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1. 发明公开

CN101833251A 含有卤素含氧酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物有权转让
公开(公告)号：CN101833251A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910166654.0
申请日：2004-11-05
申请人：马林克罗特贝克公司
发明人：许建斌
IPC分类号： G03F7/42 , C11D7/50 , C11D7/54 , C11D7/32
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/423 , G03F7/426
摘要：本发明通过包含氢卤酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物提供了用于清洗微电子基板的微电子清洗组合物，尤其是用于微电子基板并且对微电子基板以及镀Al或Al(Cu)的基板和先进的互连技术具有改进的相容性的清洗组合物，所述微电子基板的特征在于二氧化硅、敏感的低-κ或高-κ电介质并镀铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡和其它金属。

2. 发明公开

CN1954267A 含有卤素含氧酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物有权转让
公开(公告)号：CN1954267A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200480041602.6
申请日：2004-11-05
申请人：马林克罗特贝克公司
发明人：许建斌
IPC分类号： G03F7/42 , C11D11/00 , C11D3/395 , C11D7/32
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/423 , G03F7/426
摘要：本发明通过包含氢卤酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物提供了用于清洗微电子基板的微电子清洗组合物，尤其是用于微电子基板并且对微电子基板以及镀Al或Al(Cu)的基板和先进的互连技术具有改进的相容性的清洗组合物，所述微电子基板的特征在于二氧化硅、敏感的低－κ或高－κ电介质并镀铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡和其它金属。

3. 发明授权

CN1954267B 含有卤素含氧酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物有权转让
公开(公告)号：CN1954267B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200480041602.6
申请日：2004-11-05
申请人：马林克罗特贝克公司
发明人：许建斌
IPC分类号： G03F7/42 , C11D11/00 , C11D3/395 , C11D7/32
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/423 , G03F7/426
摘要：本发明通过包含氢卤酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物提供了用于清洗微电子基板的微电子清洗组合物，尤其是用于微电子基板并且对微电子基板以及镀Al或Al(Cu)的基板和先进的互连技术具有改进的相容性的清洗组合物，所述微电子基板的特征在于二氧化硅、敏感的低-κ或高-κ电介质并镀铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡和其它金属。

4. 发明公开

CN1659481A 包含氧化剂和有机溶剂的微电子清洁组合物无效复审申请
公开(公告)号：CN1659481A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813035.1
申请日：2003-05-27
申请人：马林克罗特贝克公司
发明人：许建斌
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C23G1/061 , C11D3/2068 , C11D3/245 , C11D3/28 , C11D3/33 , C11D3/3454 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/28 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , C23G1/18 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/31133
摘要：适用于清洁具有二氧化硅、低κ或高κ电介质和铜或铝金属化的微电子结构的清洁组合物包含氧化剂和选自酰胺、砜、环丁烯砜、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂，及任选的其它组分。

5. 发明公开

CN1659480A 用于微电子基底的清洁组合物无效复审申请
公开(公告)号：CN1659480A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813026.2
申请日：2003-05-27
申请人：马林克罗特贝克公司
发明人：许建斌
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C23G1/061 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H05K3/26 , H05K2203/0783 , H05K2203/121 , H05K2203/122
摘要：适用于清洁具有二氧化硅、低κ或高κ电介质和铜或铝金属化的微电子结构的清洁组合物包含强碱和选自酰胺、砜、环丁烯砜、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂。

6. 发明公开

CN1961065A 纳米电子和微电子清洗组合物失效转让
公开(公告)号：CN1961065A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580006705.3
申请日：2005-02-11
申请人：马林克罗特贝克公司
发明人：许建斌
IPC分类号： C11D11/00 , C11D3/39 , C11D3/395 , G03F7/42 , C11D7/50 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/26 , C11D7/22
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/22 , C11D7/261 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D7/5022 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要：用于在超临界流体态条件下清洗纳米电子和微电子基底的纳米电子和微电子清洗组合物，更具体地，对以二氧化硅、敏感的低κ或高κ电介质和铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡和其他金属化为特征的纳米电子和微电子基底以及Al或Al(Cu)金属化的基底和高级的互连技术有用并与之具有改进相容性的清洗组合物，通过本发明含有纳米电子和微电子清洗组合物的纳米电子和微电子清洗组合物而提供，所述组合物含有：(1)在250℃或更低温度下和600bars(592.2atm，8702.3psi)或更低压力下达到超临界流体态的超临界主流体，和(2)作为第二种流体，选自以下制剂的改进剂制剂：a)含有氧化剂；选自酰胺、砜、环丁烯砜类、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂；和任选其他组分的制剂；b)含有选自酰胺、砜、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂；强碱性碱；和任选其他组分的无硅酸盐的制剂；c)含有约0.05重量％～30重量％一种或多种不产生铵、含有非亲核性荷正电的反离子的强碱；约0.5～约99.95重量％一种或多种腐蚀抑制溶剂化合物，所述腐蚀抑制溶剂化合物具有至少两个能够与金属络合的位点；和任选其他组分的制剂；d)含有约0.05～20重量％一种或多种不产生铵、不产生HF的氟化物盐；约5～约99.95重量％水、有机溶剂或者水和有机溶剂；和任选其他组分的制剂；和e)含有约0.05重量％～30重量％一种或多种不产生铵、含有非亲核性荷正电的反离子的强碱；约5～约99.95重量％一种或多种位阻酰胺溶剂；和任选其他组分的制剂。

7. 发明授权

CN1961065B 纳米电子和微电子清洗组合物失效转让
公开(公告)号：CN1961065B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200580006705.3
申请日：2005-02-11
申请人：马林克罗特贝克公司
发明人：许建斌
IPC分类号： C11D11/00 , C11D3/39 , C11D3/395 , G03F7/42 , C11D7/50 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/26 , C11D7/22
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/22 , C11D7/261 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D7/5022 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要：用于在超临界流体态条件下清洗纳米电子和微电子基底的纳米电子和微电子清洗组合物，更具体地，对以二氧化硅、敏感的低κ或高κ电介质和铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡和其他金属化为特征的纳米电子和微电子基底以及Al或Al(Cu)金属化的基底和高级的互连技术有用并与之具有改进相容性的清洗组合物，通过本发明含有纳米电子和微电子清洗组合物的纳米电子和微电子清洗组合物而提供，所述组合物含有：(1)在250℃或更低温度下和600bars (592.2atm，8702.3psi)或更低压力下达到超临界流体态的超临界主流体，和(2)作为第二种流体，选自以下制剂的改进剂制剂：a)含有氧化剂；选自酰胺、砜、环丁烯砜类、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂；和任选其他组分的制剂；b)含有选自酰胺、砜、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂；强碱性碱；和任选其他组分的无硅酸盐的制剂；c)含有约0.05重量％～30重量％一种或多种不产生铵、含有非亲核性荷正电的反离子的强碱；约0.5～约99.95重量％一种或多种腐蚀抑制溶剂化合物，所述腐蚀抑制溶剂化合物具有至少两个能够与金属络合的位点；和任选其他组分的制剂；d)含有约0.05～20重量％一种或多种不产生铵、不产生HF的氟化物盐；约5～约99.95重量％水、有机溶剂或者水和有机溶剂；和任选其他组分的制剂；和e)含有约0.05重量％～30重量％一种或多种不产生铵、含有非亲核性荷正电的反离子的强碱；约5～约99.95重量％一种或多种位阻酰胺溶剂；和任选其他组分的制剂。

8. 发明公开

CN101923294A 含有卤素含氧酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物有权转让
公开(公告)号：CN101923294A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910166653.6
申请日：2004-11-05
申请人：马林克罗特贝克公司
发明人：许建斌
IPC分类号： G03F7/42 , C11D7/50 , C11D7/54 , C11D7/32
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/423 , G03F7/426
摘要：本发明涉及含有卤素含氧酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物。本发明通过包含氢卤酸、其盐及其衍生物的微电子清洗组合物提供了用于清洗微电子基板的微电子清洗组合物，尤其是用于微电子基板并且对微电子基板以及镀Al或Al(Cu)的基板和先进的互连技术具有改进的相容性的清洗组合物，所述微电子基板的特征在于二氧化硅、敏感的低-κ或高-κ电介质并镀铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡和其它金属。

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