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1. 发明申请

WO2012169788A2 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：单晶硅陶瓷及其制造方法
公开(公告)号：WO2012169788A2
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/KR2012/004479
申请日：2012-06-07
申请人： 동우화인켐 주식회사 , 이재연 , 박면규 , 홍형표 , 진영준
发明人： 이재연 , 박면규 , 홍형표 , 진영준
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： C30B29/06
摘要： 본 발명은 단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 한 정점으로부터 바닥면에 이르는 측면이 곡면인 다수의 피라미드로 이루어진 표면을 갖도록 구성됨으로써 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 크게 낮춰 광효율을 더욱 높일 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다.
摘要翻译：单晶硅晶片及其制造方法技术领域本发明涉及单晶硅晶片及其制造方法，更具体地涉及：结晶硅晶片，其可以通过使由于结晶硅晶片构成的光吸收量和光反射率最大化而进一步提高光效率具有由多个棱锥组成的表面，其中从一个顶点到底部的侧面是弯曲的; 及其制造方法。

2. 发明申请

WO2013089338A1 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 审中-公开
标题翻译：晶体蚀刻溶液组成的晶体硅晶体和纹理蚀刻方法
公开(公告)号：WO2013089338A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/KR2012/007131
申请日：2012-09-05
申请人： 동우화인켐 주식회사 , 박면규 , 이재연 , 홍형표
发明人： 박면규 , 이재연 , 홍형표
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/08
CPC分类号： C09K13/02 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 폴리카르복시산계 고분자 및 이의 염을 포함함으로써, 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면에 균일한 미세 피라미드 구조를 형성함으로써 광 반사율이 낮은 텍스쳐를 제조할 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及结晶硅晶片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法，更具体地说，涉及一种含有多元羧酸系聚合物及其盐的纹理蚀刻液组合物，形成均匀的金字塔结构在晶体硅晶片的表面上，从而制造具有低光学反射的纹理，并且进行纹理蚀刻方法。

3. 发明申请

WO2012169722A1 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 审中-公开
标题翻译：纹理蚀刻溶液组合物和结晶硅蚀刻方法
公开(公告)号：WO2012169722A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/KR2012/001750
申请日：2012-03-09
申请人： 동우화인켐 주식회사 , 홍형표 , 이재연 , 박면규
发明人： 홍형표 , 이재연 , 박면규
IPC分类号： C09K13/02 , C23F1/24 , H01L21/306
CPC分类号： H01L31/02363 , C09K13/06 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알칼리 화합물; 다당류; 실리카 화합물; 및 잔량의 물을 최적의 함량으로 포함함으로써 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 미세 피라미드 구조의 텍스쳐의 균일성을 향상시켜 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 낮춰 광효율을 높일 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及结晶硅晶片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法，更具体地，涉及一种晶体硅晶片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法，其包含最佳含量：碱复合; 多糖; 二氧化硅化合物; 剩余的水分，从而提高结晶硅晶片表面上具有精细金字塔结构的织构的均匀性，从而使太阳光吸收能力最大化，降低光反射率，从而提高光效。

4. 发明申请

WO2013058477A2 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 审中-公开
标题翻译：纹理蚀刻液晶体硅片的组成和纹理蚀刻方法
公开(公告)号：WO2013058477A2
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/KR2012/007130
申请日：2012-09-05
申请人： 동우화인켐 주식회사 , 홍형표 , 이재연 , 박면규 , 임대성
发明人： 홍형표 , 이재연 , 박면규 , 임대성
IPC分类号： C09K13/00 , H01L31/18
CPC分类号： C09K13/02 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 질소 원자를 포함하는 탄소수 4 내지 10인 고리 화합물로 치환된 단량체가 중합된 고분자를 포함함으로써, 결정성 실리콘 웨이퍼의 표면에 미세 피라미드 구조를 형성함에 있어서 위치별 텍스쳐의 품질 편차를 최소화하여 광 효율을 증가시키고, 반사율을 저감시킬 수 있는 특정 구조의 피라미드를 형성할 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
摘要翻译：
本发明涉及一种纹理蚀刻液体组合物和结晶硅晶片的纹理蚀刻，更具体地说，与具有碳原子数4〜10的环状化合物的氮原子，以聚合取代的单体确定其可以形成具有特定结构，棱锥，其通过包括聚合物，在形成结晶硅晶片的表面上的微金字塔结构由纹理以最小化位置质量变化增加光效率，并且可以降低反射率本发明涉及一种硅晶片的纹理蚀刻剂组合物及其纹理蚀刻方法。

5. 发明申请

WO2012144733A2 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 审中-公开
标题翻译：纹理蚀刻液晶体硅片的组成和纹理蚀刻方法
公开(公告)号：WO2012144733A2
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：PCT/KR2012/001685
申请日：2012-03-08
申请人： 동우화인켐 주식회사 , 홍형표 , 이재연 , 박면규
发明人： 홍형표 , 이재연 , 박면규
IPC分类号： C09K13/02 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/02
摘要： 본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알칼리 화합물; 탄소수 2-6인 알켄기를 포함하는 작용기가 결합된, 질소 원자를 함유하는 고리형 화합물; 및 잔량의 물을 포함함으로써 실리콘의 결정 방향에 대한 에칭 속도 차이를 조절하여 종래와 다른 형상의 미세 피라미드를 형성할 수 있고 텍스쳐의 균일성을 향상시켜 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 크게 낮춰 광 효율을 더욱 높일 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
摘要翻译：用于晶体硅晶片的纹理蚀刻剂组合物和蚀刻纹理的方法技术领域本发明涉及用于晶体硅晶片的纹理蚀刻剂组合物和蚀刻纹理的方法，并且更具体地涉及蚀刻碱性化合物的方法; 含有与含有碳原子数2〜6的烯基的官能团键合的氮原子的环状化合物; 并且通过包括的水的剩余量，以调节在硅的晶体方位蚀刻速度差来形成其他形状的微细的金字塔在现有技术中，提高纹理的均匀性最大化太阳能光吸收和大大降低了光学光反射率更具体地，涉及能够进一步提高效率的结晶硅晶片的纹理蚀刻剂组合物和纹理蚀刻方法。

6. 发明申请

WO2013002502A9 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2013002502A9
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/KR2012/004786
申请日：2012-06-18
申请人： 동우화인켐 주식회사 , 홍형표 , 박면규 , 이재연
发明人： 홍형표 , 박면규 , 이재연
IPC分类号： C09K13/02 , C23F1/24 , H01L21/306
摘要： 본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알칼리 화합물; 고리형 화합물; 다당류; 및 잔량의 물을 최적의 함량으로 포함함으로써 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 위치별 텍스쳐의 균일성을 향상시켜 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 낮춰 광효율을 높일 수 있고 단위 사용량에 대한 처리 매수를 증가시킬 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.

7. 发明申请

WO2013100318A1 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 审中-公开
标题翻译：用于晶体硅水泥的纹理蚀刻组合物和纹理蚀刻方法
公开(公告)号：WO2013100318A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/KR2012/007132
申请日：2012-09-05
申请人： 동우화인켐 주식회사 , 홍형표 , 이재연 , 이승용 , 임대성
发明人： 홍형표 , 이재연 , 이승용 , 임대성
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알칼리 화합물; 고리형 화합물; 폴리옥시에틸렌계(POE) 화합물, 폴리옥시프로필렌계(POP) 화합물 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 계면활성제; 및 물을 포함함으로써 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 텍스쳐 품질 편차를 최소화시켜 텍스쳐 구조의 균일성을 향상시켜 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 낮춰 광효율을 높일 수 있으며 사용량을 현저히 낮추어 처리 매수를 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 테스쳐 공정 중 별도의 에칭액 성분을 투입할 필요가 없어 생산성을 높이고 비용 면에서도 경제적인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于晶体硅晶片的纹理蚀刻剂组合物和纹理蚀刻方法，更具体地，涉及一种用于晶体硅晶片的纹理蚀刻剂组合物，其包含：碱性化合物; 环状化合物一种或多种选自聚氧乙烯（POE）的化合物，聚氧丙烯（POP））化合物及其共聚物的表面活性剂; 和水，其中结晶硅晶片表面上的纹理质量的偏差最小化，从而提高纹理结构的均匀性，从而使太阳辐射的吸收最大化并降低光反射率，从而提高光效率使用量显着降低，从而增加待处理的片材数量，并且不需要在纹理加工过程中注入额外的蚀刻剂组分，从而提高生产率并且成本低廉，并且进行纹理蚀刻方法。

8. 发明申请

WO2012169721A1 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 审中-公开
标题翻译：纹理蚀刻溶液组合物和结晶硅蚀刻方法
公开(公告)号：WO2012169721A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/KR2012/001741
申请日：2012-03-09
申请人： 동우화인켐 주식회사 , 홍형표 , 이재연 , 임대성
发明人： 홍형표 , 이재연 , 임대성
IPC分类号： C09K13/02 , C23F1/24 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/06 , H01L31/02363 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알칼리 화합물; 다당류; 지방산,이의 금속염 또는 이들의 혼합물; 및 잔량의 물을 최적의 함량으로 포함함으로써 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 미세 피라미드 구조의 텍스쳐의 균일성을 향상시켜 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 낮춰 광효율을 높일 수 있는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及结晶硅晶片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法，更具体地，涉及用于晶体硅晶片的纹理蚀刻方法和纹理蚀刻溶液的组合物，其包含最佳含量：碱化合物; 多糖; 脂肪酸及其金属盐或其混合物; 剩余部分为水，从而提高晶体硅晶片表面上的具有精细金字塔结构的纹理的均匀性，从而使太阳光吸收最大化，并降低光反射率以提高发光效率。

9. 发明申请

WO2012091395A9 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2012091395A9
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/010127
申请日：2011-12-26
申请人： 동우화인켐 주식회사 , 홍형표 , 이재연 , 이승용 , 임대성
发明人： 홍형표 , 이재연 , 이승용 , 임대성
IPC分类号： C09K13/02 , C09K13/00
摘要： 본 발명은 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알칼리 화합물; 고리형 화합물; 폴리옥시에틸렌계(POE) 화합물, 폴리옥시프로필렌계(POP) 화합물 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 계면활성제; 및 물을 포함함으로써 결정성 실리콘 웨이퍼 표면의 텍스쳐 품질 편차를 최소화시켜 텍스쳐 구조의 균일성을 향상시켜 태양광의 흡수량을 극대화시키고 광 반사율을 낮춰 광효율을 높일 수 있으며 사용량을 현저히 낮추어 처리 매수를 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 테스쳐 공정 중 별도의 에칭액 성분을 투입할 필요가 없어 생산성을 높이고 비용 면에서도 경제적인 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법에 관한 것이다.

10. 发明申请

WO2012021026A2 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭 방법 (1) 审中-公开
标题翻译：用于晶体硅沉积的纹理蚀刻组合物和纹理蚀刻方法（1）
公开(公告)号：WO2012021026A2
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/KR2011/005949
申请日：2011-08-12
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 홍형표 , 이재연 , 임대성
发明人： 홍형표 , 이재연 , 임대성
IPC分类号： C23F1/32 , C23F1/40 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/302 , C09K13/00 , C09K13/02 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L31/02363 , H01L31/182 , H01L31/1824 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 (A)알칼리 화합물, (B)비점이 100℃ 이상인 고리형 화합물, (C)실리카를 포함하는 화합물, 및 (D) 물을 포함하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 이를 이용하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 에칭 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 결정성 실리콘 표면의 빛 흡수를 극대화할 수 있는 미세 피라미드 구조 형성을 위한 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 이를 이용하는 결정성 실리콘 웨이퍼의 에칭 방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于晶体硅晶片的纹理蚀刻剂组合物，以形成能够使结晶硅表面上的光吸收最大化的微锥体结构，以及使用其形成蚀刻晶体硅晶片的方法，晶体硅晶片纹理蚀刻组合物，其包含（A）碱性化合物，（B）沸点为100〜以上，（C）具有二氧化硅的化合物和（D）水，以及使用该方法蚀刻晶体硅晶片的方法。

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