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1. 发明授权

KR100762423B1 반도체 패키지 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR100762423B1
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020060058028
申请日：2006-06-27
申请人： 박영진
发明人： 이계남 , 박영진 , 양현규 , 김유란
IPC分类号： H01L23/02 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/12 , H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/056 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L2224/85466 , H01L2224/85481 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/013
摘要： A semiconductor package and its manufacturing method are provided to improve an under fill process of a conventional flip chip bonding, and to solve a problem of the process complexity and high costs by forming a passivation film entirely at a fine space and size semiconductor chip including a side part of the semiconductor chip. A semiconductor package comprises a metal pad, a semiconductor chip and a passivation film. The metal pad(42) is formed on a semiconductor substrate on which a structure is formed for manufacturing a semiconductor device. The semiconductor chip(40) including a bump electrode(45) is formed to connect to the metal pad. The passivation film(47) is formed at a side surface, a back surface and an upper surface of the semiconductor chip except for the upper surface of the bump electrode.
摘要翻译：提供了一种半导体封装及其制造方法，用于改进传统的倒装芯片接合的填充过程，并且通过在细微空间和尺寸半导体芯片上整体形成钝化膜来解决工艺复杂性和高成本的问题，半导体芯片的侧面部分。半导体封装包括金属焊盘，半导体芯片和钝化膜。金属焊盘（42）形成在半导体衬底上，在半导体衬底上形成用于制造半导体器件的结构。包括突起电极（45）的半导体芯片（40）形成为连接到金属焊盘。钝化膜（47）形成在半导体芯片的除了凸块电极的上表面的侧表面，背面和上表面之外。

2. 发明授权

KR100708605B1 복합 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：复合装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100708605B1
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020070005737
申请日：2007-01-18
申请人： 박영진
发明人： 김진형 , 박영진 , 양현규 , 김유란 , 이계남
IPC分类号： H01L27/06
摘要： 본 발명은 복합 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 능동 소자 및/또는 수동 소자를 서로 다른 기판상에 소정 용량의 단위 소자를 복수 형성하는 셀 어레이 방식으로 형성하고 필요로 하는 용량에 따라 선택된 수의 단위 소자를 콘택 및 배선을 이용하여 연결함으로써 복합 소자를 구성한다. 이에 따라 마스크의 수 및 공정 수를 줄일 수 있어 생산비 및 생산 시간을 대폭 줄일 수 있다.
복합 소자, 아날로그 필터, 소자 어레이, 용량, 마스크
摘要翻译：复合元件的本发明，并且涉及一种制造方法中，有源元件和/或按照给定的容量，在其中需要以形成单元阵列，形成多个的方法中的电容器不同的基板上的无源元件的单元设备中选择并且单元元件通过使用触点和布线连接以构成复合元件。因此，可以减少掩模的数量和工艺数量，并且可以大大降低生产成本和生产时间。

3. 发明授权

KR100720965B1 차단 주파수 조절이 가능한 전자파 차폐 필터 有权
标题翻译：截止频率可调的电磁波屏蔽滤波器
公开(公告)号：KR100720965B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060058029
申请日：2006-06-27
申请人： 박영진
发明人： 이계남 , 박영진 , 김진형 , 양현규 , 김유란
IPC分类号： H03H7/00 , H03H7/09
摘要： 본 발명은 전자파 장애(Electromagnetic Interference; EMI) 필터에 관한 것이다. 본 발명에서는 저항 및 캐패시터 또는 인덕터 및 캐패시터를 포함하여 구성되는 EMI 필터의 캐패시턴스와 저항 또는 인덕턴스를 조절할 수 있도록 함으로써 원하는 차단 주파수에 특성에 따라 별개의 EMI 필터를 제작하지 않더라고 차단 주파수를 자유롭게 조절할 수 있고, 또한 EMI 필터 뿐만 아니라 ESD 보호 기능을 포함한 서지(surge) 보호 소자에도 적용할 수 있어 공정 단순화 및 비용 절감이 가능한 지능형 EMI 필터가 제시된다.
EMI 필터, 차단 주파수, 캐패시턴스, EMI 보호 기능, surge protection
摘要翻译：本发明涉及一种电磁干扰（EMI）滤波器。在本发明中，电阻器和一个电容器或电感器和所述高逝根据由使得能够调节电容和电阻或EMI滤波器的，它包括一个电容器可以自由调节截止频率的电感在所需截止频率的特性，以产生一个单独的EMI滤波器此外，它不仅可以应用于EMI滤波器，而且可以应用于包括ESD保护功能的电涌保护器件，从而提供一种能够简化工艺并降低成本的智能EMI滤波器。

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