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1. 发明专利

KR20210028310A KR20210028310A - Marker layout method for optimizing the overlay alignment in semiconductor device 审中-公开
公开(公告)号：KR20210028310A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：KR1020190108778A
申请日：2019-09-03
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김창욱 , 이기범 , 김성재 , 전송이
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/67 , H01L21/68
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70683 , G03F7/70775 , G03F9/7046 , G03F9/7084 , H01L21/67282 , H01L21/682
摘要： 본 발명에 따른 반도체 소자의 마커 배치 방법은 복수의 필드를 포함하는 웨이퍼에 있어서 제1 적합도 함수를 이용하여, 하나의 필드에 사용되는 마커들의 수를 결정하는 단계와, 마커들 사이의 거리 정보를 고려한 마커 확률 분포를 계산하고, 사용이 결정된 수의 마커들이 필드에 배치되는 위치를 결정하는 단계와, 제2 적합도 함수를 이용하여 최종 마커 레이아웃의 성능을 평가하는 단계를 포함한다.
본 발명은 이와 같은 마커 레이아웃에 대한 최적화 접근법을 제공하여 마커 레이아웃의 품질을 향상시키고, 실험 웨이퍼들의 오버레이 오차 예측값과 마커 위치들의 비균질성을 최소화할 수 있는 마커 레이아웃을 생성해 냄으로써, 추후의 새로운 웨이퍼들에 대해서 오버레이 오차 예측 측면에서 강건한 성능을 보장할 수 있다.

2. 发明申请

WO2019088772A2 허혈성 심혈관 질환의 치료용 또는 예방용 약학 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2019088772A2
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/KR2018/013278
申请日：2018-11-02
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤영섭 , 이기범 , 조현열 , 츄엥사이통
摘要： 본 명세서에서는 ETV2 유전자에 대한 DNA 결합 도메인 (DNA binding domain) 을 포함하는 폴리아마이드, 핵 위치신호 (nuclear localization signal) 펩타이드 및 나노 입자를 포함하는, ETV2 전사 인자가 제공된다.

3. 发明申请

WO2019088772A3 허혈성 심혈관 질환의 치료용 또는 예방용 약학 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2019088772A3
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/KR2018/013278
申请日：2018-11-02
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤영섭 , 이기범 , 조현열 , 츄엥사이통
IPC分类号： C07K14/47 , C07K17/14 , C12N5/071 , A61K38/18
摘要： 본 명세서에서는 ETV2 유전자에 대한 DNA 결합 도메인 (DNA binding domain) 을 포함하는 폴리아마이드, 핵 위치신호 (nuclear localization signal) 펩타이드 및 나노 입자를 포함하는, ETV2 전사 인자가 제공된다.

4. 发明申请

WO2015046794A1 식각액 조성물, 및 이를 이용한 금속 배선과 박막 트랜지스터 기판 형성 방법 审中-公开
标题翻译：用于形成金属线和薄膜晶体管基板的蚀刻组合物和方法
公开(公告)号：WO2015046794A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/KR2014/008593
申请日：2014-09-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김인배 , 정종현 , 문영민 , 박홍식 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： H01L21/30604 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/45
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5중량% 내지 20중량%의 과황산염, 0.01중량% 내지 1중량%의 불소 화합물, 1중량% 내지 약 10중량%의 무기산, 0.01중량% 내지 2중량%의 아졸계 화합물, 0.1중량% 내지 5중량%의 염소 화합물, 0.05중량% 내지 3중량%의 구리염, 0.01중량% 내지 5중량%의 항산화제 또는 상기 항산화제의 염, 및 전체 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 물을 포함한다. 식각액 조성물은 구리를 포함하는 금속막을 식각하여 금속 배선을 형성하거나 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 제조시에 사용될 수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施方案的蚀刻剂组合物包含：基于蚀刻剂组合物的总重量，0.5重量％至20重量％的过硫酸盐，0.01重量％至1重量％的氟化合物，1重量％至约 10重量％的无机酸，0.01重量％〜2重量％的唑类化合物，0.1重量％〜5重量％的氯化合物，0.05重量％〜3重量％的铜盐，0.01重量％〜5重量％ wt％的硫酸化剂或硫酸盐的盐，以及其重量使整个组合物的总重量达到100wt％的水。蚀刻剂组合物可以用于形成金属线或者通过蚀刻含有铜的金属膜来制造薄膜晶体管基板。

5. 发明授权

KR101801845B1 산화물 반도체 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101801845B1
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020100116897
申请日：2010-11-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정연택 , 김보성 , 김영민 , 김현재 , 이두형 , 최태영 , 이기범 , 장선필 , 임유승 , 조강문 , 김동림 , 김시준 , 김두나
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본발명의일 실시예에따른산화물반도체의제조방법은주석원소를포함하는제1 화합물을제1 열처리하는단계, 아연, 인듐, 갈륨, 탈륨, 지르코늄으로이루어진군에서적어도하나이상의금속원소를포함하는제2 화합물을제2 열처리하는단계, 무수화처리된제1 화합물및 제2 화합물을혼합한후 유기용매를혼합하여전구체용액을제조하는단계, 전구체용액을기판에도포하여전구체층을형성하는단계, 전구체층을제3 열처리하여산화물반도체를형성하는단계를포함하고, 제1 열처리는 100℃이상제1 화합물의용융점이하의온도에서진행하고, 제2 열처리는 100℃이상제2 화합물의용융점이하의온도에서진행한다.

6. 发明公开

KR1020120055262A 산화물 반도체 제조 방법 有权
标题翻译：制造氧化物半导体的方法
公开(公告)号：KR1020120055262A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：KR1020100116897
申请日：2010-11-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정연택 , 김보성 , 김영민 , 김현재 , 이두형 , 최태영 , 이기범 , 장선필 , 임유승 , 조강문 , 김동림 , 김시준 , 김두나
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02565 , H01L21/324 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: An oxide semiconductor manufacturing method is provided to control an amount of hydrates among a powdered compound, thereby stably securing electrical properties. CONSTITUTION: A first compound which includes tin is first heat-treated(S102). A second compound which includes one or more metal elements among zinc, indium, gallium, thallium, and zirconium is second heat-treated. A precursor solution is manufactured by mixing an organic solvent after mixing the heat-treated first and second compounds(S108). A precursor layer is formed by spraying the precursor solution on a substrate(S110). An oxide semiconductor is formed by third heat-treating the precursor layer(S112).
摘要翻译：目的：提供一种氧化物半导体制造方法，用于控制粉末化合物中的水合物的量，从而稳定地确保电气性能。构成：首先对包含锡的第一化合物进行热处理（S102）。将包含锌，铟，镓，铊和锆中的一种或多种金属元素的第二化合物进行第二热处理。通过在混合热处理的第一和第二化合物之后混合有机溶剂来制造前体溶液（S108）。通过将前体溶液喷涂在基材上形成前体层（S110）。通过对前体层进行第三次热处理形成氧化物半导体（S112）。

7. 发明授权

KR102101384B1 허혈성 심혈관 질환의 치료용 또는 예방용 약학 조성물 有权
公开(公告)号：KR102101384B1
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：KR1020180111077
申请日：2018-09-17
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 윤영섭 , 이기범 , 조현열 , 사이통,츄엥
IPC分类号： C07K14/47 , C07K17/14 , C12N5/071 , A61K38/18

8. 发明授权

KR101802096B1 반도체 공정에서 불량을 분류 및 진단하는 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于分类和诊断半导体工艺缺陷的设备和方法
公开(公告)号：KR101802096B1
公开(公告)日：2017-11-27
申请号：KR1020160161632
申请日：2016-11-30
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김창욱 , 이기범
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/95 , H01L21/67
摘要： 본발명은반도체공정에서센서데이터를분류및 진단하는장치및 방법을개시한다. 본발명의일실시예에따르면반도체공정에서센서데이터를분류및 진단하는장치는센서데이터의입력층(input layer)에서, 수용영역(receptive field)을시간축에서만순차적으로이동시키면서로컬특징(local feature)들을수집하는로컬특징수집부; 상기수집된로컬특징(local feature)들로부터 1차원의특징맵들을추출하여콘볼루션층(convolution layer)을생성하는 1차원의특징맵 추출부; 및상기생성된콘볼루션층(convolution layer)에기초하여상기센서데이터를분류하는데이터분류부를포함하고, 상기수용영역(receptive field)의일축은상기입력층(input layer)의변수축에상응하는크기를갖는다.
摘要翻译：本发明公开了一种用于在半导体工艺中分类和诊断传感器数据的设备和方法。根据本发明的实施例，一种用于在半导体工艺中分类和诊断传感器数据的设备包括：传感器数据的输入层，仅在时间轴上顺序地移动接受场的局部特征，本地特征采集单元，用于采集本地特征; 一维特征地图提取器，用于从所收集的局部特征提取一维特征地图以生成卷积层; 以及用于基于所生成的卷积层对传感器数据进行分类的数据分类器，其中接受场的轴是与输入层的变量轴相对应的大小有。

9. 发明授权

KR101922625B1 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101922625B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：KR1020120072295
申请日：2012-07-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정종현 , 김인배 , 김선일 , 박홍식 , 정재우 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/4814
摘要： 금속배선식각액을제공한다. 본발명의한 실시예에따른금속배선식각액은과황산염, 술폰산염, 불소화합물, 아졸계화합물, 유기산, 질산염, 염소화합물을포함한다.

10. 发明授权

KR101876454B1 진공 롤투롤 장치 및 롤 타입 기판 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101876454B1
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020110092525
申请日：2011-09-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김상미 , 조국래 , 장재혁 , 이승준 , 이승민 , 이대영 , 이기범
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/34
CPC分类号： B65H18/103 , B01J3/02 , B01J3/03 , B05C11/115 , B65H2301/41487 , B65H2801/61 , C23C14/562 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C16/545 , D06B23/18
摘要： 진공롤투롤장치를제공한다. 본발명의한 실시예에따른진공롤투롤장치는제1 챔버, 상기제1 챔버와이웃하는제2 챔버, 상기제1 챔버와상기제2 챔버사이에위치하는셔터, 상기셔터에부착된실링재그리고상기실링재를통해상기제1 챔버에서상기제2 챔버로이동하는롤 타입(Roll type) 기판을포함하고, 상기롤 타입기판의양 측면중 적어도하나는가장자리로갈수록두께가얇아진다.

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