专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100127264B1 반도체 장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100127264B1
公开(公告)日：1998-04-02
申请号：KR1019940000528
申请日：1994-01-13
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 에자와히로카즈 , 미야타마사히로
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/4647 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 제조가 용이하고, 또한 적은 공정수로 배선간을 접속하기 위한 금속기둥을 형성함과 동시에 절연막의 평탄화도 실시하는 것이 가능한 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
이를 위해 본 발명에 있어서는, 표면이 실리콘 열산화막에 의해 절연되어 있는 반도체기판(1)에 소정의 패턴을 갖는 하층의 배선(2)을 스퍼터링 등으로 형성한다. 이 하충배선(2)상에 접속전극으로 되는 금속기둥(11)을 스크린인쇄에 의해 형성한다. 이것을 완전히 매립하도록 폴리이미드 절연막(3)을 형성하고 나서, 이 절연막을 에치백하여 금속기둥 선단을 노출시킨다. 그 후, 이 선단에 접하도록 절연막(3)상에 배선(4)을 실시하여 양 배선을 전기적으로 접속한다.

2. 发明公开

KR1019890007378A 범프구조를 갖춘 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR1019890007378A
公开(公告)日：1989-06-19
申请号：KR1019880013748
申请日：1988-10-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 엔도다카시 , 에자와히로카즈
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/60

3. 发明公开

KR1019970067734A 반도체장치의 제조방법 및 제조장치 失效
标题翻译：用于制造半导体器件的方法和设备
公开(公告)号：KR1019970067734A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019970008138
申请日：1997-03-11
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 에가와히데미츠 , 에자와히로카즈
IPC分类号： H01L21/60
摘要： (과제)
반도체소자에 손상을 주는 일이 없는 반도체장치의 제조방법 및 제조장치를 제공한다.
(해결수단)
반도체소자(5)의 본딩패드(6)와 이 본딩패드(6)와 전기적으로 접속되는 외부도체를 접속하는 금속세선(3)을 삽통하는 제1관통구멍(2)을 갖추고, 제1관통구멍(2)의 외부로 돌출한 금속세선(3)의 선단부분(4)을 본딩패드(6)에 접촉시키는 본딩기구(1)를 구비하고, 본딩기구(1)는 본딩패드(6)와 상기 금속세선(3)의 선단부분(4)을 접착하는 접착물을 공급하는 제2관통구멍(12)을 구비하며, 이 제2관통구멍(12)은 금속세선(3)과 본딩패드(6)의 접촉점에 접착물이 공급되는 방향으로 형성되어 있다.

4. 发明授权

KR100061196B1 범프구조를 갖춘 반도체장치 失效
标题翻译：具有凸块结构的半导体器件
公开(公告)号：KR100061196B1
公开(公告)日：1993-04-07
申请号：KR1019880013748
申请日：1988-10-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 엔도다카시 , 에자와히로카즈
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/60

5. 发明公开

KR1020020041777A 무전해 Ｎｉ-Ｂ 도금액, 전자장치 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：电镀Ni-B镀液，电子器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020041777A
公开(公告)日：2002-06-03
申请号：KR1020010074587
申请日：2001-11-28
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지 , 에자와히로카즈 , 미야타마사히로 , 츠지무라마나부
IPC分类号： C23C18/16
CPC分类号： C23C18/50 , C23C18/34 , Y10T428/12576 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/12944 , Y10T428/265
摘要： PURPOSE: An electroless Ni-B plating liquid which can lower the boron content of the resulting plated film without increasing the plating rate and form a Ni-B alloy film having an FCC (face centered cubic) crystalline structure, an electronic device in which the interconnects are protected with the plated film formed by electroless plating carried out by using the plating liquid, and a method for manufacturing the same are provided. CONSTITUTION: The electroless Ni-B plating liquid for forming a Ni-B alloy film on at least part of interconnects of an electronic device having an embedded interconnect structure comprises nickel ions, a completing agent for the nickel ions, a reducing agent for the nickel ions, and ammoniums (NH4¬+), wherein the reducing agent comprises an alkylamine borane or a hydrogen boride compound, the ammoniums are prepared from ammonia water, a pH of the electroless Ni-B plating liquid is adjusted within the range from 8 to 12, and a temperature of the electroless Ni-B plating liquid is adjusted within the range from 50 to 90 deg.C. The electronic device has an embedded interconnect structure of silver, silver alloy, copper or copper alloy, wherein a surface of an interconnect is selectively covered with a protective layer of a Ni-B alloy film, wherein the Ni-B alloy film has an FCC crystalline structure, the Ni-B alloy film has a boron content within the range from 0.01 at % to 10 at %, the Ni-B alloy film is formed by an electroless-plating process with use of an electroless Ni-B plating liquid, the electroless Ni-B plating liquid comprising nickel ions, a complexing agent for the nickel ions, a reducing agent for the nickel ions, and ammoniums (NH4¬+), the Ni-B alloy film has an FCC crystalline structure, and the Ni-B alloy film has a boron content within the range from 0.01 at % to 10 at %. The method for manufacturing an electronic device comprises electroless plating an electronic device having an embedded interconnect structure with an electroless Ni-B plating liquid to form a protective layer of a Ni-B alloy film selectively on a surface of an interconnect of the electronic device, wherein the electroless Ni-B plating liquid comprises nickel ions, a complex agent for nickel ions, a reducing agent for nickel ions, and ammoniums (NH4¬+).
摘要翻译：目的：一种无电镀Ni-B电镀液，可以降低所得电镀膜的硼含量，而不增加电镀速率，形成具有FCC（面心立方晶系）晶体结构的Ni-B合金膜，其中，通过使用电镀液进行无电镀形成的镀膜来保护互连，并且提供其制造方法。构成：用于在具有嵌入式互连结构的电子器件的互连件的至少一部分互连上形成Ni-B合金膜的无电Ni-B电镀液包括镍离子，用于镍离子的完成剂，用于镍的还原剂离子和铵（NH 4 +），其中还原剂包括烷基胺硼烷或硼氢化合物，铵由氨水制备，无电镀Ni-B电镀液的pH调节在8至 12，将化学镀Ni-B镀液的温度调节在50〜90℃的范围内。电子器件具有银，银合金，铜或铜合金的嵌入式互连结构，其中互连表面选择性地覆盖有Ni-B合金膜的保护层，其中Ni-B合金膜具有FCC 晶体结构，Ni-B合金膜的硼含量在0.01at％至10at％的范围内，Ni-B合金膜通过使用无电镀Ni-B电镀液的无电镀法形成，包含镍离子的非电解Ni-B电镀液，镍离子络合剂，镍离子还原剂和铵（NH4- +），Ni-B合金膜具有FCC晶体结构，Ni -B合金膜的硼含量在0.01原子％至10原子％的范围内。电子设备的制造方法包括：电化学电镀具有嵌入式互连结构的电化学镀Ni-B电镀液，以在电子器件的互连件的表面上选择性地形成Ni-B合金膜的保护层，其中所述无电Ni-B电镀液包含镍离子，镍离子络合剂，镍离子还原剂和铵（NH 4+）。

6. 发明授权

KR1019970006932B1 반도체장치의 제조방법 및 박막형성장치 失效
标题翻译：半导体制造方法
公开(公告)号：KR1019970006932B1
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019930030367
申请日：1993-12-28
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 미야타마사히로 , 에가와히데미츠 , 후쿠하라조타 , 다케다신지 , 에자와히로카즈
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/90
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/00
摘要： 내용없음

7. 发明授权

KR1019920009716B1 범프구조를 갖춘 반도체장치 失效
标题翻译：制造BUMP结构的半导体器件
公开(公告)号：KR1019920009716B1
公开(公告)日：1992-10-22
申请号：KR1019880013748
申请日：1988-10-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 엔도다카시 , 에자와히로카즈
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/53252 , H01L23/53242 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05664 , H01L2224/1147 , H01L2224/11472 , H01L2224/13018 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2924/0001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014 , H01L2924/013
摘要： 내용 없음.
摘要翻译：一种在电极焊盘（12）上方的半导体衬底（11）上的凸起电极（16）和金属膜（14a）的半导体器件。凸起电极（16）的形状由立方体部分和从立方部分的底部向外延伸的裙部（16a）构成。在制造这样的半导体装置中，使用在特定的层叠条件下层叠在金属膜（14a）上并形成有开口部的干膜。通过电解电镀，在开口内的金属膜（14a）上形成凸点材料。沉积物具有与开口形状对应的立方部分，并且裙部（16a）从立方部分的底部向外延伸到干膜和金属膜（14a）之间的空间中。使用沉积物作为掩模蚀刻出金属膜（14a），从而使沉积物作为半导体器件的凸块电极（16）。

8. 发明授权

KR100241206B1 반도체장치의 제조방법 및 제조장치 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法及其制造方法
公开(公告)号：KR100241206B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970008138
申请日：1997-03-11
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 에가와히데미츠 , 에자와히로카즈
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/004 , B23K20/007 , B23K2201/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/02126 , H01L2224/02166 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/78301 , H01L2224/85009 , H01L2224/8502 , H01L2224/85045 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/12044 , H01L2924/20753 , H05K13/06 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要： An electronic element producing apparatus comprises a bonding tool 1 which has a first supply hole 2 for passing a bonding wire 3 used to bond a bonding pad 6 of a semiconductor device 5 and an external conductor which is to be connected electrically with the bonding pad 6, and contacts a leading end 3b of the bonding wire 3 protruded outside from the first supply hole 2 to the bonding pad 6, and which also has a second supply hole 12 to supply a bonding material to bond the bonding pad 6 and the leading end 3b of the bonding wire 3, the second supply hole 12 being formed to supply the conductive material to a contact point between the bonding wire 3 and the bonding pad 6. Therefore, the bonding pad 6 and the bonding wire 3 can be bonded without applying a dynamic or thermal load to the semiconductor device 5.
摘要翻译：电子元件制造装置包括接合工具1，该接合工具1具有用于使用于接合半导体器件5的接合焊盘6的接合线3和与接合焊盘6电连接的外部导体的第一供给孔2 并且接触从第一供给孔2向外侧突出的接合线3的前端3b到接合焊盘6，并且还具有第二供给孔12，用于提供接合材料以将接合焊盘6和前端 3b形成，第二供应孔12形成为将导电材料供应到接合线3和接合焊盘6之间的接触点。因此，接合焊盘6和接合线3可以粘合而不施加对半导体器件5的动态或热负载。

9. 发明授权

KR100127393B1 반도체장치의 제조방법 및 박막형성장치 失效
公开(公告)号：KR100127393B1
公开(公告)日：1997-10-21
申请号：KR1019930030367
申请日：1993-12-28
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 미야타마사히로 , 에가와히데미츠 , 후쿠하라조타 , 다케다신지 , 에자와히로카즈
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/90

10. 发明公开

KR1019940018936A 반도체 장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019940018936A
公开(公告)日：1994-08-19
申请号：KR1019940000528
申请日：1994-01-13
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 에자와히로카즈 , 미야타마사히로
IPC分类号： H01L21/768

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式