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1. 发明授权

KR100290750B1 플라즈마처리의 종점검출 방법 및 장치 失效
公开(公告)号：KR100290750B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019940025027
申请日：1994-09-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 사이토스스무 , 고시미즈지시오 , 에구치가즈오 , 히구치기미히로 , 데구치요이치
IPC分类号： G01N21/68 , H05H1/46 , H01L21/3065 , G01N21/62
摘要： 개시된 내용은 피처리물상에서 수행되는 플라즈마 처리의 종점을 검출하는 방법 및 플라즈마 처리장치이다. 그 방법은 플라즈마 내의 C
2 에 대하여 특정한 파장대역을 넘는 방출 스펙트럼을 광학적 검출수다에 의하여 검출하는 단계와, 광학적 검출수단에 의하여 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 단계를 포함하여 구성된다. 장치는 처리실과, 한쌍의 전극과, 광수집기구와 광검출기 및 결정기구를 가진다. 처리실은 감시창을 가진다. 전극은 처리실내에 위치된다. 제1전극은 피처리물을 지지하는데 사용된다. 고주파 전원이 처리가스를 플라즈마로 변환하도록 전극사이에 공급된다. 광수집기구는 감시창을 통한 플라즈마로부터 광을 수집한다. 광학적 검출기는 수집된 광으로부터 방출스펙트럼을 검출한다. 결정기구는 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정한다. 감시창은 처리실에서 돌출한 원동형 부재의 먼쪽 끝단에 고정된다. 부재는 플라즈마 처리에 의하여 발생된 가스를 빼내기 위한 좁은 가스 통로를 가진다.

2. 发明公开

KR1019950010713A 플라즈마처리의 종점검출 방법 및 장치 失效
标题翻译：用于等离子体处理终点检测的方法和设备
公开(公告)号：KR1019950010713A
公开(公告)日：1995-04-28
申请号：KR1019940025027
申请日：1994-09-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 동경 엘렉트론 에이티 주식회사
发明人： 사이토스스무 , 고시미즈지시오 , 에구치가즈오 , 히구치기미히로 , 데구치요이치
IPC分类号： G01N21/68 , H05H1/46 , H01L21/3065 , G01N21/62
摘要： 개시된 내용은 피처리물상에서 수행되는 플라즈마 처리의 종점을 검출하는 방법 및 플라즈마 처리장치이다.
그 방법은 플라즈마 내의 C
2 에 대하여 특정한 파장대역을 넘는 방출 스펙트럼을 광학적 검출수단에 의하여 검출하는 단게와 광학적 검출수단에 의하여 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 단계를 포함하여 구성된다. 장치는 처리실과 한쌍의 전극과 광수집기구와 광검출기, 및 결정기구를 가진다. 처리실은 감시창을 가진다. 전극은 처리실내에 위치된다. 제1전극은 피처리물을 지지는데 사용된다. 고주파 전원이 처리가스를 플라즈마로 변환하도록 전극사이에 공급된다. 광수집기구는 감시창을 통한 플라즈마로부터 광을 수집한다. 광학적 검출기는 수집된 광으로부터 방출스펙트럼을 검출한다. 결정기구는 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정한다. 감시창은 처리실에서 돌출한 원통형 부재의 먼쪽 끝단에 고정된다. 부재는 플라즈마 처리에 의하여 발생된 가스를 빼내기 위한 좁은 가스 통로를 가진다.

3. 发明授权

KR101997009416B1 플라즈마 처리장치 失效
公开(公告)号：KR101997009416B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019940001585
申请日：1994-01-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 데구치요이치 , 가와카미사토루 , 우에다요이치 , 고미노미쓰아키
IPC分类号： H05H1/00

4. 发明授权

KR100290748B1 플라즈마 처리장치 失效
公开(公告)号：KR100290748B1
公开(公告)日：2001-03-06
申请号：KR1019940001585
申请日：1994-01-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 데구치요이치 , 가와카미사토루 , 우에다요이치 , 고미노미쓰아키
IPC分类号： H05H1/00

5. 发明授权

KR100247532B1 플라즈마 처리장치 失效
公开(公告)号：KR100247532B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019940002756
申请日：1994-02-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가와카미사토루 , 스즈키쓰요시 , 아라미준이치 , 데구치요이치
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01J37/3244 , H01L21/6838
摘要： 플라즈마 처리챔버내의 플라즈마 발생용 하부전극상에 정전척으로 유지되어 있는 반도체 웨이퍼의 배면쪽에 He등의 백사이드가스를 공급하면서 플라즈마 처리를 하는 경우 백사이드 가스 도입관을 통하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이에서 얻은 방전을 방지하기 위하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이의 절연체내의 위치에서 가스도입관내에 축방향으로 신장하는 다수의 소직경의 통류공를 구비한 2 종류의 전기 절연재로 되는 원추형상 유로부재가 끼워넣어진다. 이것에 의하여 백사이드 가스의 가스유로의 직경이 적기때문에 방전개시 전압이 높게되어 방전을 방지할 수 있고, 또 통류공은 다수 형성되어 있으므로 커다란 콘덕턴스를 확보 할 수가 있다. 백사이드 가스는 플라즈마 처리후는 가스 도입관을 통하여 배출된다.
이것에 의하여 웨이퍼와 정전척과의 사이에 수분이 잔유하거나 처리챔버내에 수분이 잔유하는 것이 방지되고, 웨이퍼의 대전방지와 처리 챔버의 배기시간 단축이 가능하게 된다.

6. 发明公开

KR1019940020495A 플라즈마 처리장치 失效
标题翻译：等离子处理设备
公开(公告)号：KR1019940020495A
公开(公告)日：1994-09-16
申请号：KR1019940002756
申请日：1994-02-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가와카미사토루 , 스즈키쓰요시 , 아라미준이치 , 데구치요이치
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 플라즈마 처리챔버내의 플라즈마 발생용 하부전극상에 정전척으로 유지되어 있는 반도체 웨이퍼의 배면쪽에 He 등의 백사이드가스를 공급하면서 플라즈마 처리를 하는 경우 백사이드 가스 도입관을 통하여 하부전극과 그라운드 부재와의 사이에서 얻은 방전을 방지하기 위하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이의 절연체내의 위치에서 가스도입관내에 축방향으로 신장하는 다수의 소직경의 통류공을 구비한 2종류의 전기 절연재로 되는 원추형상 유로부재가 끼워넣어진다. 이것에 의하여 백사이드 가스의 가스유로의 직경이 적기 때문에 방전개시 전압이 높게되어 방전을 방지할 수 있고, 또 통류공은 다수 형성되어 있으므로 커다란 콘덕턴스를 확보할 수가 있다. 백사이드 가스는 플라즈마 처리후는 가스 도입관을 통하여 배출된다.
이것에 의하여 웨이퍼와 정전척과의 사이에 수분이 잔유하거나 처리챔버내에 수분이 잔유하는 것이 방지되고, 웨이퍼의 대전방지와 처리 챔버의 배기시간 단축이 가능하게 된다.

7. 发明授权

KR100379649B1 기판처리방법및기판처리장치 有权
公开(公告)号：KR100379649B1
公开(公告)日：2003-07-22
申请号：KR1019970056977
申请日：1997-10-31
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 아키모토마사미 , 데구치요이치
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67178 , H01L21/6715 , Y10S414/135
摘要： Disclosed is an apparatus for processing a substrate in which a processing consisting of a plurality of process steps is applied to a substrate to be processed. The apparatus comprises a transfer zone extending in a vertical direction, a plurality of process groups arranged to surround the transfer zone for processing the substrate, each process group consisting of a plurality of process units stacked one upon the other, and each process unit having an opening communicating with the transfer zone for transferring the substrate into and out of the process unit, a main arm mechanism movably mounted in the transfer zone for transferring the substrate into and out of the process unit through the opening, and down flow forming means for forming a down flow of a clean air within the transfer zone. At least one of the plural process groups includes a plurality of thermal units for heating or cooling the substrate, a transfer unit for transferring the substrate into and out of the transfer zone, and a gas process unit for processing the substrate with a gas, the opening of the gas process unit being positioned lower than the openings of the thermal units and the transfer unit.
摘要翻译：公开了一种用于处理衬底的设备，其中由多个处理步骤组成的处理被应用于待处理的衬底。该设备包括在垂直方向上延伸的转移区域，多个处理组被布置为围绕处理衬底的转移区域，每个处理组由多个彼此堆叠的处理单元组成，并且每个处理单元具有与输送区域连通，用于将衬底输入和输出处理单元;主臂机构，可移动地安装在输送区域中，用于通过开口将衬底输入和输出处理单元;以及下流形成装置，用于形成清洁空气在传送区域内向下流动。多个工艺组中的至少一个工艺组包括用于加热或冷却基板的多个热单元，用于将基板传送进出传送区域的传送单元以及用气体处理基板的气体处理单元，气体处理单元的打开位置低于热单元和转印单元的开口。

8. 发明授权

KR100250009B1 처리방법 및 장치 失效
标题翻译：治疗装置和方法
公开(公告)号：KR100250009B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019930022132
申请日：1993-10-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오오쓰키하야시 , 데구치요이치
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67167 , C23C8/06 , H01L21/67057 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , Y10S414/136 , Y10S414/139 , Y10S414/141 , Y10S438/928
摘要： 피처리체의 표면과 이면을 피처리체의 분위기 상태를 변화시키지 않고, 동일 조건하에서 처리할 수 있는 처리방법 및 장치를 제공하는 것으로, 피처리체를 처리가스 분위기에서 재치대에 설치한 유지기구에 유지하여 처리하는 방법에 있어서, 상기 재치대와 피처리체를 함께 회전기구에 의하여 소정 방향으로 회전시키는 공정과, 상기 재치대의 회전을 정지하여 상기 유지기구를 별도의 회전기구에 의하여 회전시켜서 피처리체의 표면과 이면을 상기 재치대에 대하여 상대적으로 회전시키는 공정으로 된다. 따라서, 피처리체의 표면과 이면을 피처리체의 분위기 상태를 변화시키지 않고, 동일 조건하에서 처리할 수 있다.

9. 发明公开

KR1019940020497A 플라즈마 처리장치 失效
公开(公告)号：KR1019940020497A
公开(公告)日：1994-09-16
申请号：KR1019940002805
申请日：1994-02-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 데구치요이치 , 가와카미사토루 , 고야마시로 , 이시카와겐지
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 플라즈마 생성용 대향전극의 한 쪽 서셉터에, 정전척 및 피처리체의 상부 돌출용 핀이 설치되어 있다. 상부 돌출용 핀과 서셉터가 전기적으로 접속되어 있다. 서셉터에의 RF 전력 공급회로와 병렬로 서셉터에 대전할 가능성이 있는 전하를 방전하는 접지회로가 설치되어 있다. 따라서, 서셉터에의 전력 공급회로에 잔류하는 전하를 방전할 수 있음과 동시에, 상부 돌출용 핀과 서셉터 사이의 이상방전을 방지한다.

10. 发明公开

KR1019940019197A 플라즈마 처리장치에 사용되는 고주파급전수단 失效
标题翻译：等离子体处理装置中使用的高频电源装置
公开(公告)号：KR1019940019197A
公开(公告)日：1994-08-19
申请号：KR1019940001040
申请日：1994-01-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우에다요이치 , 고미노미쓰아키 , 가와카미사토루 , 데구치요이치
IPC分类号： H05H1/18

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