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1. 发明申请

WO2020246694A1 표시 장치의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2020246694A1
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：PCT/KR2020/004330
申请日：2020-03-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 서종오 , 김지환 , 소병수 , 이동민 , 최종훈
IPC分类号： H01L27/32 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/56
摘要： 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 다결정 실리콘층을 형성하는 단계, 다결정 실리콘층을 패터닝하여 제1 두께를 갖는 제1 영역과 제2 영역 및 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는 제3 영역을 포함하는 다결정 실리콘 패턴을 형성하는 단계, 다결정 실리콘 패턴 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계, 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 다결정 실리콘 패턴에 부분적으로 이온을 주입하여 액티브층을 형성하는 단계, 게이트 전극 상에 층간 절연층을 형성하는 단계, 층간 절연층 및 게이트 절연층을 관통하고 제1 영역 및 제2 영역에 각각 중첩하는 소스 접촉 구멍 및 드레인 접촉 구멍을 형성하는 단계, 소스 접촉 구멍 및 드레인 접촉 구멍을 각각 채우는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 그리고 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 발광 소자를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020150043864A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150043864A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：KR1020130122826
申请日：2013-10-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 소병수 , 최종현 , 강신문 , 서일훈
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/00 , H01L51/52
CPC分类号： H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L27/1259
摘要： 본발명은박막트랜지스터표시판그 제조방법에관한것이다. 상기박막트랜지스터표시판은, 기판; 및상기기판위에구동박막트랜지스터및 스위칭박막트랜지스터를포함하는복수의화소;를포함한다. 상기구동박막트랜지스터는, 소스영역및 드레인영역을포함하는반도체; 상기반도체와중첩하는게이트전극; 상기반도체와상기게이트전극사이에위치하는게이트절연층; 상기반도체와상기게이트절연층사이에위치하는산화막; 및소스전극및 드레인전극;을포함한다. 상기스위칭박막트랜지스터는, 소스영역및 드레인영역을포함하는반도체; 상기반도체와중첩하는게이트전극; 상기반도체와상기게이트전극사이에위치하며, 상기반도체의상부와접하는게이트절연층; 및소스전극및 드레인전극;을포함한다.
摘要翻译：薄膜晶体管显示面板及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管显示面板及其制造方法。薄膜晶体管显示面板包括基板和在基板上包括驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的多个像素。驱动薄膜晶体管包括一个半导体，它包括一个源极区和一个漏极区，一个与半导体重叠的栅电极，位于半导体和栅电极之间的栅极绝缘层，位于半导体和半导体之间的氧化物层和栅极绝缘层，以及源极和漏极。开关薄膜晶体管包括包括源区和漏区的半导体，与半导体重叠的栅电极，位于半导体和栅电极之间并且与半导体的上侧接触的栅极绝缘层半导体，以及源极和漏极。

3. 发明授权

KR102116493B1 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102116493B1
公开(公告)日：2020-06-08
申请号：KR1020130058540
申请日：2013-05-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 강신문 , 최종현 , 손용덕 , 소병수 , 서진욱
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/56

4. 发明公开

KR1020170032944A 레이저 장치 审中-实审
标题翻译：激光装置
公开(公告)号：KR1020170032944A
公开(公告)日：2017-03-24
申请号：KR1020150130470
申请日：2015-09-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 소병수 , 서종오 , 이동민 , 전상호
IPC分类号： H01S3/105 , H01S3/081 , H01S3/08
CPC分类号： G02B27/0927 , G02B17/008 , G02B17/026 , G02B27/0977 , H01S3/0071 , H01S3/0085
摘要： 본발명의일 실시예에따른레이저장치는입사레이저빔을발생시키는레이저발생기, 그리고상기입사레이저빔을가공하여출사레이저빔을만드는광학계를포함하고, 상기광학계는상기입사레이저빔의진행경로상에위치하는스플리터, 제1 미러및 제2 미러를포함하고, 상기제1 미러는사잇각을가지며서로연결되어있는제1 서브미러및 제2 서브미러를포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的激光装置包括用于产生入射激光束的激光发生器和用于通过处理入射激光束产生出射激光束的光学系统，第一反射镜和第二反射镜，其中第一反射镜包括具有角度并相互连接的第一和第二子反射镜。

5. 发明授权

KR101718528B1 다결정 규소층의 형성 방법, 상기 다결정 규소층을 포함하는 박막 트랜지스터 및 유기 발광 장치 有权
公开(公告)号：KR101718528B1
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：KR1020100083049
申请日：2010-08-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박병건 , 이탁영 , 박종력 , 정윤모 , 서진욱 , 이기용 , 정민재 , 손용덕 , 소병수 , 박승규 , 이길원 , 이동현 , 정재완 , 마이단추이반
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/324 , H01L51/52
CPC分类号： H01L29/78675 , H01L21/3226 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/66757
摘要： 기판위에비정질규소층을형성하는단계, 상기비정질규소층위에금속촉매를형성하는단계, 상기금속촉매가형성된상기비정질규소층의전면에게터링금속층을형성하는단계, 그리고열처리하는단계를포함하는다결정규소층의형성방법, 상기방법으로형성된다결정규소층을포함하는박막트랜지스터및 유기발광장치에관한것이다.

6. 发明公开

KR1020120024025A 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法和使用其的显示器
公开(公告)号：KR1020120024025A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：KR1020100086577
申请日：2010-09-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박병건 , 서진욱 , 이기용 , 이동현 , 이길원 , 박종력 , 정윤모 , 이탁영 , 소병수 , 정민재 , 박승규 , 손용덕 , 정재완
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L21/3226
摘要： PURPOSE: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a display apparatus including the same are provided to effectively reduce a metallic catalyst content remaining in a crystallized semiconductor layer. CONSTITUTION: A buffer layer(120) is arranged on a substrate(111). A crystallized semiconductor layer(131) is arranged on the buffer layer using a metallic catalyst. A gate insulating film(140) is arranged on the semiconductor layer. A getter layer(135) is arranged on the gate insulating film. The getter layer effectively getters the metallic catalyst within the semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的显示装置，以有效地降低结晶半导体层中剩余的金属催化剂含量。构成：缓冲层（120）布置在基底（111）上。使用金属催化剂在缓冲层上配置结晶半导体层（131）。栅极绝缘膜（140）布置在半导体层上。吸气剂层（135）设置在栅极绝缘膜上。吸气层有效吸收半导体层内的金属催化剂。

7. 发明公开

KR1020170141310A 레이저 결정화 장치 및 레이저 결정화 방법 审中-实审
标题翻译：激光结晶装置和激光结晶方法
公开(公告)号：KR1020170141310A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020160073882
申请日：2016-06-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 소병수 , 강미재 , 이호석 , 임재균 , 전상호 , 전연희
IPC分类号： H01S3/04 , G02B27/00 , H01S5/02 , C30B1/02
CPC分类号： H01L21/02675 , H01L21/67115 , H01L27/1274 , H01S3/005 , H01S3/03 , H01S3/0346 , H01S3/038 , H01S3/0407 , H01S3/041 , H01S3/0971 , H01S3/225
摘要： 레이저결정화장치및 이를이용한레이저결정화방법이개시된다. 레이저결정화장치는기밀용기, 한쌍의전극, 레이저공진부, 및세정미러를포함한다. 기밀용기는내부에매질가스가충진되며, 양단부에고정된제1 투명창과제2 투명창을포함한다. 한쌍의전극은기밀용기의내부에설치되며, 매질가스를여기시켜레이저광을발생시킨다. 레이저공진부는제1 투명창의외측에설치된고반사미러와, 제2 투명창의외측에설치되며고반사미러의반사율보다낮은반사율을가지는저반사미러를포함한다. 세정미러는제2 투명창을투과한레이저광 경로상의제1 위치와, 레이저광 경로와이격된제2 위치중 어느한 곳에위치하며, 운행상태에따라제1 위치와제2 위치를오갈수 있다.
摘要翻译：公开了一种激光结晶装置和使用其的激光结晶方法。激光结晶设备包括气密容器，一对电极，激光谐振器和清洁镜。气密容器包括第一透明窗口任务2透明窗口，其中填充有中等气体并且在两端固定。一对电极设置在气密容器内部并激发介质气体以产生激光。激光谐振部分包括设置在第一透明窗外侧的高反射镜和设置在第二透明窗外侧并具有比高反射镜低的反射率的低反射镜。清洁反射镜可以位于穿过第二透明窗口的激光路径上的第一位置和与激光路径间隔开的第二位置中的任一个，并且可以根据行进状态在第一位置和第二位置之间。

8. 发明公开

KR1020170107130A 레이저 장치 및 레이저 빔 균일화 방법 审中-实审
标题翻译：方法均匀的激光装置和激光束
公开(公告)号：KR1020170107130A
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020160030364
申请日：2016-03-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 서종오 , 강미재 , 소병수 , 이동민 , 이호석 , 전상호
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/40 , G02B17/02
摘要： 레이저장치와이를이용한레이저빔 균일화방법이개시된다. 레이저장치는빔 분리기, 제1 스무딩미러, 제2 스무딩미러, 및빔 통합기를포함한다. 빔분리기는단면상에서장축방향길이와단축방향폭을갖는레이저빔을제1 레이저빔과제2 레이저빔으로분리시킨다. 제1 스무딩미러와제2 스무딩미러는제1 레이저빔의경로에서로이격배치되며, 각각의중심점을기준으로기 설정된범위내에서회전하여제1 레이저빔을장축방향으로이동시킨다. 제2 스무딩미러는서로직각을유지하면서굴절코팅된제1 반사면과제2 반사면을구비하여제1 레이저빔을단축반전시킨다. 빔통합기는제1 레이저빔과제2 레이저빔을합친다.
摘要翻译：一种激光装置，使用相同的方法均化激光束中公开。的激光器装置包括一个分束器，第一平滑镜，第二反射镜平滑，mitbim集成。分束器具有长轴长度并且在横截面宽度，以所述第一激光束项目的第二激光束的短轴方向上的激光束分离。第一反射镜和第二平滑平滑镜移动第一激光束，以基于所述第一的基础上在预定范围内旋转，并且从配置间隔开与所述激光束的路径，并且每个中心点到主轴。第二平滑镜像反转缩短成直角的第一激光束和具有折射涂覆第一反射器分配第二反射面和彼此。梁群整合合并的第一激光束项目的两束激光束。

9. 发明授权

KR101752400B1 다결정 규소층의 형성 방법, 상기 다결정 규소층을 포함하는 박막 트랜지스터 및 유기 발광 장치 有权
标题翻译：形成多晶硅层的方法，包括多晶硅层的薄膜晶体管和有机发光器件
公开(公告)号：KR101752400B1
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020100086511
申请日：2010-09-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박병건 , 박종력 , 정윤모 , 이탁영 , 서진욱 , 이기용 , 정민재 , 손용덕 , 소병수 , 박승규 , 이동현 , 이길원 , 정재완
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/52
CPC分类号： H01L27/3244 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/1033 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78675 , H01L29/78678
摘要： 막질이다른제1 비정질규소층및 제2 비정질규소층을형성하는단계, 그리고상기제1 비정질규소층및 상기제2 비정질규소층을금속촉매를사용하여결정화하여제1 다결정규소층및 제2 다결정규소층으로형성하는단계를포함하는다결정규소층의형성방법, 상기방법으로형성된다결정규소층을포함하는박막트랜지스터및 유기발광장치에관한것이다.
摘要翻译：在其他第一非晶硅层和第二非晶硅层，并且所述第一非晶硅层和用金属催化剂的第一多晶硅层和第二多晶的第二非晶硅层的结晶化形成的方法，包括的膜质量形成多晶硅层的方法包括：形成一个硅层，在薄膜晶体管和其中通过上述方法形成的有机发光器件包括晶体硅层。

10. 发明授权

KR101720533B1 다결정 실리콘층의 제조 방법, 상기 다결정 실리콘층 제조 방법을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치 有权
标题翻译：制造多晶硅层的方法，制造包括制造多晶硅层的方法的薄膜晶体管的方法，通过该方法制造的薄膜晶体管以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示装置
公开(公告)号：KR101720533B1
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020100084892
申请日：2010-08-31
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정윤모 , 이기용 , 서진욱 , 정민재 , 박승규 , 손용덕 , 소병수 , 박병건 , 이길원 , 이동현 , 이탁영 , 박종력
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/52
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1218 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/78603
摘要： 본발명의일 측면에따르면, (a) 기판상에버퍼층을형성하는단계; (b) 상기버퍼층을수소플라즈마처리하는단계; (c) 상기버퍼층상에비정질실리콘층을형성하는단계; (d) 상기비정질실리콘층상에결정화를위한금속촉매층을형성하는단계; 및 (e) 열처리로비정질실리콘층을다결정실리콘층으로결정화하는단계;를포함하는다결정실리콘층의제조방법을제공한다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：（a）在衬底上形成缓冲层; （b）使缓冲层经受氢等离子体处理; （c）在缓冲层上形成非晶硅层; （d）在非晶硅层上形成用于结晶的金属催化剂层; （e）通过热处理使非晶硅层结晶成多晶硅层。

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