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1. 发明申请

WO2019078460A1 발광 다이오드 플립칩 审中-公开
公开(公告)号：WO2019078460A1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：PCT/KR2018/008604
申请日：2018-07-30
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 윤수정 , 성태연 , 김대현
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/00 , H01L33/40 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/0008 , H01L33/14 , H01L33/40 , H01L33/62
摘要： 본 발명은 LED 플립칩을 제공한다. 이 LED 플립칩은, 반도체 물질을 성장시키기 위한 기판; 상기 기판 상에 배치되고 메사 구조를 가지는 n형 GaN층; 상기 n형 반도체층과 정렬된 상기 n형 GaN층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층과 정렬되고 상기 활성층 상에 배치된 p형 GaN층; 투명 전도성 산화물로 구성되고 상기 p형 GaN층과 정렬되고 상기 p형 GaN층 상에 배치된 전류 퍼짐층; 가시광선 영역에서 제1 반사도를 가지고 상기 전류 퍼짐층 상에 국부적으로 배치된 p-패드; 상기 p-패드와 동일한 물질로 형성되고 상기 전류 퍼짐층 상에 배치되고 상기 p-패드와 이격되어 배치된 복수의 제1 전류 주입 금속 닷들; 및 상기 제1 반사도 보다 높은 제2 반사도를 가지고 상기 p-패드에 접촉하면서 상기 p-패드를 노출시키고 상기 전류 주입 금속 닷들을 덮도록 연장되어 배치되고 상기 활성층에서 발광된 광을 상기 사파이어 기판 방향으로 반사하는 복수의 p-핑거들;을 포함한다.

2. 发明申请

WO2017188657A1 투명 금속산화막/금속/투명 금속산화막 보호층을 구비한 비정질 산화물 박막 트랜지스터 审中-公开
标题翻译：具有透明金属氧化物/金属/透明金属氧化物保护层的非晶氧化物薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2017188657A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004217
申请日：2017-04-20
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 성태연 , 김대현 , 이지윤
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786
摘要： 본 발명은 산화물 박막 트렌지스터를 제공한다. 이 산화물 박막 트렌지스터는 기판; 상기 기판에서 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 가로지르도록 배치되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 배치되고 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 배치되고 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층 상에 배치되는 절연층; 및 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층과 정렬되고 상기 절연층 상에 배치되는 보호층을 포함한다. 상기 보호층은 투명한 금속 산화물로 구성된 하부 보호층; 상기 하부 보호층 상에 배치된 금속층; 및 투명한 금속 산화물로 구성되고 상기 금속층 상에 배치된 상부 보호층을 포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管。氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述栅极绝缘层上并且在所述栅极电极的两侧沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸; 源电极和漏电极，设置在氧化物半导体层上并且在栅电极周围彼此间隔开; 绝缘层，设置在源电极和漏电极上，并设置在源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层上; 并且保护层与在源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层对准并且设置在绝缘层上。其中保护层包括由透明金属氧化物组成的下保护层; 设置在下保护层上的金属层; 以及由透明金属氧化物构成并设置在金属层上的顶部保护层。

3. 发明申请

WO2017188656A1 고효율 Ｇａ-ｐｏｌａｒ 수직 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：高效率的Ga极性垂直发光二极管装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2017188656A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004216
申请日：2017-04-20
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 성태연 , 김대현
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/44 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/44
摘要： 본 발명은 수직형 발광 다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 수직형 발광 다이오드 소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치된 p형 GaN층; 상기 GaN층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층에 배치된 제1 n 형 GaN층; 상기 제1 n형 GaN 층 상에 배치된 도핑되지 않은 AlN층; 상기 AlN 층 상에 배치된 제2 n형 GaN층; 및 상기 p형 GaN층, 상기 활성층, 상기 제1 n 형 GaN층, 그리고 상기 AlN층을 관통하여 상기 제2 n형 GaN층에 접합하는 콘택 플러그를 포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种垂直型发光二极管器件及其制造方法。垂直发光二极管器件包括导电衬底; 设置在导电衬底上的p型GaN层; 设置在GaN层上的有源层; 设置在有源层中的第一n型GaN层; 设置在第一n型GaN层上的未掺杂AlN层; 设置在AlN层上的第二n型GaN层; 以及贯穿p型GaN层，活性层，第一n型GaN层和AlN层并接合到第二n型GaN层的接触插塞。

4. 发明申请

WO2017188658A1 광안정성 확보를 위한 비정질 산화물 박막 트랜지스터 审中-公开
标题翻译：用于光学稳定性的非晶氧化物薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2017188658A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/KR2017/004218
申请日：2017-04-20
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 성태연 , 김대현 , 김환교 , 임형섭
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786
摘要： 본 발명은 산화물 박막 트렌지스터를 제공한다. 이 산화물 박막 트렌지스터는 기판; 상기 기판에서 제1 방향으로 연장되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 가로지르도록 배치되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 배치되고 상기 게이트 전극의 양측에서 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 연장되는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층 상에 배치되고 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 이격되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소오스 전극과 상기 드렌인 전극 사이의 노출된 산화물 반도체층 상에 배치되는 보호층을 포함한다. 상기 보호층은 절연체로 구성된 하부 보호층; 상기 하부 보호층 상에 배치된 금속 나노 구조체; 및 절연체로 구성되고 상기 금속 나노 구조체 상에 배치된 상부 보호층을 포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种氧化物薄膜晶体管。氧化物薄膜晶体管包括衬底; 在基板上沿第一方向延伸的栅电极; 栅极绝缘膜，设置在所述栅电极上并被设置为与所述栅电极交叉; 氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述栅极绝缘层上并且在所述栅极电极的两侧沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸; 源电极和漏电极，设置在氧化物半导体层上并且在栅电极周围彼此间隔开; 以及设置在源电极和漏电极之间的暴露的氧化物半导体层上的保护层。其中保护层包括由绝缘体构成的下保护层; 设置在下保护层上的金属纳米结构; 并且在金属纳米结构体上配置由绝缘体构成的上部保护层。

5. 发明申请

WO2017057902A1 전극 구조체 및 이를 포함하는 발광 소자 审中-公开
标题翻译：电极结构和发光元件包括它们
公开(公告)号：WO2017057902A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/KR2016/010870
申请日：2016-09-29
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 성태연 , 김대현
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/46
摘要： P형 반도체층 상에 형성된 전극 구조체는, 상기 P형 반도체 층에 형성되며, 금속 베이스와 확산 물질을 포함하는 금속 베이스 반사층, 상기 금속 베이스 반사층의 상부에 형성되며, 금속으로 이루어진 금속 전극, 상기 금속 베이스 반사층 및 상기 금속 전극 사이에 개재되며, 상기 금속 베이스 반사층을 열처리하여 상기 확산 물질이 상기 P형 반도체층 내에 확산되어 상기 P형 반도체층 내에 어셉터로서 기능시키는 열처리 공정 중 상기 확산 물질이 상기 금속 전극을 향하여 확산되는 것을 억제하는 확산 억제막을 포함한다.
摘要翻译：形成在p型半导体层上的电极结构包括：金属基底反射层，其形成在p型半导体层上，并且包括金属基底和漫射材料; 金属电极，其形成在金属基底反射层的上部，并且由金属制成; 以及插入在金属基底反射层和金属电极之间的扩散抑制膜，以在用于热处理金属基底反射层的热处理过程中抑制扩散材料向金属电极的扩散，使得漫射材料扩散到 p型半导体层，作为p型半导体层内的受体发挥作用。

6. 发明申请

WO2017183911A1 광 추출 효율 개선을 위한 LED 소자 审中-公开
标题翻译： LED器件用于提高光提取效率
公开(公告)号：WO2017183911A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/KR2017/004204
申请日：2017-04-19
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 성태연 , 김대현 , 이지윤
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/02 , H01L33/40 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/40 , H01L33/62
摘要： 본 발명은 GaN 발광 다이오드 소자를 제공한다. 이 GaN 발광 다이오드 소자는 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판 상에 적층된 n형 GaN 층; 상기 n형 GaN 층 상에 적층된 활성층; 상기 활성층에 적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층 상에 적층된 투명 전도성 금속 산화물을 포함하는 전류 퍼짐층; 상기 전류 퍼짐층 상에 형성된 상부 전극 패턴; 및 상기 상부 전극 패턴 상에 형성된 상부 전극 패드를 포함한다. 상기 상부 전극 패턴은 차례로 적층된 제1 상부 전극 패턴 및 제2 상부 전극 패턴을 포함하고, 상기 제1 상부 전극 패턴은 적층된 은(Ag) 또는 은 합금 박막이고, 상기 제2 상부 전극 패턴은 투명 전도성 금속 산화물 박막을 포함하고, 상기 상부 전극 패턴과 상기 전류 퍼짐층은 청색 또는 녹색 영역에서 85 퍼센트 이상의 투과도를 가지는 광학 필터로 동작한다.
摘要翻译：本发明提供了一种GaN发光二极管器件。 GaN发光二极管器件包括蓝宝石衬底; 堆叠在蓝宝石衬底上的n型GaN层; 堆叠在n型GaN层上的有源层; 堆叠在有源层上的p型GaN层; 包括堆叠在所述p型GaN层上的透明导电金属氧化物的电流扩展层; 形成在电流扩展层上的上电极图案; 并且在上电极图案上形成上电极焊盘。其中，上电极图案包括顺序堆叠的第一上电极图案和第二上电极图案，第一上电极图案为叠层银（Ag）或银合金薄膜，第二上电极图案为透明其中上电极图案和电流扩展层用作在蓝色或绿色区域中具有85％或更多的透射率的光学滤波器。

7. 发明申请

WO2016159633A1 적층형 액츄에이터 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：多层致动器及其制造方法
公开(公告)号：WO2016159633A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/KR2016/003194
申请日：2016-03-29
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 남산 , 김종현 , 김대현 , 허준 , 서인태 , 이지현
IPC分类号： H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/27
CPC分类号： H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/27
摘要： 적층형 액츄에이터는 상호 이격되도록 구비된 전극들 및 상기 전극들 사이에 개재되며, 무연 압전체를 포함하고, 상기 무연 압전체는 아래의 화학식1을 가진다. [화학식1] Na x K 1-x Nb 1-y (Cu,Mn) y O 3 (여기서, x는 0 ≤ x ≤0.5, y는 0
摘要翻译：多层致动器包括：设置成彼此间隔开的电极; 以及插入在电极之间的无铅压电体，其中无铅压电体具有如下化学式1：[化学式1] NaxK1-xNb1-y（Cu，Mn）yO3，其中x和y具有组成范围 0≤x≤0.5，0

8. 发明授权

KR102127559B1 자성 전사 장치, 자성 전사 장치의 제조 방법, 자성 전사 장치를 이용한 반도체 발광 소자 전사 방법 有权
公开(公告)号：KR102127559B1
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：KR1020180052018
申请日：2018-05-04
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 성태연 , 김대현 , 박재성
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/68 , H01L25/075

10. 发明授权

KR101845611B1 발광창 전극 구조가 구비된 고효율 발광다이오드 제작 방법 有权
公开(公告)号：KR101845611B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020160088903
申请日：2016-07-13
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 성태연 , 김기석 , 김환교 , 김대현
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L2933/0016
摘要： 본발명의일 실시예에따른수평형발광다이오드소자는기판; 상기기판상에배치된 n형 GaN층; 상기 n형 GaN층상에배치된활성층; 상기활성층상에배치된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에배치된전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에배치된 p 전극; 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 상기활성층, 및상기 n형 GaN층의일부를제거하여형성된메사영역; 상기메0사영역의일부또는전부에서상기 n형 GaN층상에배치된투명창문층; 상기투명창문층을관통하여상기 n형 GaN층에접촉하는복수의콘택플러그; 및상기투명창문층상에배치되고상기콘택플러그를연결하는 n 전극을포함한다. 상기전류퍼짐층, 상기 p형 GaN층, 및상기활성층은서로수직으로정렬되어발광영역을제공한다.

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