘택의 폭은 30 nm 이하로 형성된다.

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