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1. 发明授权

KR101256910B1 표시기판 제조 방법 및 이를 이용한 표시패널 제조 방법 有权
标题翻译：制作显示基板的方法和使用其制造显示面板的方法
公开(公告)号：KR101256910B1
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：KR1020060090257
申请日：2006-09-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조우식 , 이윤석 , 우동원 , 손지현
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/13 , H01L21/3063 , H01L21/308
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F2001/134318 , G02F2001/136236
摘要： 표시기판을 형성하는 방법은, 먼저, 베이스 기판에 블랙 매트릭스 및 컬러필터 층을 형성하고, 투명 전극 및 감광층 패턴을 순차적으로 형성한다. 감광층 패턴을 마스크로 이용한 식각 공정을 통해 투명 전극을 패터닝하여 공통 전극을 형성하고, 감광층 패턴을 식각하여 스페이서를 형성한다. 이와 같이, 공통 전극과 스페이서가 하나의 감광층 패턴을 이용하여 형성되므로, 마스크 개수 및 공정 단계를 감소시키고, 제조 원가를 절감할 수 있다.
컬러필터 기판, 공통 전극, PVA, S-PVA, 마스크

2. 发明公开

KR1020160150149A 표시장치 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：一种显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160150149A
公开(公告)日：2016-12-29
申请号：KR1020150086498
申请日：2015-06-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 구본용 , 우동원
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1345
CPC分类号： G02F1/136227 , G02F1/13452 , G02F1/13454 , G02F1/136286 , G02F2001/13456 , G02F2001/136295
摘要： 본발명에따른일 실시예는표시장치에관한것으로서, 제 1 기판(110) 상에제 1 배선(210), 제 1 보호층(230), 제 2 배선(250), 제 2 보호층(270), 제 3 배선(290), 및드라이브집적회로(300)가순서대로배치된다. 또한, 제 1 보호층(230)에제 1 컨택홀(231)이형성되고, 제 2 보호층(270)에제 2 컨택홀(271)이형성된다. 여기서, 제 2 배선(250)은제 1 컨택홀(231)을통해제 1 배선(210)에연결되고, 제 3 배선(290)은제 2 컨택홀(271)을통해제 2 배선(250)에연결된다. 따라서, 제 1 내지제 3 배선(210, 250, 290)은소스전원(400)과드라이브집적회로(300)를병렬로연결한다. 이로인해, 제 1 내지제 3 배선(210, 250, 290)은데이터또는게이트신호전송시 발생되는저항을줄일수 있다. 또한, 드라이브집적회로(300)는접착층(310)을통해제 3 배선(290)에밀착되게접촉될수 있으므로, 안정적인데이터또는게이트신호전달이가능하다.
摘要翻译：显示装置包括：显示面板，包括第一基板和彼此面对的第二基板和液晶层; 以及在显示面板一侧的驱动单元。驱动单元包括：第一基板上的第一布线; 在所述第一布线上的第一钝化层，所述第一钝化层具有第一接触孔; 在所述第一钝化层上的第二布线，所述第二布线通过所述第一接触孔连接到所述第一布线; 在所述第二布线上的第二钝化层，所述第二钝化层具有第二接触孔; 在所述第二钝化层上的第三布线，所述第三布线通过所述第二接触孔连接到所述第二布线; 和第三布线上的驱动集成电路（“IC”）。

3. 发明授权

KR101909139B1 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101909139B1
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：KR1020110010745
申请日：2011-02-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 우동원 , 박정민 , 박제형 , 김상갑 , 이정수 , 김지현
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
摘要： 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기준 전극과 게이트 도전체를 하나의 노광 마스크를 이용하여, 동시에 형성할 수 있으며, 기준 전극과 게이트 도전체를 식각할 때, 비과수계 식각액을 이용하여, 기준 전극층 및 게이트 도전체의 하부막을 이루는 제1 도전층과 게이트 도전체의 상부막을 이루는 제2 도전층을 동시에 식각하거나, 하나의 도전층만 선택적으로 식각할 수 있어서, 제2 도전층과 제1 도전층을 순차적으로 식각하는 기존의 과수계 식각액을 이용하는 경우에 비하여, 제조 공정이 간단해질 수 있고, 따라서, 제조 비용이 감소할 수 있다.

4. 发明公开

KR1020080025585A 표시기판 제조 방법 및 이를 이용한 표시패널 제조 방법 有权
标题翻译：制作显示基板的方法和使用其制造显示面板的方法
公开(公告)号：KR1020080025585A
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：KR1020060090257
申请日：2006-09-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조우식 , 이윤석 , 우동원 , 손지현
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/13 , H01L21/3063 , H01L21/308
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F2001/134318 , G02F2001/136236
摘要： A method for manufacturing a display substrate and a method for manufacturing a display panel using the same are provided to minimize the number of masks required to form a color filter substrate by forming a common electrode and spacers using a single mask. A color filter layer(130) is formed on a base substrate(110), and a transparent electrode is formed on the upper part of the color filter layer. A photosensitive pattern is formed on the upper part of the transparent electrode. As patterning for the transparent electrode is carried out through an etching process which uses the photosensitive pattern as a mask, a common electrode(150) is formed. Spacers(160) is formed through the etching of the photosensitive pattern. An overcoat layer(140) is formed on an upper part of a black matrix(120) and the color filter layer to flatten the color filter layer.
摘要翻译：提供一种制造显示基板的方法和使用其的显示面板的制造方法，以通过使用单个掩模形成公共电极和间隔来最小化形成滤色器基板所需的掩模的数量。滤色器层（130）形成在基底（110）上，透明电极形成在滤色器层的上部。在透明电极的上部形成感光图案。通过使用感光图案作为掩模的蚀刻工艺进行透明电极的图案化，形成公共电极（150）。通过蚀刻感光图案形成间隔物（160）。在黑矩阵（120）的上部和滤色器层上形成覆盖层（140），以平坦化滤色器层。

5. 发明公开

KR1020120122518A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120122518A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020110040718
申请日：2011-04-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 오화열 , 서오성 , 박제형 , 최신일 , 우동원 , 박지영 , 송진호 , 김상갑
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1259 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1248
摘要： PURPOSE: A thin film transistor display plate and a manufacturing method thereof are provided to prevent a haze phenomenon of a transparent electrode by a plasma process using mixed gas with a specific ratio of hydrogen to nitrogen before a protection layer is deposited. CONSTITUTION: A gate structure(121) is formed on a substrate. A gate insulation layer(140) is formed on a gate conductor. A semiconductor, a source electrode(173), and a drain electrode are formed on the gate insulation layer. A transparent electrode is formed on a part of the drain electrode and the gate insulation layer. The substrate is processed with plasma using mixed gas of hydrogen and nitrogen. A protection layer is formed on the plasma processed semiconductor, the source electrode, the drain electrode, and the transparent electrode.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管显示板及其制造方法，以在保护层沉积之前，通过使用具有特定比例的氢气与氮气的混合气体通过等离子体处理来防止透明电极的雾度现象。构成：在基板上形成栅极结构（121）。栅极绝缘层（140）形成在栅极导体上。在栅极绝缘层上形成半导体，源电极（173）和漏电极。在漏极电极和栅极绝缘层的一部分上形成透明电极。用氢气和氮气的混合气体用等离子体处理衬底。在等离子体处理的半导体，源电极，漏电极和透明电极上形成保护层。

6. 发明公开

KR1020120090368A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120090368A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020110010745
申请日：2011-02-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 우동원 , 박정민 , 박제형 , 김상갑 , 이정수 , 김지현
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/786 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/78645 , H01L21/32134 , H01L27/1288 , H01L29/4908
摘要： PURPOSE: A thin film transistor display panel and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by forming a gate electric conductor and a reference electrode at the same time. CONSTITUTION: A gate electric conductor and a first electrode layer are formed on a substrate at the same time. A gate insulating layer(140) is formed on the gate electric conductor and the first electrode layer. A semiconductor, a source electrode, and a drain electrode are formed on the gate insulating layer. A protective film(180) is formed on the semiconductor, the source electrode, and the drain electrode. A second electrode layer is formed on the protective film. A channel of a thin film transistor is formed in the semiconductor between the source electrode and the drain electrode.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法，以同时形成栅极电导体和参考电极来降低制造成本。构成：同时在基板上形成栅电导体和第一电极层。栅极绝缘层（140）形成在栅极导电体和第一电极层上。半导体，源电极和漏电极形成在栅极绝缘层上。在半导体，源电极和漏电极上形成保护膜（180）。在保护膜上形成第二电极层。在源电极和漏电极之间的半导体中形成薄膜晶体管的沟道。

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