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1. 发明专利

TW200802960A 半導體發光裝置的互連 INTERCONNECTS FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES 审中-公开
简体标题：半导体发光设备的互连 INTERCONNECTS FOR SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TW200802960A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW095133287
申请日：2006-09-08
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：史帝法諾史恰非諾 SCHIAFFINO, STEFANO , 亞新夏悌爾哈奎 HAQUE, ASHIM SHATIL , 保羅 S 馬汀 MARTIN, PAUL S. , 丹尼爾 A 史太傑瓦德 STEIGERWALD, DANIEL A. , 孫德才 SUN, DECAI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/48091 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種半導體發光裝置,其包括一設置於一n型區域與-p型區域之間之發光層及電連接至該n型區域及該p型區域之若干觸點,該n型區域及該p型區域連接至一基台。一經任意圖案化以覆蓋該半導體發光裝置面積之至少20%之金屬層被電鍍於一形成於該基台上之金屬層或一形成於該等觸點之一者上之金屬層上。該電鍍金屬層可替代其他諸如柱形凸塊之已知互連技術。藉由致使該等金屬層之接觸表面之間交互擴散(interdiffusion)而將該半導體發光裝置實體連接至該基台。於一些實施例中,將一銲料層形成於該電鍍金屬層上,且然後藉由加熱該銲料將該半導體發光裝置實體連接至該基台。
简体摘要：本发明揭示一种半导体发光设备,其包括一设置于一n型区域与-p型区域之间之发光层及电连接至该n型区域及该p型区域之若干触点,该n型区域及该p型区域连接至一基台。一经任意图案化以覆盖该半导体发光设备面积之至少20%之金属层被电镀于一形成于该基台上之金属层或一形成于该等触点之一者上之金属层上。该电镀金属层可替代其他诸如柱形凸块之已知互连技术。借由致使该等金属层之接触表面之间交互扩散(interdiffusion)而将该半导体发光设备实体连接至该基台。于一些实施例中,将一焊料层形成于该电镀金属层上,且然后借由加热该焊料将该半导体发光设备实体连接至该基台。

2. 发明专利

TW200834982A 半導體發光裝置之電氣接點 ELECTRICAL CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING APPARATUS 审中-公开
简体标题：半导体发光设备之电气接点 ELECTRICAL CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING APPARATUS
公开(公告)号：TW200834982A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096137329
申请日：2007-10-04
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：史帝法諾史恰非諾 SCHIAFFINO, STEFANO , 約翰朱利安烏賓 UEBBING, JOHN JULIAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20
摘要：本發明揭示一種用於形成一半導體發光裝置之電氣接點之方法。該發光裝置具有一具第一導電型之第一層,一上覆於該第一層上用以產生光之有效層,及一上覆於該有效層上之具第二導電型之第二層。該方法涉及穿過該第二層及該有效層形成至少一第一及一第二狹長電氣接點以提供與該第一層之電氣連接,該第一接點與該第二接點彼此以一角度定向,該第一接點具有一與該第二接點接近之第一末端,該第一末端與該第二接點充分地間隔開,使得在經由該等接點給該第一層供應電流時,在一大體處於該第一接點之該第一末端與該第二接點之間的區中,來自該第一末端及該第二接點的電流貢獻在該區中引起一與一沿該第一接點及該第二接點之其他處之電流密度大致相等之電流密度。
简体摘要：本发明揭示一种用于形成一半导体发光设备之电气接点之方法。该发光设备具有一具第一导电型之第一层,一上覆于该第一层上用以产生光之有效层,及一上覆于该有效层上之具第二导电型之第二层。该方法涉及穿过该第二层及该有效层形成至少一第一及一第二狭长电气接点以提供与该第一层之电气连接,该第一接点与该第二接点彼此以一角度定向,该第一接点具有一与该第二接点接近之第一末端,该第一末端与该第二接点充分地间隔开,使得在经由该等接点给该第一层供应电流时,在一大体处于该第一接点之该第一末端与该第二接点之间的区中,来自该第一末端及该第二接点的电流贡献在该区中引起一与一沿该第一接点及该第二接点之其他处之电流密度大致相等之电流密度。

3. 发明专利

TW200845424A 用以雷射剝離成長基板之具有最大金屬支撐的發光二極體封裝 LED ASSEMBLY HAVING MAXIMUM METAL SUPPORT FOR LASER LIFT-OFF OF GROWTH SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：用以激光剥离成长基板之具有最大金属支撑的发光二极管封装 LED ASSEMBLY HAVING MAXIMUM METAL SUPPORT FOR LASER LIFT-OFF OF GROWTH SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200845424A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096148125
申请日：2007-12-14
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：史帝法諾史恰非諾 SCHIAFFINO, STEFANO , 丹尼爾A 史坦格沃 STEIGERWALD, DANIEL A. , 瑪麗荷肯 HOLCOMB, MARI , 葛羅葛瑞倍森 BASIN, GRIGORIY , 保羅S 馬汀 MARTIN, PAUL S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L2224/73204 , H01L2924/01322 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種用以在將LED晶粒接合至一子基板(56)之後使用一雷射剝離程序(72)移除成長基板(例如藍寶石)(28)來形成一LED結構之程序。該LED晶粒之下側已在其上形成實質相同平面的陽極(36、40)及陰極(34、38)電極,其中該等電極至少覆蓋該LED結構之背表面之85%。該子基板具有一對應的實質相同平面陽極(60)及陰極(58)電極布局。該等LED晶粒電極及子基板電極係超音波熔接在一起,使得該LED晶粒之整體表面事實上係由該等電極及子基板來支撐。還可使用其他接合技術。不使用任何側填滿。接著使用一雷射剝離程序將形成該LED結構頂部的該成長基板從LED層中移除。在該雷射剝離程序期間所產生之極高壓力由於該等電極及子基板對該等LED層之較大面積支撐而不會損壞該等LED層。
简体摘要：本发明揭示一种用以在将LED晶粒接合至一子基板(56)之后使用一激光剥离进程(72)移除成长基板(例如蓝宝石)(28)来形成一LED结构之进程。该LED晶粒之下侧已在其上形成实质相同平面的阳极(36、40)及阴极(34、38)电极,其中该等电极至少覆盖该LED结构之背表面之85%。该子基板具有一对应的实质相同平面阳极(60)及阴极(58)电极布局。该等LED晶粒电极及子基板电极系超音波熔接在一起,使得该LED晶粒之整体表面事实上系由该等电极及子基板来支撑。还可使用其他接合技术。不使用任何侧填满。接着使用一激光剥离进程将形成该LED结构顶部的该成长基板从LED层中移除。在该激光剥离进程期间所产生之极高压力由于该等电极及子基板对该等LED层之较大面积支撑而不会损坏该等LED层。

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