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1. 发明公开

KR1020010109299A 반도체기판처리장치 및 처리방법 失效
标题翻译：半导体基板处理装置及处理方法
公开(公告)号：KR1020010109299A
公开(公告)日：2001-12-08
申请号：KR1020017010793
申请日：2000-12-25
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 기무라노리오 , 미시마고지 , 구니사와준지 , 오다가키미츠코 , 마키노나츠키 , 츠지무라마나부 , 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지 , 마츠다데츠오 , 가네코히사시 , 모리타도시유키 , 하야사카노부오 , 오쿠무라가츠야
IPC分类号： H01L21/288
摘要： 본 발명은 반도체기판 위에 형성된 회로 패턴 홈및/또는 구멍을 금속도금막으로 충전하고, 그 충전부분을 남기고 상기 금속도금막을 제거함으로써 회로배선을 형성하는 반도체기판처리장치 및 처리방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체기판처리장치는 표면에 회로가 형성된 반도체기판(W)을 건조상태에서 반출입하는 로드 언로드부(1)와, 반입된 반도체기판 위에 금속도금막을 형성하는 금속도금막 성막유닛(2)과, 반도체기판의 둘레 가장자리부를 에칭하는 베벨 에칭유닛(116)과, 그 반도체기판 위의 그 금속도금막의 적어도 일부를 연마하는 연마유닛(10, 11)과, 반도체기판을 상기 유닛 사이에서 반송하는 로봇(3, 8)를 구비한다.

2. 发明授权

KR100854478B1 도금방법 및 도금장치 失效
标题翻译：电镀方法和镀膜装置
公开(公告)号：KR100854478B1
公开(公告)日：2008-08-26
申请号：KR1020010058379
申请日：2001-09-20
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 미시마고지 , 이노우에히로아키 , 마키노나츠키 , 구니사와준지 , 나카무라겐지 , 마츠다데츠오 , 가네코히사시 , 모리타도시유키
IPC分类号： C25D21/14
CPC分类号： H01L21/2885 , C25D5/04 , C25D5/08 , C25D21/12 , H01L21/7684 , H01L21/76877
摘要： 본 발명은 높은 균일전착력과 평준화특성을 가진 도금액을 사용하여 구리가 채워진 미세 배선패턴을 형성하면서 배선 영역과 비 배선 영역간에 도금된 필름의 필름두께를 실질적으로 동일하게 하여 그 후의 CMP 공정을 수월하게 할 수 있는 도금방법 및 도금장치에 관한 것이다. 도금방법은 기판과 상기 기판과 마주보도록 상기 기판과 근접하여 배치된 양극의 사이에 형성된 도금 공간에 금속 이온과 첨가제를 함유한 도금액을 채우는 단계와, 도금 공정 동안에 상기 도금 공간내에 채워진 도금액내의 첨가제의 농도를 변화시키는 단계를 포함하여 이루어진다.

3. 发明授权

KR100824759B1 기판처리장치 및 기판도금장치 失效
标题翻译：基板加工装置和基板镀层装置
公开(公告)号：KR100824759B1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：KR1020070072802
申请日：2007-07-20
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 미시마고지 , 구니사와준지 , 마키노나츠키 , 기무라노리오 , 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지 , 난죠다카히로 , 오다가키미츠코
IPC分类号： H01L21/288
CPC分类号： H01L21/67109 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/67778 , H01L21/681
摘要： 본 발명은 반도체기판에 형성된 미세배선패턴(오목부)에 구리(Cu) 등의 금속을 충전하는 등의 용도의 기판처리장치에 관한 것으로, 기판카세트를 얹어 놓고 기판(W)의 로드·언로드를 행하는 로드·언로드부와, 기판(W)의 처리를 행하는 기판처리유닛과, 로드·언로드부와 기판처리유닛 사이에서 기판의 수수를 행하는 반송로봇을 동일 설비 내에 가지고, 로드·언로드부에 기판카세트가 얹어 놓여진 것을 검지하여 반송로봇이 기판카세트로부터 기판(W)을 인출하기 쉬운 위치에 그 기판카세트가 위치하도록 수평회전하는 회전테이블을 설치한 것을 특징으로 하는 것이다.
기판처리장치, 기판도금장치, 동일설비, 단일유닛

4. 发明授权

KR100773164B1 기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치 有权
标题翻译：用于镀敷基板的装置，基板的方法，电解处理方法及其装置
公开(公告)号：KR100773164B1
公开(公告)日：2007-11-02
申请号：KR1020017010797
申请日：2000-12-25
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 구니사와준지 , 오다가키미츠코 , 마키노나츠키 , 미시마고지 , 나카무라겐지 , 이노우에히로아키 , 기무라노리오 , 마츠다데츠오 , 가네코히사시 , 하야사카노부오 , 오쿠무라가츠야 , 츠지무라마나부 , 모리타도시유키
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 특히 반도체기판에 형성된 미세배선패턴(오목부)에 구리(Cu) 등의 금속을 충전하는 등의 용도의 기판의 도금방법 및 장치에 관한 것으로, 피도금면을 위쪽을 향하여 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 기판유지부(36)와, 그 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면의 둘레 가장자리부에 맞닿게 하여 그 둘레 가장자리부를 수밀적으로 시일하는 시일재(90)와, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극(88)을 구비하고, 기판유지부(36)와 일체로 회전하는 캐소드부(38)와, 그 캐소드부(38)의 위쪽에 수평수직이동 자유롭게 배치되어 하향으로 애노드(98)를 구비한 전극아암부(30)와, 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 전극아암부(30)의 애노드(98) 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액주입수단을 가진다. 이에 의하여 도금처리 및 그것에 부대하는 처리를 단일의 유닛으로 행할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020070082587A 기판처리장치 및 기판도금장치 失效
标题翻译：基板加工装置和基板镀层装置
公开(公告)号：KR1020070082587A
公开(公告)日：2007-08-21
申请号：KR1020070072802
申请日：2007-07-20
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 미시마고지 , 구니사와준지 , 마키노나츠키 , 기무라노리오 , 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지 , 난죠다카히로 , 오다가키미츠코
IPC分类号： H01L21/288
CPC分类号： H01L21/67109 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/67778 , H01L21/681
摘要： A substrate processing apparatus and a substrate plating apparatus are provided to improve maintenance and to perform a plating process in one unit by using a supporting arm having a pressure pole. A plating apparatus includes a substrate maintaining unit(36) for maintaining a surface of a substrate to be plated toward an upward direction, and an anode installed at an upper position adjacent to the substrate maintained by the substrate maintaining unit. The substrate maintaining unit is provided with a freely-rotatable substrate stage and a supporting arm(70) installed on the circumference of the substrate maintaining unit. A pressure pole(74) for pressurizing the substrate toward an inner side is installed on the supporting arm when the supporting are supports the substrate.
摘要翻译：提供了一种基板处理装置和基板电镀装置，以通过使用具有压力极的支撑臂来改进维护并且在一个单元中进行电镀处理。电镀装置包括：基板维持单元（36），用于保持要向上方向电镀的基板的表面;以及阳极，安装在与由基板保持单元维持的基板相邻的上部位置。基板保持单元设置有可自由旋转的基板台和安装在基板保持单元的圆周上的支撑臂（70）。当支撑件支撑基板时，用于将基板朝向内侧加压的压力杆（74）安装在支撑臂上。

6. 发明公开

KR1020040008205A 무전해 도금액 및 반도체 디바이스 有权
标题翻译：化学镀液和半导体器件
公开(公告)号：KR1020040008205A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：KR1020037015760
申请日：2002-05-30
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76849 , C23C18/1607 , C23C18/1637 , C23C18/1653 , C23C18/34 , C23C18/52 , H01L21/288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 반도체기판과 같은 반도체의 표면에 형성되는 배선을 위한 미세한 후퇴부내에 구리 또는 은과 같은 전기도체가 매입되는 배선구조를 갖는 반도체디바이스의 노출된 배선의 표면을 선택적으로 보호하기 위한 보호막을 형성하는데 유용한 무전해도금액 및 상기 노출된 배선의 표면이 보호막으로 선택적으로 보호되는 반도체디바이스에 관한 것이다. 무전해도금액은 코발트이온, 착화제 및 알칼리금속이 포함되지 않은 환원제를 포함한다.

7. 发明公开

KR1020020034956A 배선형성방법 및 반도체장치 无效
标题翻译：形成互连和半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020020034956A
公开(公告)日：2002-05-09
申请号：KR1020010067860
申请日：2001-11-01
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 이노우에히로아키 , 미시마고지 , 가토다카오 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/2885 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L21/76877
摘要： PURPOSE: A method for forming interconnects is provided to form a defect-free, completely embedded interconnects of a conductive material in recesses, even when the recesses are of a high aspect ratio. CONSTITUTION: An underlying film(18) is formed on the surface of the substrate(W). The underlying film comprises at least two kinds of metals, and wet plating of the conductive metal is performed onto the surface of the underlying film.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成互连的方法，即使当凹槽具有高纵横比时，也可以形成凹陷中导电材料的无缺陷，完全嵌入的互连。构成：在基板（W）的表面上形成底层薄膜（18）。底层膜包含至少两种金属，并且在底层膜的表面上进行导电金属的湿法镀覆。

8. 发明授权

KR100891344B1 무전해 도금액 및 반도체 디바이스 有权
标题翻译：电镀溶液和半导体器件
公开(公告)号：KR100891344B1
公开(公告)日：2009-03-31
申请号：KR1020037015760
申请日：2002-05-30
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76849 , C23C18/1607 , C23C18/1637 , C23C18/1653 , C23C18/34 , C23C18/52 , H01L21/288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 반도체기판과 같은 반도체의 표면에 형성되는 배선을 위한 미세한 후퇴부내에 구리 또는 은과 같은 전기도체가 매입되는 배선구조를 갖는 반도체디바이스의 노출된 배선의 표면을 선택적으로 보호하기 위한 보호막을 형성하는데 유용한 무전해도금액 및 상기 노출된 배선의 표면이 보호막으로 선택적으로 보호되는 반도체디바이스에 관한 것이다. 무전해도금액은 코발트이온, 착화제 및 알칼리금속이 포함되지 않은 환원제를 포함한다.

9. 发明公开

KR1020020041777A 무전해 Ｎｉ-Ｂ 도금액, 전자장치 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：电镀Ni-B镀液，电子器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020041777A
公开(公告)日：2002-06-03
申请号：KR1020010074587
申请日：2001-11-28
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지 , 에자와히로카즈 , 미야타마사히로 , 츠지무라마나부
IPC分类号： C23C18/16
CPC分类号： C23C18/50 , C23C18/34 , Y10T428/12576 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/12944 , Y10T428/265
摘要： PURPOSE: An electroless Ni-B plating liquid which can lower the boron content of the resulting plated film without increasing the plating rate and form a Ni-B alloy film having an FCC (face centered cubic) crystalline structure, an electronic device in which the interconnects are protected with the plated film formed by electroless plating carried out by using the plating liquid, and a method for manufacturing the same are provided. CONSTITUTION: The electroless Ni-B plating liquid for forming a Ni-B alloy film on at least part of interconnects of an electronic device having an embedded interconnect structure comprises nickel ions, a completing agent for the nickel ions, a reducing agent for the nickel ions, and ammoniums (NH4¬+), wherein the reducing agent comprises an alkylamine borane or a hydrogen boride compound, the ammoniums are prepared from ammonia water, a pH of the electroless Ni-B plating liquid is adjusted within the range from 8 to 12, and a temperature of the electroless Ni-B plating liquid is adjusted within the range from 50 to 90 deg.C. The electronic device has an embedded interconnect structure of silver, silver alloy, copper or copper alloy, wherein a surface of an interconnect is selectively covered with a protective layer of a Ni-B alloy film, wherein the Ni-B alloy film has an FCC crystalline structure, the Ni-B alloy film has a boron content within the range from 0.01 at % to 10 at %, the Ni-B alloy film is formed by an electroless-plating process with use of an electroless Ni-B plating liquid, the electroless Ni-B plating liquid comprising nickel ions, a complexing agent for the nickel ions, a reducing agent for the nickel ions, and ammoniums (NH4¬+), the Ni-B alloy film has an FCC crystalline structure, and the Ni-B alloy film has a boron content within the range from 0.01 at % to 10 at %. The method for manufacturing an electronic device comprises electroless plating an electronic device having an embedded interconnect structure with an electroless Ni-B plating liquid to form a protective layer of a Ni-B alloy film selectively on a surface of an interconnect of the electronic device, wherein the electroless Ni-B plating liquid comprises nickel ions, a complex agent for nickel ions, a reducing agent for nickel ions, and ammoniums (NH4¬+).
摘要翻译：目的：一种无电镀Ni-B电镀液，可以降低所得电镀膜的硼含量，而不增加电镀速率，形成具有FCC（面心立方晶系）晶体结构的Ni-B合金膜，其中，通过使用电镀液进行无电镀形成的镀膜来保护互连，并且提供其制造方法。构成：用于在具有嵌入式互连结构的电子器件的互连件的至少一部分互连上形成Ni-B合金膜的无电Ni-B电镀液包括镍离子，用于镍离子的完成剂，用于镍的还原剂离子和铵（NH 4 +），其中还原剂包括烷基胺硼烷或硼氢化合物，铵由氨水制备，无电镀Ni-B电镀液的pH调节在8至 12，将化学镀Ni-B镀液的温度调节在50〜90℃的范围内。电子器件具有银，银合金，铜或铜合金的嵌入式互连结构，其中互连表面选择性地覆盖有Ni-B合金膜的保护层，其中Ni-B合金膜具有FCC 晶体结构，Ni-B合金膜的硼含量在0.01at％至10at％的范围内，Ni-B合金膜通过使用无电镀Ni-B电镀液的无电镀法形成，包含镍离子的非电解Ni-B电镀液，镍离子络合剂，镍离子还原剂和铵（NH4- +），Ni-B合金膜具有FCC晶体结构，Ni -B合金膜的硼含量在0.01原子％至10原子％的范围内。电子设备的制造方法包括：电化学电镀具有嵌入式互连结构的电化学镀Ni-B电镀液，以在电子器件的互连件的表面上选择性地形成Ni-B合金膜的保护层，其中所述无电Ni-B电镀液包含镍离子，镍离子络合剂，镍离子还原剂和铵（NH 4+）。

10. 发明公开

KR1020010110445A 기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치 有权
标题翻译：电镀装置，电镀方法，电解处理方法和基板装置
公开(公告)号：KR1020010110445A
公开(公告)日：2001-12-13
申请号：KR1020017010797
申请日：2000-12-25
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 구니사와준지 , 오다가키미츠코 , 마키노나츠키 , 미시마고지 , 나카무라겐지 , 이노우에히로아키 , 기무라노리오 , 마츠다데츠오 , 가네코히사시 , 하야사카노부오 , 오쿠무라가츠야 , 츠지무라마나부 , 모리타도시유키
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 특히 반도체기판에 형성된 미세배선패턴(오목부)에 구리(Cu) 등의 금속을 충전하는 등의 용도의 기판의 도금방법 및 장치에 관한 것으로, 피도금면을 위쪽을 향하여 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 기판유지부(36)와, 그 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면의 둘레 가장자리부에 맞닿게 하여 그 둘레 가장자리부를 수밀적으로 시일하는 시일재(90)와, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극(88)을 구비하고, 기판유지부(36)와 일체로 회전하는 캐소드부(38)와, 그 캐소드부(38)의 위쪽에 수평수직이동 자유롭게 배치되어 하향으로 애노드(98)를 구비한 전극아암부(30)와, 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 전극아암부(30)의 애노드(98) 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액주입수단을 가진다. 이에 의하여 도금처리 및 그것에 부대하는 처리를 단일의 유닛으로 행할 수 있다.

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