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    • 5. 发明授权
    • 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
    • 化学放大型积极光电组合物
    • KR101026948B1
    • 2011-04-06
    • KR1020040061572
    • 2004-08-05
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 김상태다카하시켄지성시진양돈식박한우
    • G03F7/004G03F7/039
    • 본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 수지와 하기 화학식 2 로 표시되는 광산 발생제와 화학식 3 으로 표시되는 첨가제를 함유하는 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물에 관한 것이다.

      [식 중,
      R
      1 : H 또는 CH
      3 ,
      R
      2 : H, 탄소수 1 ~ 6의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,
      R
      3 : 탄소수 1 ~ 10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,
      R
      4 : 탄소수 1 ~ 10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기,
      a, b, c : 각각 독립적인 자연수로서 하기의 조건을 충족한다.
      0.10 ≤( a + c )/( a + b + c ) ≤0.50 또는 0.01 ≤c/( a + b + c ) ≤0.40]


      (R
      5 , R
      6 : 탄소수 3 ~ 8의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기)

      (식 중, R
      7 및 R
      8 은 H, 탄소수 1 ~ 6의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기, 또는 알케닐기로 서로 고리화가 될 수도 있음)
      본 발명의 화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물은 기판(TiN, SiN 등)의 특성으로 형성되는 스컴을 제거하여 감도, 해상도, 잔막률, 도포성 등의 성능이 양호하고, 특히 프로파일 및 초점심도가 한층더 개량된 패턴 형상을 얻을 수 있다.
      화학증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
    • 6. 发明公开
    • 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물
    • 化学放大型正电阻组合物
    • KR1020050061640A
    • 2005-06-23
    • KR1020030092853
    • 2003-12-18
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 김상태다카하시켄지성시진양돈식박한우
    • G03F7/039
    • 화학식 1의 광산 발생제 화합물, 화학식 2의 광산 발생제 화합물 및, 본래는 알칼리 수용액에 대해 불용성 또는 난용성이지만 산에 대해 불안정한기가 산의 작용에 의해 해리된 후에는 알칼리 수용액에 대해 가용성으로 되는 수지를 함유하는 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물:

      (식에서 R
      1 은 탄소수 1~10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기, 플루오르 알킬기, 또는 할로겐 원자에 의해 임의로 치환된 탄소수 6~11의 아릴기이다).

      (식에서 R
      2 및 R
      3 는 탄소수 3~8의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기이다)

      (식에서 R
      4 은 H 또는 CH
      3 이며
      R
      5 는 H 또는 탄소수 1~6의 직쇄형, 분기형 또는 고리형알킬기이고
      R
      6 는 탄소수 1~10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기이며
      a, b, c은 각각 독립적인 자연수로서 하기 조건을 총족하며:
      0.10 ≤( a + c ) / ( a + b + c ) ≤0.50 또는 0.01 ≤c / ( a + b + c ) ≤0.40
      R
      7 은 탄소수 1~10의 직쇄형, 분기형 또는 고리형의 알킬기이다).
    • 7. 发明授权
    • 포토레지스트의 에지 비드를 제거하는 세정용액 및 이를이용한 세정방법
    • 포토레지스트의에지비드를제거하는세정용액및이를이용한세정방
    • KR100429455B1
    • 2004-05-04
    • KR1020010032590
    • 2001-06-11
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 송형수김상태강승진김주영박종원성시진양돈식
    • G03F7/32
    • PURPOSE: A cleanser solution and a cleansing method using the solution are provided, which solution is used to remove the edge bead of a photoresist coated on the circumference of a substrate ununiformly. CONSTITUTION: The cleanser solution comprises 0.1-10 wt% of an alcohol; 0.01-10 wt% of an amine; 0.01-10 wt% of a surfactant; and the balance of deionized water. Preferably the alcohol is at least one selected from the group consisting of methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, sec-butanol, cyclohexanol, 1-octanol, 2-octanol, 2-ethylhexanol, 3-chloropropanol, furfuryl alcohol, benzyl alcohol, 1-pentanol, diacetone alcohol, 1-decanol and oleyl alcohol; the amine is selected from the group consisting of methylethylamine, methylamine, dimethylamine, trimethylamine, aniline, toluidine, methylaniline, hydroxylamine, ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, ethylamine, diethylamine and triethylamine; the surfactant is a polyoxyethylene derivative emulsion; and the pH of the solution is 10-14. The method comprises the steps of coating a photoresist on the uppermost surface of a substrate; removing the edge bead of the photoresist using the cleanser solution; and exposing and developing the photoresist.
    • 目的:提供清洁剂溶液和使用该溶液的清洁方法,该溶液用于去除涂布在基材圆周上的光致抗蚀剂的边缘珠粒不均匀。 构成:清洁剂溶液包含0.1-10重量%的醇; 0.01-10重量%的胺; 0.01-10重量%的表面活性剂; 和去离子水的平衡。 优选醇为选自甲醇,乙醇,正丙醇,异丙醇,正丁醇,异丁醇,仲丁醇,环己醇,1-辛醇,2-辛醇,2-乙基己醇,3-氯丙醇 ,糠醇,苯甲醇,1-戊醇,双丙酮醇,1-癸醇和油醇; 胺选自甲基乙胺,甲胺,二甲胺,三甲胺,苯胺,甲苯胺,甲基苯胺,羟胺,乙醇胺,二乙醇胺,三乙醇胺,乙胺,二乙胺和三乙胺; 表面活性剂是聚氧乙烯衍生物乳液; 并且该溶液的pH值是10-14。 该方法包括以下步骤:在衬底的最上表面上涂覆光刻胶; 使用清洁剂溶液去除光致抗蚀剂的边缘珠粒; 并曝光和显影光致抗蚀剂。
    • 8. 发明公开
    • 알코올과 에테르를 포함하는 새로운 에지 비드 제거용세정 용액 및 이를 이용한 세정 방법
    • 用于去除边缘的新颖的清洁方法,包含醇和其他的清洁方法
    • KR1020030079324A
    • 2003-10-10
    • KR1020020018284
    • 2002-04-03
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 송형수김상태강승진성시진양돈식김일호
    • C11D3/22
    • PURPOSE: Provided is a cleaning solution which can remove the edge beads efficiently so that the processing costs can be saved and the reliability, performance and yield of the semiconductor device produced thereafter can be improved. CONSTITUTION: The cleaning solution for edge bead removing(EBR) comprises: 0.1 to 10 wt% of an alcohol; 0.1 to 10 wt% of an ether; 0.01 to 10 wt% of an amine; 0.01 to 10 wt% of an alkali metal hydroxide; 0 to 10 wt% of a surfactant; and the balance of deionized water, based on 100 wt% of the total composition. The method for removing edge bead comprises the steps of applying a photoresist on the top face of a substrate(10), removing edge beads of the photoresist by using the solution as defined above, and exposing and developing the photoresist to leave the photoresist(20) selectively.
    • 目的:提供能够有效地除去边缘珠的清洗液,能够节省加工成本,提高其后生产的半导体装置的可靠性,性能和产率。 构成:用于边缘珠去除的清洁溶液(EBR)包括:0.1至10重量%的醇; 0.1〜10重量%的醚; 0.01〜10重量%的胺; 0.01〜10重量%的碱金属氢氧化物; 0〜10重量%的表面活性剂; 和去离子水的平衡,基于总组合物的100重量%。 用于去除边缘珠的方法包括以下步骤:在基底(10)的顶面上施加光致抗蚀剂,通过使用如上所述的溶液去除光致抗蚀剂的边缘珠,以及曝光和显影光致抗蚀剂以留下光致抗蚀剂(20 )。
    • 9. 发明公开
    • 포토레지스트의 에지 비드를 제거하는 세정용액 및 이를이용한 세정방법
    • 用于去除光栅边缘的清洁剂解决方案和使用溶液的清洁方法
    • KR1020020094164A
    • 2002-12-18
    • KR1020010032590
    • 2001-06-11
    • 동우 화인켐 주식회사
    • 송형수김상태강승진김주영박종원성시진양돈식
    • G03F7/32
    • G03F7/32G03F7/322G03F7/70925H01L21/02052H01L21/0273H01L21/32134
    • PURPOSE: A cleanser solution and a cleansing method using the solution are provided, which solution is used to remove the edge bead of a photoresist coated on the circumference of a substrate ununiformly. CONSTITUTION: The cleanser solution comprises 0.1-10 wt% of an alcohol; 0.01-10 wt% of an amine; 0.01-10 wt% of a surfactant; and the balance of deionized water. Preferably the alcohol is at least one selected from the group consisting of methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, isobutanol, sec-butanol, cyclohexanol, 1-octanol, 2-octanol, 2-ethylhexanol, 3-chloropropanol, furfuryl alcohol, benzyl alcohol, 1-pentanol, diacetone alcohol, 1-decanol and oleyl alcohol; the amine is selected from the group consisting of methylethylamine, methylamine, dimethylamine, trimethylamine, aniline, toluidine, methylaniline, hydroxylamine, ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, ethylamine, diethylamine and triethylamine; the surfactant is a polyoxyethylene derivative emulsion; and the pH of the solution is 10-14. The method comprises the steps of coating a photoresist on the uppermost surface of a substrate; removing the edge bead of the photoresist using the cleanser solution; and exposing and developing the photoresist.
    • 目的:提供使用溶液的清洁剂溶液和清洁方法,该溶液用于不均匀地除去涂覆在基材周围的光致抗蚀剂的边缘珠粒。 构成:清洁剂溶液含有0.1-10重量%的醇; 0.01〜10重量%的胺; 0.01-10重量%的表面活性剂; 和去离子水的平衡。 优选醇是选自甲醇,乙醇,正丙醇,异丙醇,正丁醇,异丁醇,仲丁醇,环己醇,1-辛醇,2-辛醇,2-乙基己醇,3-氯丙醇中的至少一种 糠醇,苄醇,1-戊醇,双丙酮醇,1-癸醇和油醇; 胺选自甲基乙胺,甲胺,二甲胺,三甲胺,苯胺,甲苯胺,甲基苯胺,羟胺,乙醇胺,二乙醇胺,三乙醇胺,乙胺,二乙胺和三乙胺; 表面活性剂是聚氧乙烯衍生物乳液; 溶液的pH值为10-14。 该方法包括以下步骤:在基板的最上表面上涂覆光致抗蚀剂; 使用清洁剂溶液去除光致抗蚀剂的边缘珠; 并且曝光和显影光致抗蚀剂。