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1. 发明申请

WO2015199482A1 외장재용 열가소성 수지 조성물 및 이를 이용한 성형품 审中-公开
标题翻译：用于外部材料的热塑性树脂组合物和使用其的成型产品
公开(公告)号：WO2015199482A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/KR2015/006535
申请日：2015-06-26
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 주민지 , 최윤진 , 강수경 , 김기홍 , 김동희
IPC分类号： C08J5/04 , C08K7/02 , C08K3/00 , C08L69/00
CPC分类号： C08J5/045 , C08J5/04 , C08K3/00 , C08K3/08 , C08K3/40 , C08K7/02 , C08K2003/0812 , C08L69/00 , C08L55/02 , C08L1/02
摘要： 본 발명은 외장재용 열가소성 수지 조성물 및 이를 이용한 성형품에 관한 것으로서, 열가소성 수지 및 적어도 2종의 셀룰로오스계 섬유를 포함하며, 상기 셀룰로오스계 섬유는 상기 열가소성 수지 100중량부에 대하여 0.1 내지 5중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及用于外部材料的热塑性树脂组合物和使用该热塑性树脂的成型产品，该组合物含有热塑性树脂和至少两种纤维素类纤维，其中0.1-5重量份的纤维素 - 基于100重量份的热塑性树脂包含基于纤维的纤维。

2. 发明专利

KR102238176B1 KR102238176B1 - Data communicating method for use in single wire protocol communication and therefore system 有权
公开(公告)号：KR102238176B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020140045572A
申请日：2014-04-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김선권 , 김기홍
IPC分类号： G06F13/14
摘要： SWP 통신 시에 소모되는 전력을 최소화 또는 줄일 수 있는 단일 와이어 프로토콜 통신에서의 데이터 통신 방법이 개시된다. SWP 통신의 경우에 양방향 통신이 단일 와이어 입출력(I/O)을 통해 서로 다른 데이터 전송 방식으로 수행된다. 먼저, 통신 패킷의 데이터 비트들 중에서 제1 로직상태를 갖는 비트들의 개수가 설정된 개수를 초과하는 지가 송신 시에 체크된다. 제1 로직상태를 갖는 비트들의 개수가 설정된 개수를 초과하면, 상기 통신 패킷의 데이터 비트들의 로직상태는 반전된다. 상기 로직상태의 반전 시에 통신 패킷의 극성 비트가 세팅될 수 있다. 상기 반전된 데이터 비트들이 상기 단일 와이어 입출력을 통해 전송될 때 전력 소모가 줄어든다. 본 발명의 개념에 따르면, 하드웨어의 추가적 부담없이 SWP 통신 시의 전력소모 이슈가 개선된다.

3. 发明公开

KR1020160040046A 복합 음극 활물질, 상기 복합 음극 활물질을 포함하는 음극 및 상기 음극을 포함하는 리튬 이차전지 审中-实审
标题翻译：复合阳极活性材料，包括复合阳极活性材料的阳极和包括阳极的锂二次电池
公开(公告)号：KR1020160040046A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140133555
申请日：2014-10-02
申请人： 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 이병선 , 정희철 , 이강희 , 박진환 , 정창훈 , 김기홍 , 강윤석 , 김동영
IPC分类号： H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/052
CPC分类号： H01M4/364 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/463 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M2004/027
摘要： 복합음극활물질, 상기복합음극활물질을포함하는음극및 상기음극을포함하는리튬이차전지가개시된다. 개시된복합음극활물질은압전소재를포함한다.
摘要翻译：公开了复合负极活性物质，包含复合负极活性物质的负极和包含该负极的锂二次电池。所公开的复合负极活性材料包括压电材料。根据本发明，复合负极活性物质容易地插入和除去锂。

4. 发明授权

KR102216538B1 트랜지스터 및 그 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR102216538B1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：KR1020130126704
申请日：2013-10-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양우영 , 김기홍 , 최상준 , 김영일 , 박성용
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 트랜지스터및 그동작방법이개시된다. 개시된트랜지스터는, 기판과, 기판상에형성되는채널형성층과, 전기화학적비활성금속을포함하도록형성되는게이트와, 채널형성층과게이트사이에게이트와스택구조를이루도록형성되는고체전해질층과, 전기화학적활성금속을포함하도록형성되며활성금속의산화환원반응을이용하여채널스위칭이가능한활성금속층과, 활성금속층에전기적으로연결되는소스및 드레인을포함한다.

5. 发明授权

KR101960464B1 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 有权
公开(公告)号：KR101960464B1
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：KR1020110075364
申请日：2011-07-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김세윤 , 이은성 , 지상수 , 김기홍
IPC分类号： H01B1/22 , H01L31/04

6. 外观设计

KR3008913930000S 有权
公开(公告)号：KR3008913930000S
公开(公告)日：2017-01-23
申请号：KR3020160020697
申请日：2016-04-29
申请人： 삼성전자주식회사
设计人： 박상용 , 안성진 , 김기홍

7. 外观设计

KR3008713730000S 有权
公开(公告)号：KR3008713730000S
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR3020160000828
申请日：2016-01-08
申请人： 삼성전자주식회사
设计人： 이상영 , 김기홍

8. 发明授权

KR101541442B1 메모리 및 프로세서를 포함하는 컴퓨팅 시스템 有权
标题翻译：包括内存和处理器的计算系统
公开(公告)号：KR101541442B1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020080108964
申请日：2008-11-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이병훈 , 김기홍 , 조혁준
IPC分类号： G06F9/06 , G06F9/00
CPC分类号： G11C16/349 , G06F12/0246
摘要： 본발명의실시예에따른컴퓨팅시스템은제 1 저장영역및 제 2 저장영역을포함하는메모리, 그리고데이터액세스시에제 1 및제 2 저장영역들중 어느저장영역을액세스하는지를나타내는제 1 제어신호를메모리에송신하고, 메모리를액세스하기위한액세스신호를활성화하는프로세서를포함하고, 메모리는액세스신호및 제 1 제어신호에응답하여제 2 제어신호를활성화하고, 프로세서는제 2 제어신호에응답하여액세스신호의활성구간을조절한다.

9. 发明公开

KR1020090015286A 이미지 센서 및 그 구동 방법 无效
标题翻译：图像传感器及其操作方法
公开(公告)号：KR1020090015286A
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020070079501
申请日：2007-08-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송재호 , 김기홍
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/363
摘要： An image sensor and a driving method thereof for appropriately controlling the potential level of a reset device are provided not to be limited within subjects mentioned and to make the other subjects, which are not mentioned, specifically understood as the person skilled in the art from the following material. An image sensor comprises a photoelectric conversion device, a charge coupled device, a charge transfer device, a pixel array(10), and a matrix driving unit(20). The charge transfer device transmits an electric charge accumulated in the photoelectric conversion device to the charge coupled device. In the pixel array, a unit pixel including a reset device for resetting the charge coupled device is arranged in a matrix type. The matrix driving unit provides a boosting reset signal to the reset device which is boosted in order to have a level higher than a power supply voltage.
摘要翻译：提供了用于适当地控制复位装置的电位电平的图像传感器及其驱动方法，其不限于所提及的主题，并且使未被提及的其他被摄体从本领域技术人员中被明确地理解为以下材料。图像传感器包括光电转换装置，电荷耦合装置，电荷转移装置，像素阵列（10）和矩阵驱动装置（20）。电荷转移装置将积累在光电转换装置中的电荷传送到电荷耦合装置。在像素阵列中，包括用于复位电荷耦合器件的复位器件的单位像素被布置成矩阵型。矩阵驱动单元向复位装置提供升压复位信号，该复位装置被升压以便具有高于电源电压的电平。

10. 发明公开

KR1020080075710A 불휘발성 메모리 장치에서 전하 손실에 기인한 오류 데이터정정 방법 有权
标题翻译：校正非易失性存储器件中充电损失引起的故障数据的方法
公开(公告)号：KR1020080075710A
公开(公告)日：2008-08-19
申请号：KR1020070014988
申请日：2007-02-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이승원 , 이병훈 , 김기홍 , 김선권
IPC分类号： G11C16/34 , G11C29/42 , G11C16/30
CPC分类号： G11C16/3431 , G06F11/1068 , G11C16/3418 , G11C2029/0411 , G11C29/42
摘要： A method of correcting fault data caused by charge loss in a non-volatile memory device is provided to maintain the reliability of data of a memory cell included in the non-volatile memory device even in case of charge loss. According to a method of correcting fault data of a non-volatile memory device including a plurality of memory cells, fault data is detected from a second data group, by comparing a first data group read from the memory cells by referring to a first voltage(S410) with the second data group read from the memory cells(S430) by referring to a second voltage higher than the first voltage(S440). Fault data is detected from the first data group, through ECC(Error Correction Coding)(S450). The data of the memory cells are rewritten, by correcting fault data of the first data group and fault data of the second data group(S470).
摘要翻译：提供了一种校正由非易失性存储器件中的电荷损失引起的故障数据的方法，以便即使在电荷损失的情况下也能维持包括在非易失性存储器件中的存储单元的数据的可靠性。根据一种校正包括多个存储单元的非易失性存储器件的故障数据的方法，通过参考第一电压（第一电压）比较从存储器单元读取的第一数据组，从第二数据组检测故障数据 S410），其中通过参考高于第一电压的第二电压从存储器单元读取第二数据组（S430）（S440）。通过ECC（错误校正编码）从第一数据组检测故障数据（S450）。通过校正第一数据组的故障数据和第二数据组的故障数据来重写存储单元的数据（S470）。

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