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1. 发明专利

TW200615369A 半導體研磨用組合物审中-公开
简体标题：半导体研磨用组合物
公开(公告)号：TW200615369A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW094109848
申请日：2005-03-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要：本發明之目的在於即使含有塵霧狀二氧化矽作為研磨劑，亦不會影響塵霧狀二氧化矽之優點即較高之研磨速度，而顯著減少半導體元件表面之研磨損傷的產生。於貼附於研磨台1之墊2上載置半導體晶圓3，向半導體晶圓3按壓加壓頭4，且將研磨用組合物5供給至墊2表面，旋轉並且墊2與加壓頭4研磨半導體晶圓3時，作為研磨用組合物5，係使用以下半導體研磨用組合物，其係塵霧狀二氧化矽之水分散液，粒徑0.5.μm以上之塵霧狀二氧化矽粒子之粒子數為60萬個／ml以下，且粒徑1.μm以上之塵霧狀二氧化矽粒子之粒子數為4000個／ml以下。
简体摘要：本发明之目的在于即使含有尘雾状二氧化硅作为研磨剂，亦不会影响尘雾状二氧化硅之优点即较高之研磨速度，而显着减少半导体组件表面之研磨损伤的产生。于贴附于研磨台1之垫2上载置半导体晶圆3，向半导体晶圆3按压加压头4，且将研磨用组合物5供给至垫2表面，旋转并且垫2与加压头4研磨半导体晶圆3时，作为研磨用组合物5，系使用以下半导体研磨用组合物，其系尘雾状二氧化硅之水分散液，粒径0.5.μm以上之尘雾状二氧化硅粒子之粒子数为60万个／ml以下，且粒径1.μm以上之尘雾状二氧化硅粒子之粒子数为4000个／ml以下。

2. 发明专利

TW200604328A 半導體研磨用組合物审中-公开
简体标题：半导体研磨用组合物
公开(公告)号：TW200604328A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094109795
申请日：2005-03-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： H01L21/02024 , C09G1/02
摘要：本發明之目的在於即使含有煙燻二氧化矽作為研磨劑，亦不會影響煙燻二氧化矽之優點即較高之研磨速度，而顯著減少半導體元件表面之研磨損傷的產生。於貼附於研磨台1之墊2上載置晶圓3，藉由加壓頭4向晶圓3施加荷重，於旋轉墊2與加壓頭4而研磨晶圓3時，作為供給至墊2上之研磨用組合物5，使用一種研磨用組合物，其係煙燻二氧化矽之水分散液，且振盪10天後之平均粒子徑增加率為10％以下。藉此，幾乎不會產生因外部負荷以及／或長期保存造成之煙燻二氧化矽之凝集，故而研磨後之半導體元件表面之研磨損傷之數量顯著減少，從而可製造良率較好地製造電性連接可靠性優良的高品質半導體元件。
简体摘要：本发明之目的在于即使含有烟熏二氧化硅作为研磨剂，亦不会影响烟熏二氧化硅之优点即较高之研磨速度，而显着减少半导体组件表面之研磨损伤的产生。于贴附于研磨台1之垫2上载置晶圆3，借由加压头4向晶圆3施加荷重，于旋转垫2与加压头4而研磨晶圆3时，作为供给至垫2上之研磨用组合物5，使用一种研磨用组合物，其系烟熏二氧化硅之水分散液，且振荡10天后之平均粒子径增加率为10％以下。借此，几乎不会产生因外部负荷以及／或长期保存造成之烟熏二氧化硅之凝集，故而研磨后之半导体组件表面之研磨损伤之数量显着减少，从而可制造良率较好地制造电性连接可靠性优良的高品质半导体组件。

3. 发明专利

TW200613532A 半導體研磨用組合物审中-公开
简体标题：半导体研磨用组合物
公开(公告)号：TW200613532A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094109847
申请日：2005-03-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI
IPC分类号： C09K , H01L
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要：本發明之目的在於提供一種半導體研磨用組合物，其可防止塵霧狀二氧化矽之凝集，且可對半導體元件不產生研磨損傷之方式有效且高精度地研磨半導體元件。將分散前粉體之粉末密度為50 g／L以上且未滿100 g／L之塵霧狀二氧化矽作為研磨粒而使用。若粉末密度為75 g／L以上85 g／L以下則更好。藉此，可使塵霧狀二氧化矽之分散狀態良好，且亦可實現輸送成本之降低。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种半导体研磨用组合物，其可防止尘雾状二氧化硅之凝集，且可对半导体组件不产生研磨损伤之方式有效且高精度地研磨半导体组件。将分散前粉体之粉末密度为50 g／L以上且未满100 g／L之尘雾状二氧化硅作为研磨粒而使用。若粉末密度为75 g／L以上85 g／L以下则更好。借此，可使尘雾状二氧化硅之分散状态良好，且亦可实现输送成本之降低。

4. 发明专利

TW200602471A 半導體研磨用組合物审中-公开
简体标题：半导体研磨用组合物
公开(公告)号：TW200602471A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094109782
申请日：2005-03-29
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/30625
摘要：本發明之目的在於即使含有煙燻之二氧化矽作為研磨劑，亦不會影響煙燻二氧化矽之優點即較高之研磨速度，而顯著減少半導體元件表面之研磨損傷的產生。於貼附於研磨台1之墊2上載置晶圓3，藉由加壓頭4向晶圓3施加荷重，藉由旋轉墊2與加壓頭4而研磨晶圓3時，作為供給至墊2上之研磨用組合物5，使用一種研磨用組合物，其係煙燻二氧化矽之水分散液，且粒徑100nm以下之煙燻二氧化矽粒子的含有量為煙燻二氧化矽所有粒子之15體積％以上。該組合物幾乎未產生由於外部負荷及／或長期保存而導致之煙燻二氧化矽的凝集，因此幾乎未產生半導體元件表面之研磨損傷，特別是直徑0.2μm以上之研磨損傷，且具有較高研磨速度。
简体摘要：本发明之目的在于即使含有烟熏之二氧化硅作为研磨剂，亦不会影响烟熏二氧化硅之优点即较高之研磨速度，而显着减少半导体组件表面之研磨损伤的产生。于贴附于研磨台1之垫2上载置晶圆3，借由加压头4向晶圆3施加荷重，借由旋转垫2与加压头4而研磨晶圆3时，作为供给至垫2上之研磨用组合物5，使用一种研磨用组合物，其系烟熏二氧化硅之水分散液，且粒径100nm以下之烟熏二氧化硅粒子的含有量为烟熏二氧化硅所有粒子之15体积％以上。该组合物几乎未产生由于外部负荷及／或长期保存而导致之烟熏二氧化硅的凝集，因此几乎未产生半导体组件表面之研磨损伤，特别是直径0.2μm以上之研磨损伤，且具有较高研磨速度。

5. 发明专利

TWI306115B 研磨用組合物之製造方法有权
简体标题：研磨用组合物之制造方法
公开(公告)号：TWI306115B
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：TW093103492
申请日：2004-02-13
申请人：霓塔哈斯股份有限公司 NITTA HAAS INCORPORATED
发明人：太田慶治 OHTA, YOSHIHARU , 板井康行 ITAI, YASUYUKI , 福田啓司 FUKUDA, KEIJI
IPC分类号： C09K , C01B , H01L
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02
摘要：本發明之目的係提供一種分散穩定性優良,凝聚粒子少之研磨用組合物之製造方法。於步驟1-1中將超純水之pH値調製為1.0~2.7,以高剪切分散裝置供給剪切力,並且投入具有比表面積為50~200 m2/g之氣相式氧化矽粉末直至初期氧化矽濃度成為46~54重量%,且以高剪切分散裝置供給剪切力1~5小時。於步驟1-2中為使氧化矽濃度成為45~53重量%,添加少量之超純水至氧化矽分散液中,並供給剪切力10~40分鐘。於步驟1-3中為使氧化矽濃度成為33~44重量%,將超純水添加至氧化矽分散液中,並供給剪切力0.5~4小時。於步驟2-1中對於為使混合後之pH値成為8~12,且氧化矽濃度成為10~30重量%而調製之鹼性物質水溶液中,添加氧化矽分散液。
简体摘要：本发明之目的系提供一种分散稳定性优良,凝聚粒子少之研磨用组合物之制造方法。于步骤1-1中将超纯水之pH値调制为1.0~2.7,以高剪切分散设备供给剪切力,并且投入具有比表面积为50~200 m2/g之气相式氧化硅粉末直至初期氧化硅浓度成为46~54重量%,且以高剪切分散设备供给剪切力1~5小时。于步骤1-2中为使氧化硅浓度成为45~53重量%,添加少量之超纯水至氧化硅分散液中,并供给剪切力10~40分钟。于步骤1-3中为使氧化硅浓度成为33~44重量%,将超纯水添加至氧化硅分散液中,并供给剪切力0.5~4小时。于步骤2-1中对于为使混合后之pH値成为8~12,且氧化硅浓度成为10~30重量%而调制之碱性物质水溶液中,添加氧化硅分散液。

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