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    • 5. 发明公开
    • 一种互补半桥电路
    • CN107196489A
    • 2017-09-22
    • CN201710482991.5
    • 2017-06-22
    • 马丽娟
    • 马丽娟
    • H02M1/08H02M1/44
    • H02M1/08H02M1/44
    • 一种互补半桥电路,包括高位开关SH,低位开关SL,第一二极管D1,第二二极管D2,第一电阻R1,第一电容C1,线圈L1,其连接方式是,当所述的高位开关SH和低位开关SL是MOSFET时,高位开关SH的栅极和源极分别连接第一二极管D1的阴极和阳极,高位开关SH的栅极和漏极分别连接第二二极管D2的阳极和阴极;所述的低位开关SL的漏极与第一二极管D1的阴极串联,第一二极管D1的阳极与高位开关SH的源极串联;第一电阻R1并联于第一二极管D1的阴极和阳极,形成RD并联电路;所述的第一电容C1与线圈L1串联,形成LC串联电路,该LC串联电路一端连接高位开关SH的源极,另一端或者连接高位开关SH的漏极,或者连接低位开关SL的源极。本发明提出的一种互补半桥电路解决了传统半桥电路中高位开关SH的驱动问题,其利用所述的RD并联电路两端电压来控制高位开关SH的开通和关断,以完成高位驱动,本发明公开的一种半桥互补电路省去了用于产生PWM2的IC和外围元器件,由此降低了成本,提高了可靠性。