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1. 发明公开

KR1020050111619A ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
标题翻译： EUV光源收集器
公开(公告)号：KR1020050111619A
公开(公告)日：2005-11-25
申请号：KR1020057018039
申请日：2004-04-07
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
摘要： A method and apparatus for debris removal from a reflecting surface of an EUV collector in an EUV light source is disclosed which may comprise the reflecting surface comprises a first material and the debris comprises a second material and/or compounds of the second material, the system and method may comprise a controlled sputtering ion source which may comprise a gas comprising the atoms of the sputtering ion material; and a stimulating mechanism exciting the atoms of the sputtering ion material into an ionized state, the ionized state being selected to have a distribution around a selected energy peak that has a high probability of sputtering the second material and a very low probability of sputtering the first material. The stimulating mechanism may comprise an RF or microwave induction mechanism. The gas is maintained at a pressure that in part determines the selected energy peak and the stimulating mechanism may create an influx of ions of the sputtering ion material that creates a sputter density of atoms of the second material from the reflector surface that equals or exceeds the influx rate of the plasma debris atoms of the second material. A sputtering rate may be selected for a given desired life of the reflecting surface. The reflecting surface may be capped. The collector may comprise an elliptical mirror and a debris shield which may comprise radially extending channels. The first material may be molybdenum, the second lithium and the ion material may be helium. The system may have a heater to evaporate the second material from the reflecting surface. The stimulating mechanism may be connected to the reflecting surface between ignition times. The reflecting surface may have barrier layers. The collector may be a spherical mirror in combination with grazing angle of incidence reflector shells, which may act as a spectral filter by selection of the layer material for multi-layer stacks on the reflector shells. The sputtering can be in combination with heating, the latter removing the lithium and the former removing compounds of lithium, and the sputtering may be by ions produced in the plasma rather than excited gas atoms.
摘要翻译：公开了一种用于从EUV光源中的EUV收集器的反射表面去除碎片的方法和装置，其可以包括反射表面，其包括第一材料，并且所述碎屑包括第二材料和/或第二材料的化合物，所述系统并且方法可以包括受控的溅射离子源，其可以包括包含溅射离子材料的原子的气体; 以及将溅射离子材料的原子激发成离子化状态的刺激机构，所选择的离子化状态具有围绕选择的能量峰的分布，其具有溅射第二材料的可能性很高，并且溅射的可能性非常低材料。刺激机构可以包括RF或微波感应机构。气体保持在部分地决定所选择的能量峰值的压力下，并且刺激机构可以产生溅射离子材料的离子的流入，其从反射器表面产生第二材料的原子的溅射密度等于或超过第二种材料的等离子体碎片原子的流入速率。可以在反射表面的给定期望寿命期间选择溅射速率。反射面可以被盖住。收集器可以包括椭圆镜和可包括径向延伸通道的碎片屏蔽。第一材料可以是钼，第二锂和离子材料可以是氦。该系统可以具有从反射表面蒸发第二材料的加热器。刺激机构可以在点火时间之间连接到反射表面。反射表面可以具有阻挡层。收集器可以是与入射反射器壳的掠射角组合的球面镜，其可以通过选择反射器壳体上的多层堆叠的层材料来充当光谱滤光器。溅射可以与加热相结合，后者除去锂和前者除去锂的化合物，并且溅射可以是在等离子体中产生的离子而不是被激发的气体原子。

2. 发明授权

KR101118996B1 ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
标题翻译： EUV光源收集器
公开(公告)号：KR101118996B1
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020117003417
申请日：2004-04-07
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
摘要： 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.

3. 发明授权

KR101042177B1 ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
公开(公告)号：KR101042177B1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020057018039
申请日：2004-04-07
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
摘要： 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스 택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.
EUV광원, 콜렉터, 자극 메커니즘, 플라즈마, 스퍼터링, 반사기, 쉘, 스펙트럼 필터

4. 发明公开

KR1020110025882A ＥＵＶ광원용 콜렉터 失效
标题翻译： EUV光源收集器
公开(公告)号：KR1020110025882A
公开(公告)日：2011-03-11
申请号：KR1020117003417
申请日：2004-04-07
申请人： 사이머 엘엘씨
发明人： 파틀로윌리엄엔. , 알고츠제이.마틴 , 블루멘스톡게리엠. , 바우어링노버트 , 어쇼브알렉산더아이. , 포멘코프이고르브이. , 판지아오지앙제이.
IPC分类号： H01S3/10
CPC分类号： H05G2/001 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70175 , G03F7/70916 , G21K1/062
摘要： 반사면을 포함할 수 있는 EUV광원내의 EUV콜렉터의 반사면으로부터 찌꺼기를 제거하기 위한 방법과 장치가 개시되고, 반사면은 제 1 물질을 포함하고 찌꺼기는 제 2 물질 및/또는 제 2 물질의 화합물을 포함하고, 본 시스템 및 방법은 제어된 스퍼터링 이온 소스를 포함할 수 있고, 상기 제어된 스퍼터링 이온 소스는 스퍼터링 이온 물질의 원자를 포함하는 가스; 및 스퍼터링 이온 물질의 원자를 이온화 상태로 여기시키는 자극 메커니즘을 포함할 수 있고, 상기 이온화 상태는 제 2 물질을 스퍼터링하는 확률이 높고 제 1 물질을 스퍼터링하는 확률이 매우 낮은 선택된 에너지 피크 주위에서의 분포를 가지도록 선택된다. 자극 메커니즘은 RF 또는 마이크로웨이브 유도 메커니즘을 포함할 수 있다. 가스는 선택된 에너지 피크를 부분적으로 결정하는 압력으로 유지되고 자극 메커니즘은 제 2 물질의 플라즈마 찌꺼기 원자의 유입율과 같거나 초과하는 반사면으로부터 제 2 물질의 원자의 스퍼터 밀도를 생성하는 스퍼터링 이온 물질의 이온의 유입을 생성할 수 있다. 스퍼터링 율은 반사면의 소정의 원하는 수명에 대해 선택될 수 있다. 반사면은 캐핑될 수 있다. 콜렉터는 타원형 미러와 방사상으로 뻗어있는 채널을 포함할 수 있는 찌꺼기 실드를 포함할 수 있다. 제 1 물질은 몰리브덴, 제 2 물질은 리튬일 수 있고 이온 물질은 헬륨일 수 있다. 시스템은 반사면으로부터 제 2 물질을 증발시키기 위한 히터를 구비할 수 있다. 자극 메커니즘은 점화 시점사이에 반사면에 연결될 수 있다. 반사면은 장벽층을 구비할 수 있다. 콜렉터는, 반사기 쉘상의 다층 스택을 위한 층물질의 선택에 의해 스펙트럼 필터로서 기능할 수 있는, 입사 반사기 쉘의 스침각과 결합하여 구형 미러일 수 있다. 스퍼터링은 가열과 결합하게 될 수 있고, 후자는 리튬을 제거하고 전자는 리튬의 화합물을 제거하고, 스퍼터링은 여기된 가스 원자보다는 플라즈마내에서 생성된 이온에 의해 될 수 있다.

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