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1. 发明授权

KR101392291B1 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막트랜지스터기판의 제조방법 有权
标题翻译：光电组合物及其制造方法使用薄膜晶体管基板
公开(公告)号：KR101392291B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020070036565
申请日：2007-04-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박정민 , 정두희 , 이희국 , 윤혁민 , 구기혁
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/032
CPC分类号： G03F7/0382 , H01L21/312 , H01L27/1214 , H01L27/1288
摘要： 포토레지스트조성물은바인더수지, 광산발생제, 가교제및 용매를포함한다. 상기포토레지스트조성물은박막트랜지스터기판을제조하기위한 4 마스크공정에이용될수 있으며, 포토레지스트패턴의내열성및 접착특성을향상시켜박막트랜지스터기판의개구율을향상시키고표시품질을개선할수 있다.

2. 发明授权

KR101357701B1 패턴 형성용 네거티브 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成图案的负型光电组合物和形成使用其的显示图案的方法
公开(公告)号：KR101357701B1
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：KR1020060011931
申请日：2006-02-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정두희 , 이희국 , 윤혁민 , 구기혁 , 박정민
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 내열성, 접착력 및 내식각성이 우수한 패턴 형성용 네거티브 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치 패턴 형성 방법이 개시되어 있다.
상기 네거티브 포토레지스트 조성물은 제1바인더 수지 10 내지 70중량부와, 제2바인더 수지 10 내지 70중량부와, 제1 및 제2바인더 수지의 가교 결합을 위한 광산 발생제 0.5 내지 10중량부와, 광산 발생제의 산에 노출 시 제1 및 제2바인더 수지의 가교를 형성시키는 가교 결합제 1 내지 20중량부와, 용매 10 내지 90중량부를 포함하고 있다.
상기 네거티브 포토레지스트 조성물로 표시장치를 제조 시 액티브패턴이 돌출되어 형성된 액티브돌출부의 크기를 최소화할 수 있을 뿐더러 표시장치의 생산성 및 수율을 향상시킬 수 있다.
내열성, 내식각성, 접착력, 액티브돌출부, 4마스크

3. 发明授权

KR101430962B1 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법 有权
标题翻译：光刻胶组成物及使用其制造阵列基板的方法
公开(公告)号：KR101430962B1
公开(公告)日：2014-08-18
申请号：KR1020080020109
申请日：2008-03-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박정민 , 정두희 , 이희국 , 김병욱 , 김동민
IPC分类号： G03F7/008
CPC分类号： G03F7/0236
摘要： 포토레지스트 조성물은 a) 메타 크레졸을 70 내지 85중량%로 포함하는 페놀계 화합물로 제조되는 노볼락계 수지, b) 디아지드계 화합물 및 c) 유기 용매를 포함한다. 이에 따라, 노광 영역 및 비노광 영역의 현상 대비비, 감광속도에 의존하는 감도, 반노광부의 잔막 균일도 및 기판에 대한 접착력을 향상시킴으로써 제조 공정의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
포토레지스트, 감도, 하프톤, 균일성, 접착력, 크레졸
摘要翻译：光致抗蚀剂组合物包含酚醛清漆树脂，B）醌化合物和c）由包含按重量计在70〜85％）间甲酚的酚类化合物的有机溶剂。因此，有可能通过提高灵敏度，均匀性和密合性的反衬底，以提高制造过程的可靠性和生产 - 其取决于显影对比度，感光度的曝光区域和未曝光区域的部分janmak。

4. 发明授权

KR101385946B1 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의형성 방법 有权
标题翻译：光刻胶组合物和使用其形成光刻胶图案的方法
公开(公告)号：KR101385946B1
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：KR1020070032371
申请日：2007-04-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박정민 , 정두희 , 이희국 , 윤혁민 , 구기혁
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/038 , Y10S430/121 , Y10S430/123 , Y10S430/128
摘要： 포토레지스트 조성물은 광산발생제 0.5 내지 20 중량부, 하이드록실기를 포함하는 노볼락 수지 10 내지 70 중량부, 알콕시메틸멜라민계 화합물을 포함하는 가교제 1 내지 40 중량부 및 용매 10 내지 150 중량부를 포함한다. 상기 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 패턴의 역 테이퍼 현상을 감소시킴으로써, 포토레지스트 패턴의 손상을 방지하고 해상도를 개선할 수 있다.
포토레지스트 조성물, 역 테이퍼

5. 发明授权

KR101240643B1 포토레지스트 조성물, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 有权
标题翻译：光刻胶组合物，使用其形成图案的方法以及使用其制造薄膜晶体管阵列板的方法
公开(公告)号：KR101240643B1
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020050061606
申请日：2005-07-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박정민 , 이희국 , 주진호 , 전우석 , 정두희 , 김동민 , 최기식
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/022 , G02F1/133
CPC分类号： G03F7/022 , G03F7/0045
摘要： 본 발명은, 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막 및 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 위에 데이터 층을 형성하는 단계, 상기 데이터 층 위에 알칼리 가용성 수지 및 화학식 (I)의 발라스트(balast) 구조를 가지는 감광성 화합물을 포함하는 포토레지스트 막을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 막을 패터닝하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 데이터 층을 1차 식각하는 단계, 상기 1차 식각된 데이터 층을 마스크로 하여 반도체층을 식각하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 열처리하여 리플로우하는 단계, 상기 리플로우된 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 데이터층을 2차 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공한다.
포토레지스트, 내열성, 균일성, 리플로우

6. 发明公开

KR1020080089785A 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의형성 방법 有权
标题翻译：光刻胶组合物和使用其形成光刻胶图案的方法
公开(公告)号：KR1020080089785A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：KR1020070032371
申请日：2007-04-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박정민 , 정두희 , 이희국 , 윤혁민 , 구기혁
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/038 , Y10S430/121 , Y10S430/123 , Y10S430/128 , G03F7/0385
摘要： A photoresist composition is provided to reduce reverse tapering of a photoresist pattern, thereby preventing damage on a photoresist pattern and improving the resolution. A photoresist composition comprises: 0.5-20 parts by weight of a photoacid generator comprising at least one compound selected from the compounds represented by the following formulae 1 and 2; 10-70 parts by weight of a novolac resin containing hydroxyl groups; 1-40 parts by weight of a crosslinking agent containing an alkoxymethyl melamine compound; and 10-150 parts by weight of a solvent. In formulae 1 and 2, each of R1, R2, R3 and R4 is a C1-C4 alkyl group.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂组合物以减少光致抗蚀剂图案的反向锥形化，从而防止光致抗蚀剂图案的损坏并提高分辨率。光致抗蚀剂组合物包括：0.5-20重量份的含有至少一种选自下式1和2所示化合物的化合物的光酸产生剂; 10-70重量份含羟基的酚醛清漆树脂; 1-40重量份含有烷氧基甲基三聚氰胺化合物的交联剂; 和10-150重量份的溶剂。在式1和式2中，R 1，R 2，R 3和R 4各自为C 1 -C 4烷基。

7. 发明公开

KR1020070079177A 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成图案的光电组合物和形成使用其的显示图案的方法
公开(公告)号：KR1020070079177A
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020060009686
申请日：2006-02-01
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정두희 , 이희국 , 김동민 , 최기식 , 박정민
IPC分类号： G03F7/008 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0007 , G03F7/008
摘要： A photoresist composition for forming a pattern is provided to improve residual photoresist uniformity and embody the reduction of active protrusions and the reduction of skew when forming a pattern of a display device. A photoresist composition for forming a pattern comprises 5-30 parts by weight of a novolak resin, 2-10 parts by weight of a diazide-based photosensitive compound, 0.5-3 parts by weight of a heat-resistant control additive, and 60-90 parts by weight of an organic solvent. The method for forming a pattern includes the steps of: forming a photoresist layer on an insulating substrate(10) by using the photoresist composition solution; performing photolithography to form the photoresist pattern(110); performing a baking process to reflow the photoresist pattern(110); and etching the reflowed photoresist pattern(110).
摘要翻译：提供用于形成图案的光致抗蚀剂组合物以改善残留的光致抗蚀剂均匀性，并且在形成显示装置的图案时体现活性突起的减少和歪斜的减少。用于形成图案的光致抗蚀剂组合物包括5-30重量份的酚醛清漆树脂，2-10重量份的二叠氮基感光性化合物，0.5-3重量份的耐热控制添加剂和60- 90重量份的有机溶剂。形成图案的方法包括以下步骤：通过使用光致抗蚀剂组合物溶液在绝缘基板（10）上形成光致抗蚀剂层; 执行光刻以形成光致抗蚀剂图案（110）; 进行烘烤处理以回流光致抗蚀剂图案（110）; 并蚀刻回流的光致抗蚀剂图案（110）。

8. 发明授权

KR101293155B1 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成图案的光电组合物和形成使用其的显示图案的方法
公开(公告)号：KR101293155B1
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020060009686
申请日：2006-02-01
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정두희 , 이희국 , 김동민 , 최기식 , 박정민
IPC分类号： G03F7/008 , G03F7/004
摘要： 리플로우 특성 및 접착력이 향상된 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치 패턴 형성 방법이 개시되어 있다.
상기 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지 5 내지 30중량부와, 디아지드계 감광성 화합물 2 내지 10중량부와, 내열성 조정 첨가제 0.5 내지 3중량부 및 유기용매 60 내지 90중량부를 포함하고 있다. 이러한 포토레지스트 조성물로 표시장치의 패턴을 형성 시 포토레지스트 잔량 균일성을 향상할 수 있을 뿐더러 액티브돌출부의 감소 및 스큐 감소를 구현할 수 있다.
내열성 조정 첨가제, 하드베이킹, 리플로우, 접착력

9. 发明公开

KR1020090095040A 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법 有权
标题翻译：光电组合物及使用其制造阵列基板的方法
公开(公告)号：KR1020090095040A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：KR1020080020109
申请日：2008-03-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박정민 , 정두희 , 이희국 , 김병욱 , 김동민
IPC分类号： G03F7/008
CPC分类号： G03F7/0236
摘要： A photoresist composition, and a method for preparing an array substrate by using the composition are provided to improve sensitivity, development contrast, the residual film uniformity of semi-exposure part and the adhesion to a substrate. A photoresist composition comprises a novolac resin prepared from a phenolic compound containing 70-85 weight% of m-cresol; a diazide-based compound; and an organic solvent. The novolac resin comprises a first novolac resin prepared from a phenolic compound containing m-cresol and p-cresol in a ratio of 40:60 ~ 60:40 by weight; and a second novolac resin prepared from a phenolic compound containing m-cresol and p-cresol in a ratio of 90:10 ~ 100:0 by weight.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂组合物和通过使用该组合物制备阵列基板的方法，以提高敏感度，显影对比度，半曝光部分的残留膜均匀性和对基材的粘合性。光致抗蚀剂组合物包含由含有70-85重量％间甲酚的酚类化合物制备的酚醛清漆树脂; 二叠氮化合物; 和有机溶剂。酚醛清漆树脂包含由含有间甲酚和对甲酚的酚类化合物按40:60〜60:40的比例制备的第一酚醛清漆树脂; 和由含有间甲酚和对甲酚的酚类化合物按重量比为90:10〜100:0的比例制备的第二酚醛清漆树脂。

10. 发明公开

KR1020080092761A 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막트랜지스터기판의 제조방법 有权
标题翻译：光电组合物及其制造方法使用薄膜晶体管基板
公开(公告)号：KR1020080092761A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：KR1020070036565
申请日：2007-04-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 박정민 , 정두희 , 이희국 , 윤혁민 , 구기혁
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/032
CPC分类号： G03F7/0382 , H01L21/312 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , G03F7/0007 , G03F7/0045 , G03F7/0048 , G03F7/032
摘要： A photoresist composition is provided to improve heat resistance and adhesive characteristics, and to increase an aperture ratio of a thin-film transistor substrate. A photoresist composition includes 1-70 parts by weight of a binder resin comprising a repeating structure of the following formula 1, 1-70 parts by weight of a binder resin comprising a repeating unit of the following formula 2, 0.5-10 parts by weight of a photoacid generator, 1-20 parts by weight of a crosslinking agent, and 10-200 parts by weight of a solvent. In the formulae, each of R1 and R2 represents a C1-5 alkyl group, and each of n and m represents a natural number.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂组合物以提高耐热性和粘合特性，并提高薄膜晶体管基板的开口率。光致抗蚀剂组合物包括1-70重量份的包含下式1的重复结构的粘合剂树脂，1-70重量份的包含下式2的重复单元的粘合剂树脂，0.5-10重量份的光酸产生剂，1-20重量份的交联剂和10-200重量份的溶剂。在该式中，R 1和R 2各自表示C 1-5烷基，n和m各自表示自然数。

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