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1. 发明申请

WO2012176996A2 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 审中-公开
标题翻译：在半导体制造中使用的注射成员，以及具有该半导体的基板处理装置
公开(公告)号：WO2012176996A2
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/KR2012/004267
申请日：2012-05-30
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사 , 박용성 , 이성광 , 김동렬 , 방홍주 , 김민석
发明人： 박용성 , 이성광 , 김동렬 , 방홍주 , 김민석
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02104 , B05B1/005 , H01J37/3244 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 복수의 기판이 수용되어 플라즈마 처리 공정이 수행되는 공정 챔버; 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재; 및 지지부재와 대향되게 설치되고, 적어도 하나 이상의 반응가스 및 퍼지가스를 지지부재에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 독립적으로 분사할 수 있도록 독립된 복수개의 배플들을 갖는 분사부재; 및 분사부재의 배플들이 지지부재에 놓여진 복수의 기판들 각각에 순차적으로 선회하도록 지지부재 또는 상기 분사부재를 회전시키는 구동부를 포함하되; 분사부재는 복수개의 배플들 중 반응가스를 분사하는 적어도 하나의 배플에 설치되어 기판으로 분사되는 반응가스를 플라즈마화하는 플라즈마 발생기를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理装置。基板处理装置包括：处理室，其接收多个基板以进行等离子体处理工艺; 安装在处理室内的支撑件，以便将多个基板安装在同一平面上; 注射构件，其安装成与所述支撑构件相对并且包括多个独立挡板，用于独立地将至少一个反应气体和吹扫气体注入到与放置在所述支撑构件上的所述多个基板相对应的位置中; 以及用于使支撑构件或喷射构件旋转的驱动部件，使得喷射构件的挡板朝向位于支撑构件上的多个基板的上侧依次旋转。注射构件包括等离子体发生器，其安装在至少一个挡板上，用于从多个挡板喷射反应气体，用于使待注射到基底上的反应气体均匀化。

2. 发明申请

WO2015072661A1 반응 유도 유닛 및 기판 처리 장치 그리고 박막 증착 방법 审中-公开
标题翻译：反应诱导单元，基板处理装置和薄膜沉积方法
公开(公告)号：WO2015072661A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/KR2014/008908
申请日：2014-09-24
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 방홍주 , 신동화 , 김민석 , 고재국 , 김광수 , 김슬기 , 백성규 , 라종훈 , 최장원
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68771 , C23C16/45551 , H01L21/67103 , H01L21/68764
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터; 상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및 상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면으로 가스를 분사하는 반응 유도 유닛들을 포함하되; 상기 반응 유도 유닛은 적어도 3개 이상이 적층된 플레이트들에 의해 다층 복합 구조의 유로를 가질 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置。本发明的基板处理装置包括：处理室; 衬底基座，其安装在处理室中并连接到旋转轴以旋转并且具有放置在其同一平面上的多个基板; 放置在所述基板基座的底表面上的加热器构件; 以及用于从对应于放置在基板基座上的多个基板的位置喷射气体到基板的处理表面的反应诱导单元，其中反应诱导单元具有具有至少三个或更多个的多层复合结构的流体通道堆叠板。

3. 发明申请

WO2015041392A1 히터 부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 审中-公开
标题翻译：加热器和基板加工设备
公开(公告)号：WO2015041392A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：PCT/KR2014/002385
申请日：2014-03-21
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 방홍주 , 김상연 , 신동화 , 김민석 , 양진영
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/481 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터; 상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및 상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면 전체에 가스를 분사하는 분사부재를 포함하되; 상기 히터 부재는 내부 공간을 갖고, 상기 내부 공간에 상기 기판 서셉터를 가열하기 위한 열선들이 상기 기판 서셉터의 회전축을 중심으로 동심원상에 수평 및 수직으로 복수열로 배치된다.
摘要翻译：本发明涉及一种基板处理装置。根据本发明的基板处理装置包括：处理室; 安装在处理室中的与旋转轴连接旋转的基板基座，多个基板设置在同一平面上; 位于所述基板基座的下表面上的加热器构件; 以及喷涂构件，用于在与设置在基板基座上的多个基板中的每一个对应的位置处将气体喷射到基板的整个处理表面上，其中，加热器构件具有用于加热基板基座的热丝基于基板基座的旋转轴以同心圆的多个垂直和水平线布置。

4. 发明申请

WO2015137611A1 기판 처리 장치 审中-公开
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：WO2015137611A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/KR2014/012594
申请日：2014-12-19
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 신동화 , 김슬기 , 김광수 , 방홍주
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45551 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 상부가 개방된 하부챔버 및 상기 하부챔버의 개방된 상부를 폐쇄하는 상부챔버를 갖는 공정 챔버; 상기 하부 챔버 내에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재; 상기 지지부재와 대향되는 상기 상부 챔버의 저면에 제공되며, 상기 상부 챔버의 중심으로부터 방사상으로 뻗은 배기부재들; 상기 상부 챔버의 저면에 제공되며, 상기 배기부재들에 의해 구획된 반응공간들을 갖는 부채꼴 모양의 반응셀들; 상기 반응셀에 설치되어 기판상으로 처리가스를 공급하는 샤워헤드 유닛을 포함하되; 상기 배기부재는 측면에 형성되는 제1사이드 배기홀들을 포함하고, 상기 반응셀은 부채꼴의 호(弧)부분에 형성되는 제2사이드 배기홀들을 포함하여, 상기 반응공간의 중심으로부터 사방으로 배기흐름이 형성될 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置。本发明的基板处理装置包括：处理室，具有开口的下部室和封闭下部室的开口顶部的上部室; 支撑部件，其安装在下室内，多个共面基板被放置在其上; 排气构件，其设置在上部腔室的与支撑构件相对的底部并且从上腔室的中心径向延伸; 扇形反应池设置在上室的底部并具有由排气构件隔开的反应空间; 以及用于向基板供应处理气体的淋浴头单元，淋浴头单元安装在反应室中，其中排气构件包括在其侧面形成的第一侧排气孔，并且反应室包括形成在第二侧排气孔中的第二侧排气孔风扇的弧形部形成为能够从反应空间的中心向各个方向形成废气流。

5. 发明授权

KR101523299B1 반응 유도 유닛 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：反应诱导单元和基板处理装置
公开(公告)号：KR101523299B1
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：KR1020130140117
申请日：2013-11-18
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 신동화 , 김슬기 , 김광수 , 방홍주 , 김민석
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본발명은기판처리장치를제공한다. 본발명의기판처리장치는공정챔버; 상기공정챔버에설치되고동일평면상에복수의기판이놓여지며, 회전축에연결되어회전되는기판서셉터; 상기기판서셉터저면에위치되는히터부재; 및상기기판서셉터에놓여진복수의기판들각각에대응하는위치에서기판의처리면으로가스를분사하는반응유도유닛들을포함하되; 상기반응유도유닛은적어도 3개이상이적층된플레이트들에의해다층복합구조의유로를가질수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置。根据本发明的基板处理装置包括处理室，安装在处理室中的基板基座，容纳加载在同一平面上的多个基板，并通过连接到旋转轴而旋转，加热器构件位于基板基座的下侧，反应诱导单元将气体喷射到基板的处理表面，该位置对应于装载在基板基座上的每个基板。反应诱导单元具有通过至少三个堆叠板的多层复合结构的路径。

6. 发明公开

KR1020130006886A 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的注射部件和具有该半导体器件的等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020130006886A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110061897
申请日：2011-06-24
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 박용성 , 이성광 , 김동렬 , 방홍주 , 김민석
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02104 , B05B1/005 , H01J37/3244 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： PURPOSE: A spraying member used in a semiconductor manufacturing method and a substrate processing apparatus are provided to improve a thin film deposition speed by providing uniform gas density to a baffle through a central nozzle part and side nozzle parts. CONSTITUTION: A support member(200) is installed in an inner space of a process chamber(100) and includes a disk-shaped table(210) and a support pillar(220) to support the table. A driving unit(290) rotates a support member(500). The supply member includes a first gas supply member(510a), a second gas supply member(510b), and a purge gas supply member(520). A spray member(300) sprays gas to four substrates located on the support member and includes a central nozzle part(310), a plasma generator(340), and a height controller(350).
摘要翻译：目的：提供一种用于半导体制造方法的喷涂构件和基板处理装置，以通过中央喷嘴部分和侧面喷嘴部分向挡板提供均匀的气体密度来提高薄膜沉积速度。构成：支撑构件（200）安装在处理室（100）的内部空间中，并且包括用于支撑工作台的盘形工作台（210）和支撑柱（220）。驱动单元（290）使支撑构件（500）旋转。供给构件包括第一气体供给构件（510a），第二气体供给构件（510b）和净化气体供给构件（520）。喷射构件（300）将气体喷射到位于支撑构件上的四个基板，并且包括中心喷嘴部分（310），等离子体发生器（340）和高度控制器（350）。

7. 发明授权

KR101667945B1 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：KR101667945B1
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：KR1020140162748
申请日：2014-11-20
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 황규혁 , 신동화 , 방홍주 , 김민석 , 김광수
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 본발명은기판처리장치를제공한다. 본발명의기판처리장치는상부가개방된하부챔버및 상기하부챔버의개방된상부를폐쇄하는상부챔버를갖는공정챔버; 상기하부챔버내에설치되고동일평면상에복수의기판이놓여지는지지부재; 상기지지부재와대향되게상기상부챔버의저면에설치되되; 상기상부챔버의중심을중심으로동심원상에배치되는복수의반응셀을갖는반응부재를포함하며; 상기복수의반응셀중 어느하나는저면의정 중앙을가로지르도록상기상부챔버의중심으로부터가장자리로이어지는가스통로가형성된고속와류(high velocity vortex) 반응셀인것을특징으로한다.

8. 发明授权

KR101540718B1 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：KR101540718B1
公开(公告)日：2015-07-31
申请号：KR1020140028475
申请日：2014-03-11
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 신동화 , 김슬기 , 김광수 , 방홍주
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： C23C16/45551 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 본발명은기판처리장치를제공한다. 본발명의기판처리장치는상부가개방된하부챔버및 상기하부챔버의개방된상부를폐쇄하는상부챔버를갖는공정챔버; 상기하부챔버내에설치되고동일평면상에복수의기판이놓여지는지지부재; 상기지지부재와대향되는상기상부챔버의저면에제공되며, 상기상부챔버의중심으로부터방사상으로뻗은배기부재들; 상기상부챔버의저면에제공되며, 상기배기부재들에의해구획된반응공간들을갖는부채꼴모양의반응셀들; 상기반응셀에설치되어기판상으로처리가스를공급하는샤워헤드유닛을포함하되; 상기배기부재는측면에형성되는제1사이드배기홀들을포함하고, 상기반응셀은부채꼴의호(弧)부분에형성되는제2사이드배기홀들을포함하여, 상기반응공간의중심으로부터사방으로배기흐름이형성될수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置。根据本发明的基板处理装置包括处理室，该处理室包括其上侧开口的底部室和封闭打开的底部室的上侧的顶部室，安装在底部室中的支撑构件并且在同一平面上装载多个基板，设置在顶部室的下侧的面向支撑构件并从顶部室的中心径向延伸的排气构件，具有分隔的反应空间的扇形的反应室排气构件和安装在反应室上的喷淋头单元，并在基板上供给处理气体。排气构件包括形成在其一侧的第一侧排气孔，反应室包括形成在风扇的弧形部分上的第二侧排气孔。从反应空间的中心在所有方向形成排气流。

9. 发明授权

KR101466816B1 히터 부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치 有权
标题翻译：加热器和基板加工设备使用SYSCEPTOR
公开(公告)号：KR101466816B1
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130112841
申请日：2013-09-23
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 방홍주 , 김상연 , 신동화 , 김민석 , 양진영
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/481 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지며, 회전축에 연결되어 회전되는 기판 서셉터; 상기 기판 서셉터 저면에 위치되는 히터 부재; 및 상기 기판 서셉터에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 기판의 처리면 전체에 가스를 분사하는 분사부재를 포함하되; 상기 히터 부재는 내부 공간을 갖고, 상기 내부 공간에 상기 기판 서셉터를 가열하기 위한 열선들이 상기 기판 서셉터의 회전축을 중심으로 동심원상에 수평 및 수직으로 복수열로 배치된다.
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置。根据本发明的基板处理装置包括处理室; 安装在处理室中的基板基座，将多个基板放置在同一平面上并连接到旋转轴以进行旋转; 位于所述基板基座的下侧的加热器构件; 以及喷射构件，在与每个基板相对应的位置处将基板的所有处理表面注入气体中，其中加热器构件具有内部空间，并且用于加热基板基座的加热线以同心的方式垂直和水平布置成多行围绕在内部空间中的基板托架的旋转轴。

10. 发明公开

KR1020160060433A 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：KR1020160060433A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：KR1020140162748
申请日：2014-11-20
申请人： 국제엘렉트릭코리아 주식회사
发明人： 황규혁 , 신동화 , 방홍주 , 김민석 , 김광수
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 본발명은기판처리장치를제공한다. 본발명의기판처리장치는상부가개방된하부챔버및 상기하부챔버의개방된상부를폐쇄하는상부챔버를갖는공정챔버; 상기하부챔버내에설치되고동일평면상에복수의기판이놓여지는지지부재; 상기지지부재와대향되게상기상부챔버의저면에설치되되; 상기상부챔버의중심을중심으로동심원상에배치되는복수의반응셀을갖는반응부재를포함하며; 상기복수의반응셀중 어느하나는저면의정 중앙을가로지르도록상기상부챔버의중심으로부터가장자리로이어지는가스통로가형성된고속와류(high velocity vortex) 반응셀인것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明提供一种基板处理装置。本发明的基板处理装置包括：处理室，具有打开上部的下部室和用于封闭下部开口的上部的上部室; 安装在下腔室内的支撑件，并且具有放置在同一平面上的多个基片; 以及安装在上部室的底部以与支撑构件相对的反作用构件，并且具有多个反应室，其布置在围绕上部室的同心圆上。反应池中的任何一个是高速涡流反应池，其具有连接到从上室的中心到边缘中心的边缘的气体通道，以穿过底部的中心，从而通过引起高速涡流来确保高质量的薄膜的气体。

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