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热词
    • 2. 发明公开
    • 다중톤 광마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 기판의 제조방법
    • 多色光学掩模,其制造方法和使用其制造薄膜晶体管基板的方法
    • KR1020080010769A
    • 2008-01-31
    • KR1020060071251
    • 2006-07-28
    • 삼성디스플레이 주식회사
    • 채종철윤수완김시열윤주애
    • G02F1/136
    • G03F1/54G03F1/50
    • A multi-tone optical mask, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a thin film transistor substrate by using the same are provided to select an appropriate exposure amount to a photoresist layer in accordance with a position on a substrate to form thin film patterns having multi-steps with one mask, thereby improving the productivity of a process. A multi-tone optical mask(100) includes a base substrate(110). A shielding pattern(120) is formed on the base substrate. A first transflective layer pattern(130) is partially overlapped with the shielding pattern. A second transflective layer pattern(150) is overlapped with the first transflective layer pattern is overlapped with the partially. The multi-tone optical mask has first to fifth light transmissivity different in accordance with an area.
    • 提供多色光学掩模,其制造方法和使用该方法制造薄膜晶体管基板的方法,以根据基板上的位置选择适合于光致抗蚀剂层的曝光量以形成 薄膜图案具有多个具有一个掩模的步骤,从而提高了工艺的生产率。 多色光学掩模(100)包括基底(110)。 在基底基板上形成屏蔽图案(120)。 第一透反射层图案(130)与屏蔽图案部分重叠。 与第一半透反射层图案重叠的第二透反射层图案(150)部分地重叠。 多色调光掩模具有根据区域不同的第一至第五透光率。
    • 5. 发明授权
    • 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판 및 마스크
    • 制造显示基板,显示基板和掩模的方法
    • KR101316635B1
    • 2013-10-15
    • KR1020060070579
    • 2006-07-27
    • 삼성디스플레이 주식회사
    • 정두희박정민문경수이희국윤주애
    • G02F1/1343
    • G02F1/13454G02F2001/133388G02F2001/136236
    • 과잉 식각으로 인한 불량을 감소시키기 위한 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판 및 마스크가 개시된다. 표시 기판의 제조 방법은 서로 교차하는 신호 라인들에 의해 복수의 단위 화소가 정의된 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판 상에 포토레지스트막을 도포하는 단계와, 포토레지스트막을 패터닝하여, 표시 영역에서 신호 라인들과 오버랩되는 제1 패턴부 및 주변 영역에서 신호 라인들과 미중첩되는 영역에 형성된 복수의 더미 개구부를 포함하는 제2 패턴부를 형성하는 단계와, 제1 패턴부 및 제2 패턴부가 형성된 기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계 및 스트립 용액으로 제1 패턴부, 제2 패턴부 및 제1 및 제2 패턴부 상에 형성된 투명 전극층을 제거하여, 각 단위 화소에 대응하는 화소 전극 및 더미 개구부에 대응하는 더미 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 주변 영역에 더미 개구부를 형성함으로서 주변 영역과 표시 영역에서 포토레지스트막이 현상(develope)되는 수준을 동일하게 할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 패턴부의 두께를 전체적으로 균일화 할 수 있으므로, 제1 및 제2 패턴부를 이용한 식각 공정 시 하부 박막의 과잉 식각을 방지할 수 있다.
      더미 전극, 3 mask, 현상, develope, 포토레지스트, rTPR,