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1. 发明公开

KR1020110124530A 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 표시판 无效
标题翻译：氧化物半导体，包括其的薄膜晶体管和包括其的薄膜晶体管显示面板
公开(公告)号：KR1020110124530A
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：KR1020100043960
申请日：2010-05-11
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 가부시키 가이샤 고베세이코쇼
发明人： 이제훈 , 김주한 , 안병두 , 김상욱 , 박재우 , 김창정 , 쿠기미야토시히로 , 미키아야 , 모리타신야 , 키시토모야 , 타오히로아키 , 고토히로시
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/41733 , H01L29/26 , H01L29/06
摘要： PURPOSE: An oxide semiconductor, a thin film transistor including the same, and a thin film transistor display plate are provided to improve the stability of an oxide semiconductor by reducing oxygen vacancy. CONSTITUTION: A first substrate(110) is prepared. A gate electrode(124) is located on the first substrate. A gate insulation layer(140) is located on the gate electrode. An oxide semiconductor(154) is located on the gate insulation layer. A source electrode(173) and a drain electrode(175) are located on the oxide semiconductor.
摘要翻译：目的：提供氧化物半导体，包括该氧化物半导体的薄膜晶体管和薄膜晶体管显示板，以通过减少氧空位来提高氧化物半导体的稳定性。构成：制备第一衬底（110）。栅电极（124）位于第一基板上。栅极绝缘层（140）位于栅电极上。氧化物半导体（154）位于栅极绝缘层上。源电极（173）和漏电极（175）位于氧化物半导体上。

2. 发明授权

KR101814603B1 픽셀 소자, 및 이를 포함하는 방사성 측정 모듈과 장치 有权
公开(公告)号：KR101814603B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020110058639
申请日：2011-06-16
申请人： 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재철 , 김영 , 김창정
IPC分类号： A61B6/03 , G01T1/161 , H01L31/101
CPC分类号： H01L27/14609 , A61B6/037 , G01T1/2006 , G01T1/2018 , G01T1/208 , H01L27/14618 , H01L27/14663 , H01L2924/0002 , H04N5/3698 , H01L2924/00
摘要： 에너지해상도가개선된픽셀소자가제공된다. 이를위해본 발명은, 적어도하나의포토다이오드, 및포토다이오드에전압을공급하며, 전압저장유닛및 전압조절유닛을포함하는, 적어도하나의전압공급유닛을포함하고, 프리차지모드에서, 전압저장유닛은포토다이오드의애노드와연결되어제1 애노드전압을저장하고, 센싱모드에서, 전압조절유닛은포토다이오드의애노드의제2 애노드전압을전압저장유닛에저장된제1 애노드전압과동일하게조절하는것을특징으로하는픽셀소자를개시한다.

3. 发明公开

KR1020160130877A 박막트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管和包含其的显示器件
公开(公告)号：KR1020160130877A
公开(公告)日：2016-11-15
申请号：KR1020150062422
申请日：2015-05-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박준석 , 김보성 , 김창정
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/78663 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 본발명은박막트랜지스터및 이를구비한표시장치에관한것이다. 본발명은소스/드레인전극의상하부를둘러싸는이중의반도체층구조를가짐으로써, 저전압구동이가능하며고 해상도를갖는표시장치를제공할수 있다.
摘要翻译：薄膜晶体管包括：在基板上的下栅电极; 下栅电极上的栅极绝缘层; 栅极绝缘层上的第一半导体层; 在所述第一半导体层上的源极，在所述第一半导体层上的漏电极，并且与所述源极间隔开; 在所述第一半导体层的沟道区上以及所述源电极和所述漏电极上的第二半导体层; 第二半导体层上的钝化层; 以及对应于沟道区域设置在钝化层上的上栅电极。

4. 发明公开

KR1020170037751A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170037751A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020150136612
申请日：2015-09-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이두열 , 김창정
IPC分类号： H01L51/56 , H01L27/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/1225 , H01L27/1233 , H01L27/127 , H01L29/7869
摘要： 본발명의실시예에따른박막트랜지스터표시판의제조방법은표시영역과주변영역을포함하는기판위에반도체를도포하는단계; 상기반도체가도포된상기기판위에상기표시영역및 상기주변영역에대응하는영역의투과율이상이한광 마스크를배치하는단계; 및상기광 마스크를이용하여상기표시영역에위치하는제1 반도체와상기주변영역에위치하는제2 반도체를패터닝하는단계를포함하고, 상기제1 반도체와상기제2 반도체는두께가서로다른부분을포함하는박막트랜지스터표시판의제조방법에관한것이다.
摘要翻译：根据本发明实施例的制造薄膜晶体管面板的方法包括：在包括显示区域和外围区域的基板上施加半导体; 将遮光掩模设置在涂覆有半导体的基板上，所述遮光掩模的透射率等于或高于对应于显示区域和周边区域的透射率; 并且使用所述光学掩模图案化位于所述显示区域中的第一半导体和位于所述外围区域中的第二半导体，其中所述第一半导体和所述第二半导体具有不同的厚度以及薄膜晶体管面板的制造方法。

5. 发明公开

KR1020130107120A 광도전성 물질을 포함하는 페이스트, 광전변환층의 제조방법, 광전변환층, 및 방사선 검출기 无效
标题翻译：包括光电材料的材料，制备光子层的光学层，光子层和包括光电层的辐射检测器
公开(公告)号：KR1020130107120A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：KR1020120028961
申请日：2012-03-21
申请人： 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김선일 , 박재철 , 김창정
IPC分类号： H01B1/20 , H01L31/09 , A61B6/12 , G01T1/15
摘要： PURPOSE: A paste is provides a radiation detector with excellent performance and a photoelectric conversion layer with excellent sensitivity and low dark current characteristics. CONSTITUTION: A paste includes a photoelectric conducting material (10); a binder which has a polymerization degree of 600-1100; and a solvent (30) dissolving the binder. The photoconductive material includes at least one selected from HgI2, PbI2, PbO, TlBr, CdTe, CdZnTe, CdS, and BiI3. The content of the binder is 1-50 parts by weight based on 100.0 parts by weight of the photoconductive material. A manufacturing method of the photoelectric conversion layer comprises a step of spreading the paste on a substrate; and a step of obtaining the photoelectric conversion layer by heat-treating the paste. [Reference numerals] (10) Photoconductive material; (20) Binder (600-1100 polymerization degree); (30) Solvent; (40) Addition agent
摘要翻译：目的：一种糊状物提供具有优异性能的辐射检测器和具有优异灵敏度和低暗电流特性的光电转换层。构成：糊状物包括光电导电材料（10）; 聚合度为600-1100的粘合剂; 和溶解粘合剂的溶剂（30）。光电导材料包括选自HgI2，PbI2，PbO，TlBr，CdTe，CdZnTe，CdS和BiI3中的至少一种。基于100.0重量份的光电导材料，粘合剂的含量为1-50重量份。光电转换层的制造方法包括将浆料涂布在基板上的工序; 以及通过对该糊进行热处理来获得光电转换层的步骤。（附图标记）（10）光导材料; （20）粘合剂（聚合度600-1100）; （30）溶剂; （40）添加剂

6. 发明公开

KR1020120139078A 픽셀 소자, 및 이를 포함하는 방사성 측정 모듈과 장치 审中-实审
标题翻译：像素装置和辐射检测模块以及具有该装置的装置
公开(公告)号：KR1020120139078A
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：KR1020110058639
申请日：2011-06-16
申请人： 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박재철 , 김영 , 김창정
IPC分类号： A61B6/03 , G01T1/161 , H01L31/101
CPC分类号： H01L27/14609 , A61B6/037 , G01T1/2006 , G01T1/2018 , G01T1/208 , H01L27/14618 , H01L27/14663 , H01L2924/0002 , H04N5/3698 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A pixel device, a radiation detecting module and an apparatus having the same are provided to maintain regularly the breakdown voltage of a photo diode and to improve energy resolution. CONSTITUTION: A voltage feeding unit(20) supplies voltage to a photo diode. The voltage feeding unit comprises a voltage storing unit(30) and a voltage regulating unit(40). A voltage storing unit is connected to the anode and stores a first anode voltage. The voltage regulating unit controls a second anode voltage to be same as the first anode voltage. The voltage storing unit includes a capacitor. [Reference numerals] (20) Voltage feeding unit; (30) Voltage storing unit; (40) Voltage regulating unit(closed loop); (50) Sensing unit; (60) Quenching unit; (70) Leadout unit; (AA) PC; (BB) PCb; (CC) SW2; (DD) Sw1
摘要翻译：目的：提供像素装置，辐射检测模块和具有该像素装置的装置，以便有规律地保持光电二极管的击穿电压并提高能量分辨率。构成：电压馈送单元（20）向光电二极管提供电压。电压馈送单元包括电压存储单元（30）和电压调节单元（40）。电压存储单元连接到阳极并存储第一阳极电压。电压调节单元控制第二阳极电压与第一阳极电压相同。电压存储单元包括电容器。（附图标记）（20）供电单元; （30）电压存储单元; （40）电压调节单元（闭环）; （50）感应单元; （60）淬火单元; （70）出口单位; （AA）PC; （BB）PCb; （CC）SW2; （DD）Sw1

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