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    • 게이트전극을포함하는게이트선을형성하고, 상기게이트선위에게이트절연막을적층한다. 상기게이트절연막위에채널부를포함하는반도체, 소스전극을포함하는데이터선및 드레인전극을형성하고상기데이터선및 상기반도체의채널부위에제1 보호막, 제2 보호막, 그리고제3 보호막을순차적으로적층한다. 상기다층보호막위에상기드레인전극과대응하는위치및 화소영역에놓이는제1 부분과상기제1 부분보다두꺼운제2 부분을포함하는제1 감광막패턴을형성하고상기제1 감광막패턴을마스크로하여노출되어있는상기보호막을식각하여제거하며, 상기제1 감광막패턴을전면식각하여상기제1 부분이제거된제2 감광막패턴을형성한다. 상기제2 감광막패턴을마스크로하여노출되어있는화소영역부분의상기제3 보호막을식각하여제거하고이어화소전극용도전체막을형성하고순차적으로상기제2 감광막패턴을제거함으로써화소전극을형성한다.
    • 形成包括栅极的栅极线,并且在栅极线上层叠栅极绝缘膜。 形成数据线和包括一个半导体,源电极包括在栅极绝缘膜在沟道的漏极电极,以及为了层压半导体的第一保护膜和第二保护膜,并在所述数据线上的第三保护膜和沟道区 。 在所述多层保护膜,并形成第一感光膜图案包括比第一部分厚的第二部分和所述第一部分被放置在适当的位置和对应于该漏电极的像素区域被第一光致抗蚀剂图案作为掩模进行曝光。 蚀刻并去除保护膜,并且向前蚀刻第一光致抗蚀剂图案以形成去除第一部分的第二光致抗蚀剂图案。 第二和作为掩模对感光膜图案通过蚀刻被暴露的像素区域部分的第三钝化层去除,并且随后通过形成整个膜的像素电极是像素电极,并且在除去第二感光膜图案顺序地使用。