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1. 发明专利

JPWO2018199212A1 水素及びフッ素及び/または塩素を含有したブタジエン骨格を有する化合物の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018199212A1
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：JP2018016930
申请日：2018-04-26
申请人：関東電化工業株式会社 , 国立大学法人群馬大学
发明人：網井秀樹 , 下田光春 , 池谷慶彦 , 木村涼
IPC分类号： C07C21/20 , B01J23/72 , C07C17/269
摘要：本発明は、水素及びフッ素及び/または塩素を含有したポリエン骨格を有する化合物を、簡便に低コスト且つ工業的に製造する方法を提供することを目的とする。式(1):A 1 A 2 C=CA 3 −CA 4 =CA 5 A 6 [式中、A 1 、A 2 、A 5 およびA 6 は、独立して、水素、フッ素または塩素、炭素数1〜3の(パーフルオロ)アルキル基、或いは(パーフルオロ)アルケニル基を表し、A 3 およびA 4 は、独立して、水素、フッ素または塩素を表し、A 1 〜A 6 の少なくとも1つが水素を表し、A 1 〜A 6 の少なくとも1つがフッ素または塩素を表す。]で表されるハロゲン化ジエンの製造方法であって、0価の金属の存在下、式(2):A 7 A 8 C=CA 9 X[式中、A 7 およびA 8 は独立して、水素、フッ素または塩素、炭素数1〜3の(パーフルオロ)アルキル基、或いは(パーフルオロ)アルケニル基を表し、A 9 は、独立して、水素、フッ素または塩素を表し、Xは臭素またはヨウ素を表す。]で表される同一のまたは異なるハロゲン化オレフィンをカップリング反応させる工程を含む、方法。

2. 发明专利

JP6572484B2 水素及びフッ素及び/または塩素を含有したブタジエン骨格を有する化合物の製造方法有权
公开(公告)号：JP6572484B2
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：JP2019514605
申请日：2018-04-26
申请人：関東電化工業株式会社 , 国立大学法人群馬大学
发明人：網井秀樹 , 下田光春 , 池谷慶彦 , 木村涼
IPC分类号： C07C21/20 , C07C17/269

3. 发明专利

JPWO2019245013A1 硫黄原子を含むガス分子を用いたプラズマエッチング方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019245013A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：JP2019024633
申请日：2019-06-21
申请人：関東電化工業株式会社
发明人：加藤惟人 , 高橋至直 , 下田光春 , 池谷慶彦
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：半導体製造プロセスにおいて、SiO 2 やSiNといった材料単体、もしくはSiO 2 やSiNの複合材料から成る膜を、マスク材料に対して選択的に加工でき、また、加工に際して良好な垂直加工形状が得られるプラズマエッチング方法を提供する。一般式(1): Rf 1 −S−Rf 2 (1) (式中、Rf 1 はCxHyFzで表される一価の有機基であり、Rf 2 はCaHbFcで表される一価の有機基である) 式(1)に示されるチオエーテル骨格を持つガス化合物を含む混合ガス、もしくは単体をプラズマ化し、SiO 2 やSiNといった材料単体、もしくは複合材料から成る膜をエッチングすることで、一般的なハイドロフルオロカーボンガスを用いた場合と比べてフッ素原子の含有量が少なく、また硫黄原子を含む保護膜が堆積することで、マスク材料、その他の非エッチング対象材料との選択性の向上、側壁へのダメージの低減、横方向へのエッチングを抑制などが実現可能である。

4. 发明专利

JPWO2019189716A1 含フッ素スルフィド化合物の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019189716A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019013915
申请日：2019-03-29
申请人：関東電化工業株式会社
发明人：柏倉亘 , 池谷慶彦 , 佐藤湧貴
IPC分类号： C07C323/03 , C07C319/20
摘要：本発明は、含フッ素スルフィド化合物、特に水素及びフッ素を含有したスルフィド化合物を、簡便に低コスト且つ工業的に製造する方法を提供することを目的とする。下記式(1):(Cl) n −A 1 −S−A 2 −(Cl) m (1) (式中、A 1 及びA 2 は、独立して、炭素数1〜3の置換されていてもよい炭化水素基であり、n及びmはA 1 及びA 2 に結合している塩素原子の数を表し、n+m=1〜13を満たす。)で表される含塩素スルフィド化合物とフッ素化剤とを反応させることを含む、下記式(2):(F) n −A 3 −S−A 4 −(F) m (2) (式中、A 3 及びA 4 は、独立して、炭素数1〜3の置換されていてもよい炭化水素基であり、n及びmはA 3 及びA 4 に結合しているフッ素原子の数を表し、n+m=1〜13を満たす。)で表される含フッ素スルフィド化合物の製造方法。

5. 发明专利

JPWO2017175644A1 フッ化塩素の供給方法有权
公开(公告)号：JPWO2017175644A1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017548319
申请日：2017-03-29
申请人：関東電化工業株式会社
发明人：高橋至直 , 加藤惟人 , 櫻井義将 , 滝沢浩樹 , 菊池翔 , 川口真一 , 池谷慶彦 , 澁澤幸伸
IPC分类号： C01B7/24 , H01L21/3065
CPC分类号： C01B7/24 , C07B39/00 , H01L21/3065
摘要：産業上利用されるフッ化塩素(ClF)を安定的に発生させ、流量を制御し、連続的に供給できる、フッ化塩素供給装置および供給方法を提供する。本発明のフッ化塩素の供給方法は、フッ素原子を含むガスと塩素原子を含むガスを流通式の加熱反応装置、もしくはプラズマ反応装置に導入することにより発生したフッ化塩素を供給する供給方法であって、高圧充填が困難で、ボンベ等のガス容器に充填できる量が限られるフッ化塩素を、ガス容器に安全に液化充填が可能な2種類以上のガス原料、もしくはこのようなガス原料と固体原料とを反応させることで、フッ化塩素を安定的に発生し、安全に長時間供給し続けることが可能である。

6. 发明专利

JPWO2018186364A1 ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018186364A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2018014161
申请日：2018-04-02
申请人：関東電化工業株式会社
发明人：加藤惟人 , 池谷慶彦 , 澁澤幸伸 , 清水久志
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：一般式(1):CxHyFz(式中、x、y及びzは、2≦x≦4、y+z≦2x+2、及び0.5

(81)指定国・地域 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,T J,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,R O,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ, BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,G T,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX ,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM, TN,TR,TT (72)発明者清水久志群馬県渋川市渋川1497 関東電化工業株式会社内 Fターム(参考) 5F004 AA02 BA04 BB13 DA00 DA22 DA23 DA25 DA26 DA27 DA28 DB00 DB07 (注)この公表は、国際事務局(WIPO)により国際公開された公報を基に作成したものである。なおこの公表に係る日本語特許出願(日本語実用新案登録出願)の国際公開の効果は、特許法第184条の10第1項(実用新案法第48条の13第2項)により生ずるものであり、本掲載とは関係ありません。

7. 发明专利

JP6246449B1 フッ化塩素の供給方法有权
公开(公告)号：JP6246449B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：JP2017548319
申请日：2017-03-29
申请人：関東電化工業株式会社
发明人：高橋至直 , 加藤惟人 , 櫻井義将 , 滝沢浩樹 , 菊池翔 , 川口真一 , 池谷慶彦 , 澁澤幸伸
IPC分类号： C07B39/00 , H01L21/3065 , C01B7/24
CPC分类号： C01B7/24 , C07B39/00 , H01L21/3065
摘要：産業上利用されるフッ化塩素(ClF)を安定的に発生させ、流量を制御し、連続的に供給できる、フッ化塩素供給装置および供給方法を提供する。本発明のフッ化塩素の供給方法は、フッ素原子を含むガスと塩素原子を含むガスを流通式の加熱反応装置、もしくはプラズマ反応装置に導入することにより発生したフッ化塩素を供給する供給方法であって、高圧充填が困難で、ボンベ等のガス容器に充填できる量が限られるフッ化塩素を、ガス容器に安全に液化充填が可能な2種類以上のガス原料、もしくはこのようなガス原料と固体原料とを反応させることで、フッ化塩素を安定的に発生し、安全に長時間供給し続けることが可能である。

8. 发明专利

JPWO2019151467A1 水素及びフッ素及び/または塩素を含有したブタジエン骨格を有する化合物の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019151467A1
公开(公告)日：2021-01-28
申请号：JP2019003558
申请日：2019-02-01
申请人：関東電化工業株式会社
发明人：柏倉亘 , 池谷慶彦 , 木村涼 , 澁澤幸伸
IPC分类号： C07C21/18 , B01J23/72 , C07C17/269
摘要：本発明は、水素及びフッ素及び/または塩素を含有したポリエン骨格を有する化合物を、簡便に低コスト且つ工業的に製造する方法を提供することを目的とする。式(1):A 1 A 2 C=CA 3 −CA 4 =CA 5 A 6 [式中、A 1 、A 2 、A 5 およびA 6 は、独立して、水素、フッ素または塩素、炭素数1〜3の(パーフルオロ)アルキル基、或いは(パーフルオロ)アルケニル基を表し、A 3 およびA 4 は、独立して、水素、フッ素または塩素を表し、A 1 〜A 6 の少なくとも1つが水素を表し、A 1 〜A 6 の少なくとも1つがフッ素または塩素を表す。]で表されるハロゲン化ジエンの製造方法であって、0価の金属及び金属塩の存在下、式(2):A 7 A 8 C=CA 9 X[式中、A 7 およびA 8 は独立して、水素、フッ素または塩素、炭素数1〜3の(パーフルオロ)アルキル基、或いは(パーフルオロ)アルケニル基を表し、A 9 は、独立して、水素、フッ素または塩素を表し、Xは臭素またはヨウ素を表す。]で表される同一のまたは異なるハロゲン化オレフィンをカップリング反応させる工程を含む、方法。

9. 发明专利

JP6636250B2 ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法有权
公开(公告)号：JP6636250B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2015025573
申请日：2015-02-12
申请人：関東電化工業株式会社
发明人：高橋至直 , 加藤惟人 , 深澤徹也 , 池谷慶彦
IPC分类号： H01L21/3065

10. 发明专利

JP2016149451A ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法审中-公开
标题翻译：干燥气体组成和干蚀刻方法
公开(公告)号：JP2016149451A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2015025573
申请日：2015-02-12
申请人：関東電化工業株式会社
发明人：高橋至直 , 加藤惟人 , 深澤徹也 , 池谷慶彦
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】選択的にシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜をエッチングするドライエッチングガス組成物を提供する。【解決手段】CxHyFzで表され、xは3〜5のうちの整数であって、y+z≦2x、y≦zを満たす、分子内に不飽和結合を有するハイドロフルオロカーボンを含有するエッチングガス組成物を用いることで、選択的にシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜をエッチングする。また、上記ハイドロフルオロカーボンを含有するエッチングガス組成物に含まれる該ハイドロフルオロカーボン、酸素、アルゴンなどの割合を制御することでシリコン窒化膜に対してシリコン酸化膜を高選択的にエッチングする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于选择性蚀刻氧化硅膜或氮化硅膜的干法蚀刻气体组合物。解决方案：通过使用含有由C x H y F z表示的氢氟烃的蚀刻气体组合物来选择性地蚀刻氧化硅膜或氮化硅膜（x表示3-5的整数，y +z≤2x，y≤z），在分子中具有不饱和键。此外，通过控制包含在含有氢氟烃的蚀刻气体组合物中的氢氟烃，氧，氩等的比例，相对于氮化硅膜高度选择性地蚀刻氧化硅膜。图1

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