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1. 发明专利

KR20210031027A KR20210031027A - Quantum dot composition, light emitting diode and display device including the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210031027A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020190112211A
申请日：2019-09-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정연구 , 남민기 , 도현미 , 고윤혁 , 김성운 , 김재훈 , 박명진 , 박재홍 , 박준우
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/56 , H01L27/32 , H01L51/50 , H01L51/52
CPC分类号： H01L51/502 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K11/565 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L51/0077 , H01L51/5024 , H01L51/5048 , H01L51/52 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L51/56 , C09K2211/18 , H01L2251/308 , H01L2251/558
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 조성물은 양자점, 양자점 표면에 결합된 리간드, 아민기를 포함하는 첨가제 및 유기금속 화합물을 포함하는 전구체를 포함하여 개질된 표면 특성을 갖는 변형양자점을 형성할 수 있으며, 변형양자점을 포함하는 발광소자는 개선된 수명, 발광 효율 및 재료 안정성을 나타낼 수 있다.

2. 发明公开

KR1020160047062A 정공 수송용 재료 및 이를 이용한 유기 발광 소자 审中-实审
标题翻译：用于孔的运输和有机发光装置的化合物
公开(公告)号：KR1020160047062A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020140142766
申请日：2014-10-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 하재국 , 김범준 , 박준우 , 이창연
IPC分类号： C09K11/06 , C07D209/82 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0072 , C07D487/14 , C08F12/26 , C08F26/02 , C08F26/06 , C09D125/18 , H01L27/3248 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0061 , H01L51/0077 , H01L51/5056 , C08F212/14 , C08F212/32
摘要： 용액공정에적합한정공수송용재료및 이를이용한유기발광소자가개시된다.
摘要翻译：公开了适用于溶液处理的空穴传输材料和使用其的有机发光装置。空穴传输用化合物为-N_3族。在通过使用根据本发明的一个实施方案的化合物的光交联材料进行空穴传输的材料的情况下，空孔传输材料不会被损坏。

3. 发明授权

KR101200945B1 다결정 실리콘층의 형성 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造多晶硅层的方法和使用其制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR101200945B1
公开(公告)日：2012-11-13
申请号：KR1020060083232
申请日：2006-08-31
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박명일 , 이용의 , 이덕중 , 박준우
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 다결정 실리콘층의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법이 개시된다. 박막 트랜지스터의 제조 방법은 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 게이트 전극이 형성된 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와, 절연층 상에 게이트 전극과 중첩되며, 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층 및 이온 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층이 순차적으로 적층된 액티브층을 형성하는 단계와, 액티브층 상에 액티브층과 일부 중첩되는 소스 전극 및 소스 전극으로부터 소정 간격 이격되어 액티브층과 일부 중첩되는 드레인 전극을 형성하는 단계 및 펨토초 레이저를 이용하여, 소스 전극과 드레인 전극의 이격부에 형성된 반도체층의 절연층과 접하는 면으로부터 소정 두께를 결정화시키는 단계를 포함한다.
이에 따라, 액티브층 내 전기적 채널이 주로 형성되는 영역을 전자 이동도가 높은 다결정 실리콘으로 형성할 수 있으므로 박막 트랜지스터의 구동 특성을 향상시킬 수 있다.
펨토초 레이저, Femto seconds, 박막 트랜지스터, bottom gate

4. 发明公开

KR1020080020161A 다결정 실리콘층의 형성 방법 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造多晶硅层的方法和使用其制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020080020161A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060083232
申请日：2006-08-31
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박명일 , 이용의 , 이덕중 , 박준우
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78696
摘要： A method for manufacturing a polysilicon layer and a method for manufacturing a thin film transistor using the same are provided to enhance the driving characteristic of the thin film transistor by implementing polycrystalline silicon in an active layer. A gate electrode is formed on a substrate(10). An insulating layer(IL) is formed on the gate electrode. An active layer(A), which is overlapped with the gate electrode, is formed by sequentially stacking a semiconductor layer having an amorphous silicon and an ohmic contact layer having amorphous silicon. Source and drain electrodes, which are partially overlapped with the active layer, are formed on the insulating layer. A thickness of the semiconductor layer is crystallized using a femto second laser.
摘要翻译：提供一种制造多晶硅层的方法和使用其制造薄膜晶体管的方法，以通过在有源层中实现多晶硅来增强薄膜晶体管的驱动特性。在基板（10）上形成栅电极。在栅电极上形成绝缘层（IL）。通过顺序堆叠具有非晶硅的半导体层和具有非晶硅的欧姆接触层，形成与栅电极重叠的有源层（A）。在绝缘层上形成与有源层部分重叠的源极和漏极。使用毫微微秒激光器使半导体层的厚度结晶。

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