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1. 发明专利

TW200837884A 半導體裝置及其形成方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备及其形成方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200837884A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW097100887
申请日：2008-01-09
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：伊關妮N 史帝芬諾夫 STEFANOV, EVGUENIY N , 伊凡納德蘭 DERAM, IVANA , 尚米歇爾漢斯 REYNES, JEAN-MICHEL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66719 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/42372 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/8083
摘要：本發明提供一種形成一具有一主動區域(2)及一環繞該主動區域之終止區域(3)的半導體裝置之方法,其包含提供一半導體基板(4)、在該半導體基板上方提供一具有一第一導電性類型之半導體層(6)及在該半導體層上方形成一遮罩層(52)。該遮罩層(52)確定該半導體層之一表面的至少兩個部分(54、56)之輪廓:一第一確定輪廓部分(54)在該主動區域(2)中確定一漂移區(8)之輪廓且一第二確定輪廓部分(56)在該終止區域(3)中確定一終止區(12)之輪廓。提供具有一第二導電性類型之半導體材料至該第一確定輪廓部分(54)及該第二確定輪廓部分(56),以提供一埋入於該半導體裝置之該主動區域(2)中之該半導體層(6)中之具有該第二導電性類型的漂移區(8)及一埋入於該半導體裝置之該終止區域(3)中之該半導體層(6)中之具有該第二導電性類型的第一終止區(12)。
简体摘要：本发明提供一种形成一具有一主动区域(2)及一环绕该主动区域之终止区域(3)的半导体设备之方法,其包含提供一半导体基板(4)、在该半导体基板上方提供一具有一第一导电性类型之半导体层(6)及在该半导体层上方形成一遮罩层(52)。该遮罩层(52)确定该半导体层之一表面的至少两个部分(54、56)之轮廓:一第一确定轮廓部分(54)在该主动区域(2)中确定一漂移区(8)之轮廓且一第二确定轮廓部分(56)在该终止区域(3)中确定一终止区(12)之轮廓。提供具有一第二导电性类型之半导体材料至该第一确定轮廓部分(54)及该第二确定轮廓部分(56),以提供一埋入于该半导体设备之该主动区域(2)中之该半导体层(6)中之具有该第二导电性类型的漂移区(8)及一埋入于该半导体设备之该终止区域(3)中之该半导体层(6)中之具有该第二导电性类型的第一终止区(12)。

2. 发明专利

TW200837883A 半導體裝置及其形成之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备及其形成之方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200837883A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW097100225
申请日：2008-01-03
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：伊關妮史帝芬諾夫 STEFANOV, EVGUENIY , 艾倫德蘭 DERAM, ALAIN , 尚米歇爾漢斯 REYNES, JEAN-MICHEL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L29/66712
摘要：本發明揭示一種形成半導體裝置的方法,其包含提供一半導體基板(4),在該半導體基板(4)上提供一第一導電率類型之一半導體層(6),在該半導體層(6)中形成該第一導電率類型之一第一區(8),及在該半導體層(6)上及該第一區(8)之部分上形成一控制區(26)。一遮罩層係形成在該半導體層上,且加外框於該第一區(8)之部分上的該半導體層(6)之一表面(10)的一第一部分(58)。將一第二導電率類型之半導體材料提供予該已加外框第一部分(58),以在該半導體層(6)中提供一第二區(12)。驅動該第一區(8)及第二區(12)進入該半導體層中,以形成該第一導電率類型之一預控制區(8),其自該表面(10)及在該控制區(26)之一部分下延伸進入該半導體層,且該第二導電率類型之一漸變本體區(12)在該預控制區(8)下延伸進入該半導體層內。一本體區(14)係藉由提供該第二導電率類型之半導體材料至該已加外框第一部分(58)而形成。該本體區(14)延伸進入該預控制區(8)。一電流電極區(18)係形成在該本體區(14)中。
简体摘要：本发明揭示一种形成半导体设备的方法,其包含提供一半导体基板(4),在该半导体基板(4)上提供一第一导电率类型之一半导体层(6),在该半导体层(6)中形成该第一导电率类型之一第一区(8),及在该半导体层(6)上及该第一区(8)之部分上形成一控制区(26)。一遮罩层系形成在该半导体层上,且加外框于该第一区(8)之部分上的该半导体层(6)之一表面(10)的一第一部分(58)。将一第二导电率类型之半导体材料提供予该已加外框第一部分(58),以在该半导体层(6)中提供一第二区(12)。驱动该第一区(8)及第二区(12)进入该半导体层中,以形成该第一导电率类型之一预控制区(8),其自该表面(10)及在该控制区(26)之一部分下延伸进入该半导体层,且该第二导电率类型之一渐变本体区(12)在该预控制区(8)下延伸进入该半导体层内。一本体区(14)系借由提供该第二导电率类型之半导体材料至该已加外框第一部分(58)而形成。该本体区(14)延伸进入该预控制区(8)。一电流电极区(18)系形成在该本体区(14)中。

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