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1. 发明授权

KR100480771B1 전계방출소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：场发射装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100480771B1
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1020000000362
申请日：2000-01-05
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최준희 , 차승남 , 이항우
IPC分类号： H01J1/30 , H01J9/02
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J2201/30407 , H01J2201/30446
摘要： 전계방출소자 및 그 제조방법에 관해 개시된다. 개시된 전계방출소자는: 기판; 상기 기판에 형성되는 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 형성되며, 나노 스케일의 미세 구조의 표면 거칠기가 일체적으로 형성된 마이크로 팁; 상기 마이크로 팁이 위치하는 공간을 제공하는 웰을 구비하는 것으로 상기 캐소드 전극 위에 형성되는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 것으로 상기 마이크로 팁에 대응하는 게이트를 가지는 게이트 전극;을 구비하는 전계방출소자가 제공된다. 따라서, 나노 팁의 집성체 즉, 나노 스케일의 미세 구조의 표면 거칠기를 가지는 마이크로 팁에 의한 방출전류가 높아지고 그리고, 게이트 전극에 대한 동작 전압도 감소시킬 수 있어서 소비전력을 줄일 수 있다.

2. 发明公开

KR1020040069506A 전계방출소자와 이를 적용한 표시소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：场发射装置，采用相同的显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040069506A
公开(公告)日：2004-08-06
申请号：KR1020030005928
申请日：2003-01-29
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최준희
IPC分类号： H01J1/30
CPC分类号： H01J29/028 , H01J9/022 , H01J9/185 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2329/8625
摘要： PURPOSE: A field emission device, a display adopting the same and manufacturing thereof are provided to prevent effectively a modification of a mesh grid and to achieve a high definition picture by preventing structurally a creation of a stray electron. CONSTITUTION: A field emission display device comprises an anode plate(200) having a fluorescent material layer(203) at an inside and an anode electrode(202) on a front plate(201); a cathode plate(100) having an electron emission source(104) for emitting electrons on a rear plate(101) in opposition to the fluorescent material layer and a field emission array(FEA) including a gate electrode(105); a mesh grid(400) adhered closely to the field emission array on the rear plate and having an electron controlling hole in opposition to a gate hole; a tensile substance(500) for fixing the mesh grid to the rear plate and applying a tension to the mesh grid; a grid insulating layer(106) for insulating mutually with the mesh grid and the field emission array; and a spacer(300) located between the cathode plate and the anode plate.
摘要翻译：目的：提供场致发射器件，采用该场致发射器件及其制造的显示器，以有效地防止网格的变形，并通过防止结构性地产生杂散电子来实现高清晰度图像。构成：场致发射显示装置包括在内侧具有荧光体层（203）的阳极板（200）和前板（201）上的阳极电极（202）; 具有与荧光材料层相反的用于在后板（101）上发射电子的电子发射源（104）的阴极板（100）和包括栅电极（105）的场发射阵列（FEA）; 网格（400）紧密地粘附在后板上的场发射阵列上并具有与门孔相对的电子控制孔; 用于将网格网固定到后板并向网格网施加张力的拉伸物质（500）; 用于与网状栅格和场致发射阵列相互绝缘的栅极绝缘层（106）; 以及位于阴极板和阳极板之间的间隔件（300）。

3. 发明授权

KR100434533B1 필드 에미터 어레이의 제조방법 失效
标题翻译： 필드에미터어레이의제조방법
公开(公告)号：KR100434533B1
公开(公告)日：2004-07-16
申请号：KR1019980021957
申请日：1998-06-12
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최준희 , 박영준
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/30
摘要： PURPOSE: A fabrication method of FED(field emitter arrays) having a micro-tip is provided to improve a denseness of electric field and prevent a thermal stress by forming multi micro-tips. CONSTITUTION: The FED fabrication method comprises the steps of: depositing a metal film(28) on a top portion of tips(13) by E-beam deposition while rotating a substrate(21); forming a second tip(29) surrounding the tip(23) by E-beam deposition while rotating the substrate; removing remained metal layer(27) and remained film(29a) of the second tip(29) by etching; and forming a tip(23) having multi micro-tips by etching the second tip.
摘要翻译：目的：提供一种具有微型尖端的FED（场致发射体阵列）的制造方法，以提高电场的致密性并通过形成多个微型尖端来防止热应力。构成：FED制造方法包括以下步骤：在旋转衬底（21）的同时通过电子束沉积在尖端（13）的顶部上沉积金属膜（28）; 在旋转衬底的同时通过电子束沉积形成围绕尖端（23）的第二尖端（29）通过蚀刻去除第二尖端（29）的剩余金属层（27）和残留膜（29a）; 以及通过蚀刻第二尖端形成具有多个微尖端的尖端（23）。

4. 发明公开

KR1020010068443A 나노 스케일의 표면 거칠기를 가지는 마이크로 구조물의형성방법 失效
标题翻译：形成具有纳米尺度表面粗糙度的微结构的方法
公开(公告)号：KR1020010068443A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000000363
申请日：2000-01-05
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최준희 , 차승남 , 이항우
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： H01J9/025
摘要： PURPOSE: A method of forming a micro structure having a nano-scale surface roughness is provided to produce a micro structure having a nano-scale surface roughness. CONSTITUTION: In the method of forming a micro structure having a nano-scale surface roughness, a micro structure of a certain size and shape is formed on the substrate. A carbon polymer layer of a certain depth is coated on the substrate having the micro structure. The carbon polymer layer is etched using a reaction gas including a mixture of an O2 gas capable of etching the carbon polymer layer and a gas capable of etching the micro structure, and a mask layer is formed by the remnants of the carbon polymer layer. Lastly, both the masked and unmasked part of the micro structure is eliminated using the mixed reaction gas, thus making the surface having a nano-scale roughness.
摘要翻译：目的：提供一种形成具有纳米级表面粗糙度的微结构的方法，以产生具有纳米级表面粗糙度的微结构。构成：在形成具有纳米级表面粗糙度的微结构的方法中，在基板上形成一定尺寸和形状的微结构。具有一定深度的碳聚合物层被涂覆在具有微结构的基底上。使用包括能够蚀刻碳聚合物层的O 2气体和能够蚀刻微结构的气体的混合物的反应气体来蚀刻碳聚合物层，并且通过碳聚合物层的残留物形成掩模层。最后，使用混合的反应气体消除微结构的掩蔽和未掩蔽的部分，从而使表面具有纳米级的粗糙度。

5. 发明公开

KR1020010068441A 전계방출소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：现场排放装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010068441A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000000361
申请日：2000-01-05
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최준희 , 차승남 , 이항우
IPC分类号： H01J1/30 , H01J9/02
CPC分类号： H01J3/022 , H01J1/3042 , H01J9/025
摘要： PURPOSE: A field emission device and a manufacturing method thereof are provided to operate the device stably at a high anode voltage, to improve the resolution and to improve the purity of the color display. CONSTITUTION: In the field emission device, a cathode electrode(120) is formed on the substrate(100). An a-Si-type resistance layer(130) is formed on the cathode electrode(120). A gate insulation layer(140) is formed on the resistance layer(130) and has wells(140a) exposing the floor of the resistance layer(130). Here, the resistance layer(130) is optional. A micro tip(150) is located on the well floor(140a). The micro tip is the core of this invention. The micro tip(150) includes a number of nano tips. The surface of the tips is as rough as a nano-scale. The tips include two elements among Mo, W, Si or diamond.
摘要翻译：目的：提供场致发射器件及其制造方法，以在高阳极电压下稳定地操作器件，以提高分辨率并提高彩色显示器的纯度。构成：在场发射装置中，在基板（100）上形成阴极电极（120）。在阴极电极（120）上形成a-Si型电阻层（130）。栅极绝缘层（140）形成在电阻层（130）上并且具有暴露电阻层（130）底部的孔（140a）。这里，电阻层（130）是可选的。微型尖端（150）位于井底（140a）上。微尖是本发明的核心。微尖端（150）包括许多纳米尖端。尖端的表面与纳米级一样粗糙。尖端包括Mo，W，Si或金刚石中的两个元素。

6. 发明公开

KR1020010058675A 전계 방출 소자 및 그 구동 방법 失效
标题翻译：使用碳纳米管的三重结构场发射装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020010058675A
公开(公告)日：2001-07-06
申请号：KR1019990066031
申请日：1999-12-30
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최용수 , 최준희 , 이내성 , 김종민
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02 , B82Y40/00
CPC分类号： H01J3/022 , H01J21/105 , H01J1/30 , B82Y40/00 , C01B32/05
摘要： PURPOSE: A triode structure field emission device using a carbon nanotube and a driving method thereof are provided to control easily emitted current by forming a gate at a lower portion of a cathode. CONSTITUTION: A front substrate(20) and a rear substrate(11) are arranged according to a predetermined interval. A spacer(16) is formed between the front substrate(20) and the rear substrate(11). A cathode(12) and an anode(14) are formed on each facing portion of the front substrate(20) and the rear substrate(11), respectively. A micro tip is formed on the cathode(12) corresponding to an intersection of the cathode(12) and the anode(14). A gate(13) controls the electrons emitted from the micro tip. The gate(13) is formed on a position corresponding to the anode(14) of the rear substrate(11) under the cathode(12). An insulating layer(17) is formed between the gate(13) and the cathode(12).
摘要翻译：目的：提供使用碳纳米管的三极结构场致发射器件及其驱动方法，以通过在阴极的下部形成栅极来控制容易发射的电流。构成：按照规定间隔配置前基板（20）和后基板（11）。在前基板（20）和后基板（11）之间形成间隔件（16）。阴极（12）和阳极（14）分别形成在前基板（20）和后基板（11）的每个相对部分上。在对应于阴极（12）和阳极（14）的交叉点的阴极（12）上形成微尖端。门（13）控制从微尖端发射的电子。栅极（13）形成在与阴极（12）下方的后基板（11）的阳极（14）对应的位置。在栅极（13）和阴极（12）之间形成绝缘层（17）。

7. 发明公开

KR1020000001615A 필드 에미터 어레이의 제조방법 失效
标题翻译：制造场致发射阵列的方法
公开(公告)号：KR1020000001615A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980021957
申请日：1998-06-12
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최준희 , 박영준
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/30
摘要： PURPOSE: A fabrication method of FED(field emitter arrays) having a micro-tip is provided to improve a denseness of electric field and prevent a thermal stress by forming multi micro-tips. CONSTITUTION: The FED fabrication method comprises the steps of: depositing a metal film(28) on a top portion of tips(13) by E-beam deposition while rotating a substrate(21); forming a second tip(29) surrounding the tip(23) by E-beam deposition while rotating the substrate; removing remained metal layer(27) and remained film(29a) of the second tip(29) by etching; and forming a tip(23) having multi micro-tips by etching the second tip.
摘要翻译：目的：提供具有微尖端的FED（场发射器阵列）的制造方法，以改善电场的致密性并通过形成多个微尖端来防止热应力。构成：FED制造方法包括以下步骤：通过电子束沉积在旋转衬底（21）的同时，在尖端（13）的顶部上沉积金属膜（28）; 通过电子束沉积在旋转衬底的同时形成围绕尖端（23）的第二尖端（29）; 通过蚀刻去除残留的金属层（27）并保留第二末端（29）的膜（29a）; 以及通过蚀刻所述第二末端来形成具有多个微尖端的尖端（23）。

8. 发明公开

KR1020090106750A 마이크로 히터 어레이를 이용한 멀티 스택형 태양 전지 및이의 제조 방법 无效
标题翻译：使用微加热器阵列的多层太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090106750A
公开(公告)日：2009-10-12
申请号：KR1020080032072
申请日：2008-04-07
申请人： 삼성전자주식회사 , 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최준희 , 한재용 , 줄카니브,안드레이
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/1844 , H01L31/03046 , H01L31/0735 , Y02E10/544
摘要： PURPOSE: A multi stacked solar cell using a micro heater array is provided to perform a large sized solar cell by forming a plurality of InxGa1-xN pn bonding layers on a glass substrate through a micro heater array. CONSTITUTION: A multi stacked solar cell(101) using a micro heater array includes a substrate(10), a first heating part(21), one or more first micro heater(20), a second heating part(31), one or more second micro heater(30), and a plurality of InxGa1-xN pn bonding layers(41,42,43). The first heating part is separated from the substrate. The first micro heater is included on the substrate, and includes a first supporting body(22) for supporting the first heating part. The second heating part intersects with the first heating part. The second micro heater is included on the substrate, and includes a second supporting body(32) for supporting the second heating part.
摘要翻译：目的：提供使用微加热器阵列的多层太阳能电池，以通过微加热器阵列在玻璃基板上形成多个In x Ga 1-x N pn结合层来执行大型太阳能电池。构成：使用微加热器阵列的多层太阳能电池（101）包括基板（10），第一加热部分（21），一个或多个第一微加热器（20），第二加热部分（31），一个或更多的第二微加热器（30）和多个In x Ga 1-x N pn结合层（41,42,43）。第一加热部分与基板分离。第一微加热器包括在基板上，并且包括用于支撑第一加热部件的第一支撑体（22）。第二加热部与第一加热部相交。第二微加热器包括在基板上，并且包括用于支撑第二加热部件的第二支撑体（32）。

9. 发明授权

KR100862655B1 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이 및그 제조 방법 失效
标题翻译：具有碳纳米管发射体的场发射显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR100862655B1
公开(公告)日：2008-10-10
申请号：KR1020030055883
申请日：2003-08-12
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최준희 , 줄카니브안드레이
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
CPC分类号： H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J2201/30469
摘要： 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이 및 그 제조 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 CNT 에미터 둘레에 형성된 게이트 적층물이 상기 CNT 에미터 둘레의 에미터 전극을 덮는 마스크층, 상기 마스크층 상에 순차적으로 형성된 게이트 절연막, 게이트 전극, 제1 실리콘 산화막(SiO
X )(X

10. 发明公开

KR1020070047521A 전계방출형 백라이트 유닛 및 구동방법 无效
标题翻译：场发射型背光单元及其操作方法
公开(公告)号：KR1020070047521A
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050104360
申请日：2005-11-02
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 정득석 , 송병권 , 김용철 , 최준희 , 신문진
IPC分类号： H01J1/30 , G02F1/13357 , G09G3/22 , C01B31/02
CPC分类号： H01J63/06 , H01J9/025 , H01J63/02
摘要： 전계방출형 백라이트 유닛 및 구동방법이 개시된다. 개시된 전계방출형 백라이트 유닛은 상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 전계방출형 백라이트 유닛은: 서로 이격되어 대향되게 배치되는 상부기판 및 하부기판; 상기 상부기판의 하면에 형성되는 애노드전극; 상기 애노드전극의 하면에 형성되는 형광체층; 상기 하부기판의 상면에 형성된 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극을 노출시키는 캐비티가 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 형성되며 상기 캐비티와 연통된 캐소드 홀이 형성된 평판 형상의 게이트 전극; 및 상기 캐소드전극 상에 형성되는 에미터;를 구비하고, 상기 게이트 전극은 그라운드 전압이 인가되고, 상기 캐소드 전극에는 음전압이 인가되는 것을 특징으로 한다.

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