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    • 1. 发明公开
    • 터치 패널 및 이의 제조 방법
    • 触控面板及其制造方法
    • KR1020150079264A
    • 2015-07-08
    • KR1020130169361
    • 2013-12-31
    • 삼성디스플레이 주식회사울산과학기술원
    • 고흥석박기복이인남이춘협전영은주영길진한별
    • G06F3/041
    • G06F3/0412G06F2203/04103
    • 본발명의일 실시예에따른터치패널은기판, 상기기판상에위치하며소정의간격으로이격된복수의감지입력전극을포함하는제1 도전패턴부, 상기기판상에위치하며, 복수의감지입력전극와소정의간격으로이격되는복수의감지출력전극및 인접한상기감지출력전극을연결하는제2 연결부재를포함하는제2 도전패턴부, 상기제2 연결부재를덮는절연패턴, 및상기절연패턴에의해상기제2 연결부재와절연교차하며, 인접한상기감지입력전극을연결하고, 상기제1 도전패턴부에포함되는제1 연결부재를포함하고, 상기제1 도전패턴부및 상기제2 도전패턴부는가요성을가지며, 상기제1 연결부재의재질은아조계(AZO, Al-doped Zinc Oxide) 화합물이다.
    • 根据本发明的实施例的触摸面板包括基板; 位于所述基板上的第一导电图形部分,并且包括以一定间隔隔开的多个检测输入电极; 第二导电图形部分,包括位于基板上的多个检测电极,并且从多个检测输入电极分离一定间隔;以及第二连接部件,其连接相邻的检测输出电极; 覆盖所述第二连接构件的绝缘图案; 以及第一连接构件,其与第二连接构件交叉以被绝缘图案绝缘,连接相邻的检测输入电极,并且包括在第一导电图案部分中,其中第一导电图案部分和第二导电图案部分具有柔性,以及 第一连接构件的材料是基于Al的氧化锌(AZO)的化合物。
    • 4. 发明公开
    • 산화 그래핀의 제조방법
    • 石墨氧化物及其制造方法
    • KR1020160018257A
    • 2016-02-17
    • KR1020140102603
    • 2014-08-08
    • 울산과학기술원
    • 권순용주재환곽진성김성엽김지현박기복이종훈
    • C01B31/04
    • C01B32/182C01B32/184C01B2204/00
    • 산화그래핀및 그제조방법에관한것으로, 산화그래핀을포함하며, 평탄한구조인하부층; 및상기하부층상에형성되며, 산화그래핀을포함하는철부(凸部);를포함하고, 상기철부의평면형태는구리의결정립계형태이고, 상기하부층및 철부내 산화그래핀은, 산화그래핀내 함유된탄소및 산소의함량이, 상기탄소에대한상기산소의중량비율로서 0.1 내지 10.0인것인, 산화그래핀을제공할수 있고, 이를제조하는방법으로, 금속박(foil) 및기판을준비하는단계; 상기금속박을열처리하여, 결정립(grain)의크기를증가시키고금속박내의산소함유량을조절하는단계; 상기결정립의크기가증가된금속박을상기기판상에부착시키는단계; 상기금속박상에탄소원료를공급하는단계; 상기공급된탄소원료, 상기금속박및 상기기판을승온하는단계; 상기승온된탄소원료가열분해되어발생한탄소원자및 상기금속박내 산소원자가상기금속박을통하여확산되는단계; 및상기금속박을통하여확산된탄소원자및 산소원자가, 상기기판상에산화그래핀(GO)을형성하는단계;를포함하고, 상기형성된산화그래핀은상기금속박및 상기기판사이의계면에위치하는것인,산화그래핀의제조방법을제공할수 있다.
    • 本发明涉及石墨烯氧化物(GO)及其制造方法。 提供了石墨烯氧化物,其包括:形成为平坦结构并具有氧化石墨烯的下层; 以及形成在下层上并具有石墨烯氧化物的凸部。 凸部的平面形状是铜的晶界形状。 下层和凸部的氧化石墨烯中的碳和氧的含量为氧相对于碳的重量比为0.1〜10.0。 制造氧化石墨烯的方法包括以下步骤:制备金属箔和基材; 热处理金属箔以增加晶粒尺寸,并控制金属箔内的氧含量; 将晶粒尺寸增加的金属箔接合到基板上; 向金属箔供应碳材料; 加热供应的碳材料,金属箔和基材; 将通过加热的碳材料的热解产生的碳原子和金属箔中的氧原子扩散到金属箔中; 以及通过扩散到金属箔中的碳和氧原子在衬底上形成氧化石墨烯。 因此,石墨烯氧化物制造物位于金属箔和基底之间的界面处。 因此,可以调节氧化石墨烯中的氧和碳的组成,从而可以控制氧化石墨烯的电子性质。
    • 10. 发明公开
    • 나노체 기반 발광 다이오드 및 그 제조 방법
    • 基于纳米结构的发光二极管及其制造方法
    • KR1020120081759A
    • 2012-07-20
    • KR1020110003064
    • 2011-01-12
    • 울산과학기술원 산학협력단
    • 박기복권순용고흥석전영은최재경
    • H01L33/20H01L33/36
    • H01L33/22H01L33/32H01L33/38H01L2933/0016
    • PURPOSE: A nano material based light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to enhance luminous efficiency by variously controlling size and shape of an electrode and a light emitting diode. CONSTITUTION: A light emitting structure layer including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer is successively formed. A conductive layer for an electrode is formed on the light emitting structure layer. A plurality of nano patterns(20a) is formed on the conductive layer for the electrode. A plurality of electrode nano materials(15a) is formed by etching the conductive layer for the electrode by using a nano pattern as a mask. A plurality of radiation nano materials(11a) is formed by etching the light emitting structure layer by using the nano pattern as the mask. The nano pattern is eliminated.
    • 目的:提供一种基于纳米材料的发光二极管及其制造方法,以通过不同地控制电极和发光二极管的尺寸和形状来提高发光效率。 构成:依次形成包括第一半导体层,有源层和第二半导体层的发光结构层。 在发光结构层上形成用于电极的导电层。 在用于电极的导电层上形成多个纳米图案(20a)。 通过使用纳米图案作为掩模蚀刻电极用导电层,形成多个电极纳米材料(15a)。 通过使用纳米图案作为掩模蚀刻发光结构层,形成多个辐射纳米材料(11a)。 消除纳米图案。