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1. 发明公开

KR1020090023939A 전기적 퓨즈 소자 失效
标题翻译：电熔丝器件
公开(公告)号：KR1020090023939A
公开(公告)日：2009-03-06
申请号：KR1020070089078
申请日：2007-09-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신동석 , 김태범 , 신홍재
IPC分类号： H01H85/02 , H01H85/00
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L23/5258 , H01L27/112 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An electric fuse device is provided to uniformize current density inside a fuse link by arranging one of a first cathode contract and a first anode contact cross a virtual extension surface of the fuse link. An anode(A) and a cathode(C) are located on a substrate. The anode and the cathode are separated each other. A fuse link is positioned between the anode and the cathode. The fuse link connects the anode and the cathode. The first cathode contact(135C1) connects the cathode. The first anode contact(135A1) is connected to the anode. At least one of the first cathode contact and the first anode contact crosses the virtual extension surface of the fuse link. A first direction width of at least one contact is larger than the first direction width of the fuse link.
摘要翻译：提供电熔丝装置，通过将第一阴极合约和第一阳极触点中的一个跨过熔断体的虚拟延伸表面来均匀化熔丝链内的电流密度。阳极（A）和阴极（C）位于基板上。阳极和阴极彼此分离。一个熔断体位于阳极和阴极之间。保险丝连接阳极和阴极。第一阴极接触件（135C1）连接阴极。第一阳极触点（135A1）连接到阳极。第一阴极接触件和第一阳极接触件中的至少一个穿过熔断体的虚拟延伸表面。至少一个触点的第一方向宽度大于熔丝链的第一方向宽度。

2. 发明公开

KR1020090014824A 반도체 장치 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR1020090014824A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：KR1020070079098
申请日：2007-08-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이경우 , 김태범 , 신홍재
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device and a method of formation thereof are provided to increase the electron movement in the region contacting with the dummy contact plug or the region adjacent to the dummy contact plug and to cut smoothly the fuse structure. The fuse structure(120) formed on the substrate is covered by the interlayer insulating film(130). The first contact plug(151), and the second contact plug(152) and the third contact plug(153) are connected to the fuse structure through the interlayer insulating film. The first conductive pattern and the second conductive pattern are arranged on the interlayer insulating film. The first conductive pattern(161) and the second conductive pattern(162) are electrically connected to the first contact plug and the second contact plug. The third contact plug is arranged between the first contact plug and the second contact plug.
摘要翻译：提供半导体器件及其形成方法以增加与虚拟接触插塞或与虚拟接触插塞相邻的区域接触的区域中的电子移动并平滑地切割熔丝结构。形成在基板上的熔丝结构（120）被层间绝缘膜（130）覆盖。第一接触插塞（151）和第二接触插塞（152）和第三接触插塞（153）通过层间绝缘膜连接到熔丝结构。第一导电图案和第二导电图案布置在层间绝缘膜上。第一导电图案（161）和第二导电图案（162）电连接到第一接触插塞和第二接触插塞。第三接触插塞设置在第一接触插塞和第二接触插塞之间。

3. 发明授权

KR101219437B1 전기적 퓨즈 소자 失效
标题翻译：电熔丝装置
公开(公告)号：KR101219437B1
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：KR1020070089078
申请日：2007-09-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신동석 , 김태범 , 신홍재
IPC分类号： H01H85/02 , H01H85/00
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L23/5258 , H01L27/112 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 전기적 퓨즈 소자를 제공한다. 상기 퓨즈 소자는 기판 상에 서로 이격하여 위치하는 애노드 및 캐소드를 구비한다. 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에, 상기 애노드 및 상기 캐소드에 접속하는 퓨즈 링크가 위치한다. 상기 캐소드 상에 제1 캐소드 콘택이 접속한다. 상기 애노드 상에 제1 애노드 콘택이 접속한다. 상기 제1 캐소드 콘택과 상기 제1 애노드 콘택 중 적어도 하나는 상기 퓨즈 링크의 제1 방향 폭보다 큰 제1 방향 폭을 갖고, 상기 퓨즈 링크의 가상 연장면을 가로지르도록 배치된다.

4. 发明公开

KR1020090004157A 비휘발성 메모리 및 버퍼 메모리를 포함하는 메모리 시스템및 그것의 데이터 읽기 방법 有权
标题翻译：具有非易失性存储器和缓冲存储器的存储器系统及其数据读取方法
公开(公告)号：KR1020090004157A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020070068149
申请日：2007-07-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍성백 , 남혜정 , 나세욱 , 이시윤 , 김태범
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/34 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/26 , G06F12/0862 , G06F12/0866 , G06F2212/2022
摘要： A memory system having nonvolatile memory and buffer memory and data read method thereof is provided to perform different reading according to the pattern of data by determining whether the prefetch operation is performed or not according to the data size. A controller checks the assigned state of the start address allotted to a buffer memory(S110), and it checks the presence of the addresses corresponding to data from the address mapping table to the start address and from the start address to 30 sectors. The controller determines the heat(Hit) of the buffer memory according to the search result(S120). The controller transmits data from the start address to 30 sectors from the buffer memory to a host according to the hit status of the buffer memory(S160).
摘要翻译：提供了具有非易失性存储器和缓冲存储器及其数据读取方法的存储器系统，以根据数据大小确定是否执行预取操作，根据数据模式执行不同的读取。控制器检查分配给缓冲存储器的起始地址的分配状态（S110），并且它检查与地址映射表中的数据对应的地址到起始地址以及从起始地址到30个扇区的存在。控制器根据搜索结果确定缓冲存储器的热（命中）（S120）。控制器根据缓冲存储器的命中状态从缓冲存储器向主机发送从起始地址到30个扇区的数据（S160）。

5. 发明公开

KR1020080012691A 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 및 그에 의해 제조된반도체 집적 회로 장치 有权
标题翻译：半导体集成电路器件的制造方法及其制造的半导体集成电路器件
公开(公告)号：KR1020080012691A
公开(公告)日：2008-02-12
申请号：KR1020060073912
申请日：2006-08-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정용국 , 김태범 , 신동석
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/7843 , H01L21/76801 , H01L21/76829
摘要： A method for fabricating a semiconductor integrated circuit device is provided to prevent moisture or external ions from penetrating the inside of a first interlayer dielectric by forming a contact in the first interlayer dielectric covering NMOS and PMOS transistors and by dehydrogenating the first interlayer dielectric. An NMOS transistor(100) is formed on a semiconductor substrate(10). A first interlayer dielectric(320) with predetermined stress is formed on the NMOS transistor. A contact(328) connected to the NMOS transistor is formed in the first interlayer dielectric. The first interlayer dielectric is dehydrogenated to vary the stress. A capping layer is formed on the first interlayer dielectric by an in-situ method to prevent moisture or external ions from penetrating the first interlayer dielectric.
摘要翻译：提供一种制造半导体集成电路器件的方法，以通过在覆盖NMOS和PMOS晶体管的第一层间电介质中形成接触并通过使第一层间电介质脱氢来防止水分或外部离子穿透第一层间电介质的内部。在半导体衬底（10）上形成NMOS晶体管（100）。在NMOS晶体管上形成具有预定应力的第一层间电介质（320）。连接到NMOS晶体管的触点（328）形成在第一层间电介质中。将第一层间电介质脱氢以改变应力。通过原位方法在第一层间电介质上形成覆盖层，以防止水分或外部离子穿透第一层间电介质。

6. 发明授权

KR101354585B1 반도체 장치 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其形成方法
公开(公告)号：KR101354585B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020070079098
申请日：2007-08-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이경우 , 김태범 , 신홍재
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체 장치 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는 기판 상에 위치하는 퓨즈 구조물을 포함한다. 층간 절연막이 상기 퓨즈 구조물을 덮는다. 제 1 콘택 플러그, 제 2 콘택 플러그 및 제 3 콘택 플러그가 상기 층간절연막을 관통하여 상기 퓨즈 구조물에 연결된다. 상기 제 1 콘택 플러그 및 상기 제 2 콘택 플러그와 각각 전기적으로 연결되는 제 1 도전 패턴 및 제 2 도전 패턴이 상기 층간절연막 상에 배치된다.
퓨즈, 더미 콘택 플러그, 전자 이동

7. 发明公开

KR1020030061159A 아이이이이802.11 맥 웹 알고리즘을 위한 하드웨어 无效
标题翻译：用于IEEE 802.11 MAC WEP算法的硬件
公开(公告)号：KR1020030061159A
公开(公告)日：2003-07-18
申请号：KR1020020001698
申请日：2002-01-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태범 , 남경완
IPC分类号： H04L12/46
摘要： PURPOSE: Hardware for IEEE 802.11 MAC WEP(Wired Equivalent Privacy) algorithm is provided to make a state table with a register file, and to implement a WEP algorithm, thereby completing a key setup phase during 256 hardware cycles after determining a secret key and creating 1 pseudo-random number during 1 hardware cycle. CONSTITUTION: A register file(11) comprises as follows. The first write address terminal(W1ADDR) receives the first address. The first read address terminal(R1ADDR) receives the first address. The first data output terminal(R1DATA) outputs data stored in the first address inputted to the first read address terminal(R1ADDR). The second data input terminal(W2DATA) receives the data outputted from the first data output terminal(R1DATA). The second write address terminal(W2ADDR) receives the second address. The second read address terminal(R2ADDR) receives the second address. The second data output terminal(R2DATA) outputs data stored in the second address inputted to the second read address terminal(R2ADDR). The first data input terminal(W1DATA) receives the data outputted from the second data output terminal(R2DATA).
摘要翻译：目的：提供用于IEEE 802.11 MAC WEP（有线等效保密）算法的硬件，以形成具有寄存器文件的状态表，并实现WEP算法，从而在确定密钥并创建后的256个硬件周期内完成密钥建立阶段 1个伪随机数在1个硬件周期。构成：寄存器文件（11）包括如下。第一个写入地址终端（W1ADDR）接收第一个地址。第一个读取地址终端（R1ADDR）接收第一个地址。第一数据输出端（R1DATA）输出存储在输入到第一读地址端（R1ADDR）的第一地址中的数据。第二数据输入端子（W2DATA）接收从第一数据输出端子（R1DATA）输出的数据。第二写地址终端（W2ADDR）接收第二地址。第二读地址终端（R2ADDR）接收第二地址。第二数据输出端子（R2DATA）输出存储在输入到第二读地址端子（R2ADDR）的第二地址中的数据。第一数据输入端子（W1DATA）接收从第二数据输出端子（R2DATA）输出的数据。

8. 发明公开

KR1019980063129A 풍향각도 조절장치 无效
标题翻译：风向角度调整装置
公开(公告)号：KR1019980063129A
公开(公告)日：1998-10-07
申请号：KR1019960082575
申请日：1996-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태범
IPC分类号： F04D27/00
摘要： 본 발명은 냉,난방 조절장치의 풍향각도를 자유롭게 조절하여 최적효율의 풍향각도로 바람을 보내도록 하는 것으로 기존 냉,난방장치의 송풍은 제작시 결정된 범위에서 동작되어 불필요한 각도에서 송풍동작이 이루어지는 문제점이 있었다.
본 발명은 송풍각도를 조절하는 각도 조절스위치를 구비하고 송풍방향이 정면을 향할 때 중심위치 신호를 발생시키는 중심위치 신호 발생기를 구비하며 각도조절 스위치의 선택각도를 시간으로 계산하고 중심위치 신호를 받아 계산된 각도에서 반전신호를 발생시키는 반전신호 발생기를 구비하고 상기 반전신호에 따라 풍향각도를 반전시키는 모터를 구비하므로써 이루어지며 사용자가 설정한 유효 각도내에서만 송풍이 이루어져 에너지 효율을 극대화시킬 수 있다.

9. 发明授权

KR101300657B1 비휘발성 메모리 및 버퍼 메모리를 포함하는 메모리 시스템및 그것의 데이터 읽기 방법 有权
标题翻译：具有非易失性存储器和缓冲存储器的存储器系统及其数据读取方法
公开(公告)号：KR101300657B1
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：KR1020070068149
申请日：2007-07-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍성백 , 남혜정 , 나세욱 , 이시윤 , 김태범
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/34 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/26 , G06F12/0862 , G06F12/0866 , G06F2212/2022
摘要： 발명에 따른 버퍼 메모리 및 비휘발성 메모리를 포함하는 메모리 시스템의 읽기 방법은: 읽기 요청시 입력된 어드레스가 상기 버퍼 메모리에 할당되었는지 검색하는 단계; 상기 검색결과로서 상기 입력된 어드레스가 상기 버퍼 메모리에 할당되어 있지 않다면, 요청된 데이터의 크기가 기준 값보다 큰지를 판별하는 단계; 및 상기 판별결과로서 상기 요청된 데이터의 크기가 상기 기준 값보다 클 때, 상기 비휘발성 메모리에 대하여 프리페치 읽기 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
프리페치, 플래시

10. 发明授权

KR100834737B1 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 및 그에 의해 제조된반도체 집적 회로 장치 有权
标题翻译：用于半导体集成电路器件的制造方法和由其制造的半导体集成电路器件
公开(公告)号：KR100834737B1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：KR1020060073912
申请日：2006-08-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정용국 , 김태범 , 신동석
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8238
摘要： 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법이 제공된다. 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법은 반도체 기판 상에 NMOS 트랜지스터를 형성하고, NMOS 트랜지스터 상에 인장 스트레스를 갖는 제1 층간 절연막을 형성하고, 제1 층간 절연막 내에 상기 NMOS 트랜지스터와 연결되는 콘택을 형성하고, 제1 층간 절연막을 탈수소화하여 인장 스트레스를 변화시키는 것을 포함한다.
층간 절연막, 탈수소화, 플라즈마 처리, UV 처리, 열처리

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