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    • 3. 发明申请
    • 유기막 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
    • 有机膜CMP浆料组合物和使用它的抛光方法
    • WO2016186356A1
    • 2016-11-24
    • PCT/KR2016/004804
    • 2016-05-09
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 최정민김태완도균봉강동헌김동진유용식최영남
    • C09K3/14H01L21/304
    • C09K3/14H01L21/304
    • 본 발명은 극성 용매, 비극성 용매 중 하나 이상; 금속산화물 연마제; 산화제; 및 분자량 약 3500 g/mol 이하인 폴리아크릴산을 포함하고, 탄소 함량이 약 50 내지 약 99atom%인 유기막을 연마하기 위한 유기막 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법에 관한 것으로, 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 탄소 함량, 막 밀도 및 경도가 높은 유기막에 대하여 연마 효과가 우수하고, 무기막 대비 유기막의 연마 속도가 우수하며, 유기막에 대해 연마 후 연마면 평탄도가 좋고, 연마 정지막 층에 존재하는 유기막 물질의 잔류물(residue)을 쉽게 제거할 수 있으므로 보다 균일한 연마가 가능하다.
    • 本发明涉及一种用于研磨碳含量为约50至约99原子%的有机膜的有机膜CMP浆料组合物; 和使用其的抛光方法,所述有机膜CMP浆料组合物包含:极性溶剂和非极性溶剂中的一种或多种; 金属氧化物磨料; 氧化剂 和分子量为3500g / mol以下的聚丙烯酸。 本发明的CMP浆料组合物能够进行更均匀的抛光,因为CMP浆料组合物对具有高碳含量,高膜密度和高硬度的有机膜具有优异的抛光效果,与无机膜相比具有优异的有机膜抛光速度,结果 在抛光有机膜后抛光表面平整度好,并且可以容易地去除抛光整理膜层中存在的有机膜材料的残留物。
    • 10. 发明公开
    • 유기막 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
    • 用于有机膜的CMP浆料组合物和使用其的抛光方法
    • KR1020160135081A
    • 2016-11-24
    • KR1020150068359
    • 2015-05-15
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 최정민김태완도균봉강동헌김동진유용식최영남
    • C09K3/14C09G1/02H01L21/306
    • C09K3/14H01L21/304
    • 본발명은극성용매, 비극성용매중 하나이상; 금속산화물연마제; 산화제; 및분자량 3500 g/mol 이하인폴리아크릴산을포함하고, 탄소함량이 50 내지 99atom%인유기막을연마하기위한유기막 CMP 슬러리조성물및 이를이용한연마방법에관한것으로, 본발명의 CMP 슬러리조성물은탄소함량, 막밀도및 경도가높은유기막에대하여연마효과가우수하고, 무기막대비유기막의연마속도가우수하며, 유기막에대해연마후 연마면평탄도가좋고, 연마정지막층에존재하는유기막물질의잔류물(residue)을쉽게제거할수 있으므로보다균일한연마가가능하다.
    • 本发明涉及一种用于研磨碳含量为约50至约99原子%的有机膜的有机膜CMP浆料组合物; 和使用其的抛光方法,所述有机膜CMP浆料组合物包含:极性溶剂和非极性溶剂中的一种或多种; 金属氧化物磨料; 氧化剂 和分子量为3500g / mol以下的聚丙烯酸。 本发明的CMP浆料组合物能够进行更均匀的抛光,因为CMP浆料组合物对具有高碳含量,高膜密度和高硬度的有机膜具有优异的抛光效果,与无机膜相比具有优异的有机膜抛光速度,结果 在抛光有机膜后抛光表面平整度好,并且可以容易地去除抛光整理膜层中存在的有机膜材料的残留物。