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1. 发明公开

KR1020050059451A 기판 가공 공정의 종점 검출 장치 无效
标题翻译：用于检测基板制造工艺中的端点的装置
公开(公告)号：KR1020050059451A
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：KR1020030091071
申请日：2003-12-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강현규 , 허노현 , 김용진 , 김귀상 , 채승기
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： G05D23/22 , G05D23/1934
摘要： 종점 검출 장치는 플라즈마를 이용하여 반도체 기판에 대한 가공 공정을 수행하는 동안 상기 가공 공정을 모니터링하고 상기 가공 공정의 종점을 검출한다. 상기 장치는 상기 가공 공정을 수행하기 위한 공정 챔버의 측벽에 형성된 뷰포트를 커버하며 상기 플라즈마로부터 발생된 광을 투과시키는 윈도우와, 상기 윈도우를 제1온도로 가열하기 위한 제1온도 조절 유닛과, 상기 윈도우를 통과한 광을 분석하기 위한 분석 유닛과, 냉매를 이용하여 상기 뷰포트의 내측면을 상기 제1온도보다 낮은 제2온도로 유지하기 위한 제2온도 조절 유닛을 포함한다. 따라서, 상기 가공 공정을 수행하는 동안 발생되는 반응 부산물들은 상기 윈도우의 표면보다는 상기 뷰포트의 내측면에 증착되므로 공정 모니터링 및 종점 검출이 안정적으로 수행될 수 있다.

2. 发明公开

KR1020040074267A 회전척을 구비한 반도체 제조 장치 无效
标题翻译：半导体制造装置
公开(公告)号：KR1020040074267A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：KR1020030009790
申请日：2003-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박재경 , 강현규
IPC分类号： H01L21/68
摘要： PURPOSE: A semiconductor fabrication apparatus having a rotating chuck is provided to improve uniformity of a wafer process by rotating a chuck for fixing a wafer. CONSTITUTION: A rotating chuck(10) is installed in an inside of a process chamber in order to fix and rotate a wafer(20). A rotation unit is installed in the inside of the process chamber in order to rotate the rotating chuck. The rotation unit includes a rotary shaft(30) and a rotary power device(40). The rotary shaft is connected to the rotating chuck. The rotary power device is connected to the rotary shaft in order to provide the rotary power. The rotation unit further includes a roller connected to the rotating chuck.
摘要翻译：目的：提供具有旋转卡盘的半导体制造装置，以通过旋转用于固定晶片的卡盘来提高晶片工艺的均匀性。构成：旋转卡盘（10）安装在处理室的内部，以固定和旋转晶片（20）。旋转单元安装在处理室的内部以便旋转旋转卡盘。旋转单元包括旋转轴（30）和旋转动力装置（40）。旋转轴连接到旋转卡盘。旋转动力装置连接到旋转轴以提供旋转动力。旋转单元还包括连接到旋转卡盘的滚子。

3. 实用新型

KR2019930005196U 전자렌지의 출력 조절 손잡이 无效
标题翻译：微波输出调节旋钮
公开(公告)号：KR2019930005196U
公开(公告)日：1993-03-22
申请号：KR2019910013309
申请日：1991-08-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강현규
IPC分类号： F24C7/08

4. 发明授权

KR100578135B1 식각 중단점을 결정하는 방법 失效
标题翻译：终点检测方法
公开(公告)号：KR100578135B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030093998
申请日：2003-12-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김용진 , 강현규 , 손승용 , 민경진
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： G01N21/68
摘要： 식각 중단점을 결정하는 방법이 제공된다. 이 방법은 식각 중단 조건을 설정한 후, 플라즈마를 사용하여 기판 상에 형성된 박막을 식각하면서, 상기 식각 중단 조건이 만족될 때까지 상기 플라즈마의 광도를 소정의 시간을 주기로 반복하여 측정하는 단계를 포함한다. 이때, 측정된 광도에 대한 자료를 기준으로 교란 현상이 발생할 경우, 측정된 광도를 보정한다. 상기 식각 중단 조건이 만족되는지에 대한 판단은 보정된 광도를 기준으로 이루어진다.

5. 发明授权

KR100572325B1 이온 주입 장치 및 이를 이용한 이온 주입 방법 失效
标题翻译：离子注入装置及使用其的离子注入方法
公开(公告)号：KR100572325B1
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：KR1020030092634
申请日：2003-12-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 금경수 , 채승기 , 홍형식 , 차상엽 , 한재현 , 임태섭 , 강현규 , 윤길중 , 송두근
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/0044
摘要： 본 발명은 이온 주입 장치 및 이를 이용한 이온 주입 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 장치는, 회전 디스크를 내장하고 밀폐된 공간을 정의하는 디스크 챔버에 고정 설치되어 상기 회전 디스크에 마운팅되는 웨이퍼의 표면과 근접 대향하여 웨이퍼 표면의 대전 상태를 읽는 전하 감지기를 포함하는 것을 특징으로 한다. 개시된 본 발명의 이온 주입 방법은, 양이온을 생성시키는 단계와; 상기 양이온에 전자를 제공하여 상기 양이온을 중성화하는 단계와; 상기 중성화된 입자를 회전 디스크에 마운팅된 웨이퍼에 주입시키는 단계와; 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 감지하는 단계와; 상기 감지 결과 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태가 중성 상태가 아니면 상기 웨이퍼의 표면 전하 상태를 중성화되도록 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 전하 감지기는 이온 빔에 의한 증착으로부터 자유롭게 되어 이온 빔 증착으로 인한 노이즈 증가를 방지할 수 있다. 따라서, 신호/노이즈 비가 향상되어 이온 주입의 신뢰성이 확보되는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明公开了一种离子注入装置以及使用该离子注入装置的离子注入方法。本发明的所公开的离子注入装置，被牢固地固定到盘室，其包含一个旋转盘，并限定一个封闭的空间，电荷检测器来读取晶片表面的带电状态朝靠近晶片的表面将被安装在旋转圆盘而且，其特征在于。所公开的本发明的离子注入方法包括：产生阳离子; 向阳离子提供电子以中和阳离子; 将中和的颗粒注入安装在旋转盘上的晶片上; 感测晶片的表面电荷状态; 并且如果晶片的表面电荷状态由于检测而不是中性状态，则控制晶片的表面电荷状态为中性。据此，电荷检测器不会被离子束沉积，并且可以防止由于离子束沉积而导致的噪声增加。因此，具有提高信噪比的效果，确保离子注入的可靠性。

6. 发明公开

KR1020040080020A 종말점 검출창의 오염방지수단이 구비된 반도체 제조장치 无效
标题翻译：具有端点检测窗口的防污染装置的半导体制造装置
公开(公告)号：KR1020040080020A
公开(公告)日：2004-09-18
申请号：KR1020030014854
申请日：2003-03-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강현규
IPC分类号： H01L21/306
摘要： PURPOSE: A semiconductor fabrication apparatus having an anti-pollution device of an end-point detection window is provided to change traveling tracks of particles by forming magnetic field in an internal region of a process chamber adjacent to an end-point detection window. CONSTITUTION: A transparent end-point detection window(52) is used for observing plasma emission within a process chamber. An optical probe(60) is installed at an outer side of the transparent end-point detection window in order to converge the plasma emission. A magnetic generation unit(70) is installed at one side of the transparent end-point detection window in order to form magnetic field in an internal region of the process chamber adjacent to the transparent end-point detection window.
摘要翻译：目的：提供一种具有端点检测窗口的防污染装置的半导体制造装置，通过在与端点检测窗口相邻的处理室的内部区域中形成磁场来改变粒子的行进轨迹。构成：透明端点检测窗口（52）用于在处理室内观察等离子体发射。光透镜（60）安装在透明端点检测窗的外侧，以便等离子体发射会聚。在透明端点检测窗口的一侧安装磁性发生单元（70），以便在与透明端点检测窗口相邻的处理室的内部区域中形成磁场。

7. 实用新型

KR2019930015069U 전자렌지의 바베큐용 회전봉 구동 장치 无效
标题翻译：旋转酒吧驱动器在微波炉烧烤
公开(公告)号：KR2019930015069U
公开(公告)日：1993-07-27
申请号：KR2019910021213
申请日：1991-12-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강현규
IPC分类号： F24C15/16

8. 发明授权

KR100643393B1 진공챔버의 외기 유입 검출방법 有权
标题翻译： 진공챔버의외기유입검출방법
公开(公告)号：KR100643393B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050089096
申请日：2005-09-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박기양 , 강현규 , 최명수 , 상태준
IPC分类号： H01L21/205
摘要： A method for detecting inflow of the outside air of a vacuum chamber is provided to measure performance of outside air blocking during processing by performing a light detection of gas existed in the vacuum chamber. Process gas is charged into a vacuum chamber(S10). Gas existed in the vacuum chamber is light-detected to measure intensity of a wavelength where the process gas and the outside air are included(S20,S30). A ratio of the outside air to the process gas is calculated based on the measured intensity of the wavelength(S40). Background level intensity of each wavelength where the process gas and the outside air are included is calculated by measuring intensity of a neighboring wavelength. Net wavelength intensity of each wavelength where the process gas and the outside air are included is calculated by subtracting the background level intensity therefrom. When the ratio is greater than a limited value, an alarm is sent out(S50,S60).
摘要翻译：提供一种用于检测真空室的外部空气流入的方法，以通过对存在于真空室中的气体进行光检测来测量处理期间的外部空气阻塞的性能。处理气体被充入真空室（S10）。检测存在于真空室中的气体以检测包含处理气体和外部空气的波长的强度（S20，S30）。基于测量的波长强度计算外部空气与处理气体的比率（S40）。通过测量相邻波长的强度来计算包含处理气体和外部空气的每个波长的背景水平强度。通过从中减去背景水平强度来计算包含处理气体和外部空气的每个波长的净波长强度。当比值大于限定值时，发出警报（S50，S60）。

9. 发明公开

KR1020040106657A 반도체소자 제조설비에서 웨이퍼의 위치 상태 감지장치 및이를 이용한 제어방법 无效
标题翻译：用于通过使用相机感测和校正波形的对准错误的半导体制造设备中的波形的位置观察装置和使用其的控制方法
公开(公告)号：KR1020040106657A
公开(公告)日：2004-12-18
申请号：KR1020030037449
申请日：2003-06-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 금경수 , 최환혁 , 강현규
IPC分类号： H01L21/68
摘要： PURPOSE: A position perception apparatus of a wafer in semiconductor fabrication equipment and a controlling method using the same are provided to sense and correct an alignment error of a wafer by using a camera. CONSTITUTION: A chuck(38) is used for supporting a wafer which is inserted into an inside of a process chamber(30) by a robot. A camera(34) is used for photographing a loading state of the wafer on the chuck. A database includes image data related to a normal position of the wafer to a processing position. A controller is used for receiving an image signal from the camera, comparing the image signal of the camera with the image data of the database, and controlling each driving state of components according to the compared result.
摘要翻译：目的：提供半导体制造装置中的晶片的位置感知装置和使用其的控制方法，以通过使用相机来感测和校正晶片的对准误差。构成：卡盘（38）用于支撑由机器人插入处理室（30）内部的晶片。相机（34）用于拍摄卡盘上的晶片的装载状态。数据库包括与晶片的正常位置相关的图像数据到处理位置。控制器用于从相机接收图像信号，将照相机的图像信号与数据库的图像数据进行比较，并根据比较结果控制各部件的驱动状态。

10. 实用新型

KR2019940005896U 밀폐형 압축기의 다리 고정 구조 无效
标题翻译：密封式压缩机的固定结构
公开(公告)号：KR2019940005896U
公开(公告)日：1994-03-22
申请号：KR2019920015073
申请日：1992-08-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강현규
IPC分类号： F04C29/00

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