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1. 发明申请

WO2009096343A1 シリカ質粉末、その製造方法及び用途审中-公开
标题翻译：硅粉，其生产方法及其用途
公开(公告)号：WO2009096343A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/JP2009/051125
申请日：2009-01-23
申请人：電気化学工業株式会社 , 西泰久 , 佐々木修治 , 村田弘
发明人：西泰久 , 佐々木修治 , 村田弘
IPC分类号： C01B33/18 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09K3/10 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H05K1/0373 , C01B32/40 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H05K2201/0209 , H01L2924/00
摘要：　半導体封止材などの調製に好適なシリカ質粉末、及びその製造方法を提供する。　ピリジンのフロイントリッヒ吸着定数Ｋが１．３～５．０であるシリカ質粉末であり、特に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及びＢ２Ｏ３の含有率（酸化物換算）の合計が９９．５質量％以上であり、Ａｌ２Ｏ３及びＢ２Ｏ３の含有率の合計が０．１～２０質量％であることが好ましい。さらに、少なくとも２本のバーナーを、炉体の中心軸に対して２～１０°の角度をつけて炉体に配置し、１本のバーナーからは原料シリカ質粉末を、少なくとも１本のバーナーからはＡｌ源物質及び／又はＢ源物質を火炎に噴射するシリカ質粉末の製造方法。また、上記シリカ質粉末又は無機質粉末を含有する樹脂組成物。
摘要翻译：本发明提供了一种适用于制备半导体封装材料的硅质粉末和一种生产粉末的方法。对吡啶表现出Freudlich吸附常数（K）为1.3〜5.0的硅质粉末，特别优选SiO 2，Al 2 O 3和B 2 O 3的总含量为99.5质量％以上（以氧化物计）的硅质粉末， Al2O3和B2O3的总含量为0.1〜20质量％; 一种生产硅质粉末的方法，该方法包括在炉体中以与炉体中心轴线成2°至10°的角度排列至少两个燃烧器，并从其中一个燃烧器和Al源喷射原料硅质粉末物质和/或B源物质从燃烧器的另一个进入火焰; 以及含有硅质粉末或无机粉末的树脂组合物。

2. 发明申请

WO2009017058A1 シリカ粉末、その製造方法及びそれを用いた組成物审中-公开
标题翻译：二氧化硅粉末及其制造方法及使用其的组合物
公开(公告)号：WO2009017058A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/063409
申请日：2008-07-25
申请人：電気化学工業株式会社 , 佐々木修治 , 内藤栄俊 , 飯塚慶至 , 西泰久
发明人：佐々木修治 , 内藤栄俊 , 飯塚慶至 , 西泰久
IPC分类号： C01B33/18 , C08K9/02 , C08L101/00
CPC分类号： C01B33/181 , Y10T428/2982
摘要：　流動性と充填性に優れ、しかもバリ発生の少ないシリカ粉末、その製造方法、及び、それをゴム及び樹脂の少なくとも一方に含有させてなる組成物、特に封止材を提供する。　超微粉末を０．１～２０質量％含む平均球形度が０．８５以上のシリカ粉末で、超微粉末が動的光散乱式粒度分布測定機にて測定された粒度で、平均粒子径が１５０～２５０ｎｍであり、粒子径１００ｎｍ以下の粒子含有率が１０質量％未満（０質量％を含まない）であり、かつ粒子径が１００ｎｍを超え１５０ｎｍ以下の粒子含有率が１０～５０質量％であるシリカ粉末。さらに、シリカ粉末原料を燃焼バーナーで形成された１７５０°C以上の高温場に噴射して熱処理する際、上記高温場の形成範囲を燃焼バーナーの先端部から３．０～４．５ｍまでの部分とし、その高温場に金属シリコン粉末を０．０５～１０質量％含有させたシリカ粉末原料を噴射するシリカ粉末の製造方法、及び本発明のシリカ粉末を用いた封止材。
摘要翻译：公开了：具有优异的流动性和填充性的二氧化硅粉末，很少引起闪光的发生; 二氧化硅粉末的制造方法; 以及包含二氧化硅粉末和橡胶和树脂中的至少一种，特别是密封材料的组合物。具体公开的是：含有0.1〜20质量％的超细粉末，平均球形度为0.85以上的二氧化硅粉末，其中超细粉末的平均粒径为150〜250nm，以动态光散射粒度分析仪，粒径为100nm以下的粒子的含量小于10质量％（不包括0质量％），粒径大于100nm的粒子的含量和不大于150nm为10〜50质量％。一种二氧化硅粉末的制造方法，其特征在于，通过将原料喷射到通过使用燃烧器形成的1750℃以上的高温区域中，对二氧化硅粉末的原料进行热处理，其中，高温区域为形成在与燃烧器的前端相距3.0〜4.5μm的区域，含有0.05〜10质量％的金属硅粉末的原料喷射到高温区域; 和使用二氧化硅粉末的密封材料。

3. 发明申请

WO2007125891A1 無機質中空粉体、その製造方法及びそれを用いた組成物审中-公开
标题翻译：无机中空颗粒，其生产方法和含有它的组合物
公开(公告)号：WO2007125891A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/058799
申请日：2007-04-24
申请人：電気化学工業株式会社 , 佐々木修治 , 西泰久 , 山野眞二 , 岩佐光芳
发明人：佐々木修治 , 西泰久 , 山野眞二 , 岩佐光芳
IPC分类号： C01B33/18 , C01B13/32 , C08K7/26 , C08L101/00
CPC分类号： C01B33/18 , C01B13/322 , C01P2004/32 , C01P2004/34 , C01P2006/12 , C03C11/002 , H05K1/0373 , H05K2201/0133 , H05K2201/0209 , H05K2201/0254 , Y10T428/2982
摘要：　低誘電性のゴム又は樹脂の組成物などに配合される微細で高中空率を有する無機質中空粉体を提供する。無機質中空粉体は、平均中空率７０体積％超、平均粒子径３～２０μｍを有し、好ましくは、平均中空率７５～８５体積％、平均粒子径５～１５μｍ、最大粒子径２５μｍ以下、比表面積１０ｍ 2 ／ｇ以下、平均球形度０．９０以上、純度９９質量％以上を有する。無機質中空粉体は、外側から順に、助燃ガス供給管、可燃ガス供給管及び無機質原料粉末供給管が組まれた三重管部分を少なくとも備えたバーナーを用いて火炎を形成し、そこにバーナーの無機質原料粉末供給管から、特定粒度の無機質原料粉末を特定相対湿度のキャリアガスに同伴させながら高速吐出速度で噴射し、熱処理を行わせて製造することができる。
摘要翻译：用于结合到低介电橡胶或树脂组合物等中的无机中空颗粒，其是超细的并且具有高百分比的空心。无机中空颗粒的中空平均百分比超过70体积％，平均粒径为3-20μm。它们优选具有75-85体积％，平均粒径为5-15μm，最大粒径为25μm或更小的中空平均百分比，比表面积为10m 2 / g 或更小，平均球形度为0.90以上，纯度为99质量％以上。无机中空颗粒可以通过以下方法制备：使用具有至少三管部分的燃烧器形成火焰，所述三管部分包括燃烧负载气体进料管，可燃气体进料管和无机原料粉末进料从外部按此顺序排列的管道; 并将具有特定粒度的无机原料粉末与具有特定相对湿度的载气一起以高喷出速度从燃烧器的无机原料粉末供给管中喷出粉末，从而进行热处理。

4. 发明申请

WO2008078706A1 非晶質シリカ質粉末、その製造方法及び半導体封止材审中-公开
标题翻译：非晶硅粉，其生产方法和半导体密封材料
公开(公告)号：WO2008078706A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/JP2007/074727
申请日：2007-12-21
申请人：電気化学工業株式会社 , 西泰久 , 梅崎亨
发明人：西泰久 , 梅崎亨
IPC分类号： C01B33/18 , C01B33/12 , C08K3/36 , C08L101/00
CPC分类号： C01B33/12 , C08L21/00 , C08L63/00 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H05K1/0373 , H01L2924/00
摘要：　ＨＴＳＬ特性及びＨＴＯＬ特性を向上させた半導体封止材用に好適な非晶質シリカ質粉末、その製造方法を提供する。　原子吸光光度法で測定されたＡｌ量をＡｌ２Ｏ３換算で０．０３～２０質量％含有する非晶質シリカ質粉末であって、平均粒子径が５０μｍ以下であり、かつ、該非晶質シリカ質粉末を平均粒子径で二つの粉末に分けたときに、平均粒子径より大きな粒子径を有する粉末側よりも、平均粒子径より小さな粒子径を有する粉末側の方が、Ａｌ２Ｏ３換算含有率が大きいことを特徴とする非晶質シリカ質粉末。
摘要翻译：公开了具有改善的HTSL性质和HTOL性质的非晶二氧化硅粉末，因此适合作为半导体密封材料。还公开了一种制备无定形二氧化硅粉末的方法。具体公开了一种无定形二氧化硅粉末，其含有以原子吸收光谱测定的Al 2 O 3 N 3含量为0.03〜20质量％的Al，其具有平均粒径为50μm以下，将无定形二氧化硅粉末的粒子分为两部分，其分别具有比平均粒径大的粒径和比平均粒径小的粒径，具有较小粒径的Al含量（以Al 2 O 3 N 3含量计）比具有较大粒径的级分具有更高的Al含量。

5. 发明申请

WO2007132770A1 セラミックス粉末及びその用途审中-公开
标题翻译：陶瓷粉及其使用方法
公开(公告)号：WO2007132770A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：PCT/JP2007/059745
申请日：2007-05-11
申请人：電気化学工業株式会社 , 西泰久 , 福田貴史
发明人：西泰久 , 福田貴史
IPC分类号： C01B33/18 , C08K3/36 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： C08K3/36 , C01B33/126 , C04B35/14 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
摘要：　半導体封止材料等に利用され、狭隙充填性及び成形性に優れた組成物を調製するために、ゴム又は樹脂などに配合されるセラミックス粉末を提供する。このセラミックス粉末は、レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された粒度において、少なくとも二つの山を持つ多峰性の頻度粒度分布を有し、第一の山の極大粒子径が１２～３０μｍ、第二の山の極大粒子径が２～７μｍの範囲内であり、７μｍ超１２μｍまでの粒子の含有率が１８質量％以下（０％を含む）であり、第二の山の極大粒子径の頻度値Ｆ２と第一の山の極大粒子径の頻度値Ｆ１との比（Ｆ２／Ｆ１）が０．５～１．３である。
摘要翻译：用于半导体密封材料等的陶瓷粉末，并且被混合到橡胶或树脂等中以制备出具有狭窄的间隙填充性能和成型性的组合物。该陶瓷粉末具有通过激光衍射散射粒度分布计测定的至少两个具有粒度的峰的多峰频率粒度分布，其中第一峰的最大粒径在12〜30μm的范围内， 2〜7μm范围的第二峰的最大粒径，超过7〜12μm的粒子的含量为18质量％以下（包括0％），其中，频率 F2）和第一峰的最大粒径F2 / F1的频率（F1）值在0.5〜1.3的范围内。

6. 发明申请

WO2007132771A1 セラミックス粉末及びその用途审中-公开
标题翻译：陶瓷粉及其使用方法
公开(公告)号：WO2007132771A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：PCT/JP2007/059746
申请日：2007-05-11
申请人：電気化学工業株式会社 , 西泰久 , 岩佐光芳
发明人：西泰久 , 岩佐光芳
IPC分类号： C01B33/18 , C08K3/36 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： C08K3/36 , C01B33/12 , C04B35/62665 , C04B35/62813 , C04B35/62892 , C04B2235/3418 , C04B2235/528 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C09K21/02 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
摘要：　半導体封止材料等に利用され、耐熱性及び難燃性に優れた組成物を調製するために、ゴム又は樹脂などに配合されるセラミックス粉末を提供する。このセラミックス粉末は、レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された粒度において、少なくとも二つの山を持つ多峰性の頻度粒度分布を有し、第一の山の極大粒子径が４０～８０μｍ、第二の山の極大粒子径が３～８μｍの範囲内にあり、しかも２０μｍ以上４０μｍ未満の粒子の割合が２０質量％以下（０％を含む）である。
摘要翻译：用于半导体密封材料等的陶瓷粉末，并且被混合到橡胶或树脂等中以制备耐热性和阻燃性优异的组合物。陶瓷粉末具有通过激光衍射散射粒度分布计测定的至少两个具有粒径的峰的多峰频率粒度分布，其中第一峰的最大粒径在40〜80μm的范围内， 3〜8μm范围的第2峰的最大粒径为20〜40μm的粒子的比例为20质量％以下（0％以下）。

7. 发明申请

WO2007102569A1 無機質中空粉体、その製造方法及び該無機質中空粉体を含有する組成物审中-公开
标题翻译：无机中空粉末，生产无机中空粉末的方法，以及包含无机中空粉末的组合物
公开(公告)号：WO2007102569A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/JP2007/054508
申请日：2007-03-08
申请人：電気化学工業株式会社 , 西泰久 , 吉開浩明 , 岩佐光芳
发明人：西泰久 , 吉開浩明 , 岩佐光芳
IPC分类号： C01B33/18 , C01B13/14 , C01B33/12 , C04B35/14 , C04B35/628 , C08K7/26 , C08L21/00 , C08L101/00
CPC分类号： C01B13/145 , C01B33/12 , C01B33/18 , C01B33/181 , C01P2004/34 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C04B20/002 , C04B26/02 , C04B26/26 , C04B38/009 , C08K7/24 , H05K1/024 , H05K1/0373 , H05K2201/0209 , H05K2201/0254 , Y02W30/94 , Y10T428/2982 , C04B18/146 , C04B20/1051 , C04B35/14 , C04B38/0045 , C04B14/30 , C04B20/008 , C08L21/00
摘要：　高純度にして、更なる微細化かつ高中空率化された無機質中空粉体を提供する。具体的には、平均粒子径が１～５μｍ、最大粒子径が２０μｍ以下、粒度分布の標準偏差が３μｍ以下、平均中空率が３５～７０体積％である無機質中空粉体を提供する。この無機質中空粉体は、例えば、外側から助燃性ガス供給管、可燃性ガス供給管及び無機質原料粉末供給管の順に組まれた三重管部分を少なくとも備えたバーナーによって形成された火炎中に、比表面積が５００ｍ 2 ／ｇ以上、平均粒子径が７μｍ以下の無機質原料粉末を上記無機質原料粉末供給管から８０ｍ／ｓ以上の吐出速度で供給して得られる。本発明の無機質中空粉体は、ゴムや樹脂に配合して、例えば、多層プリント基板や電線被覆材、半導体封止材等低誘電率化に有用である。
摘要翻译：本发明提供了一种无机中空粉末，其具有高纯度，并且同时进行了进一步的尺寸减小和增加的中空百分率。具体地说，无机中空粉末的平均粒径为1〜5μm，最大粒径为20μm以下，粒径分布的标准偏差为3μm以下，平均中空度为35〜 70％（体积）无机中空粉末是通过将具有不小于500m 2 / g的比表面积和不大于7μm的平均粒径的无机原料粉末供给到由燃烧器，其至少包括三管部，其包括例如支撑气体供给管，可燃气体供给管和无机原料粉末供给管，其从外侧依次以不小于 80 m / s通过无机原料粉供料管。当将无机中空粉末掺入橡胶或树脂时，可用于降低介电常数，例如在多层印刷电路板，电线覆盖材料和半导体密封材料中。

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