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1. 发明专利

TW200927971A 銀基合金濺鍍靶 AG-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET 失效
简体标题：银基合金溅镀靶 AG-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET
公开(公告)号：TW200927971A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097132825
申请日：2008-08-27
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. , 索尼碟片數位解決方案股份有限公司 SONY DISC & DIGITAL SOLUTIONS INC.
发明人：田內裕基 TAUCHI, YUKI , 松崎均 MATSUZAKI, HITOSHI , 大川直樹 OKAWA, NAOKI
IPC分类号： C23C , C22C , G11B
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2003/244 , B22F2998/10 , C22C1/0466 , C22C5/06 , B22F3/24
摘要：本發明有關一種銀基合金濺鍍靶,其包含總量為1至15重量%之至少一種選自由Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al及Si所組成之群組的元素,其中該銀基合金濺鍍靶的濺鍍表面之算術平均粗糙度(Ra)為2 ��m或更高,且最大高度(Rz)為20 ��m或更高。
简体摘要：本发明有关一种银基合金溅镀靶,其包含总量为1至15重量%之至少一种选自由Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al及Si所组成之群组的元素,其中该银基合金溅镀靶的溅镀表面之算术平均粗糙度(Ra)为2 ��m或更高,且最大高度(Rz)为20 ��m或更高。

2. 发明专利

TW200938645A Ag系濺鍍靶 Ag-BASED SPUTTERING TARGET 审中-公开
简体标题： Ag系溅镀靶 Ag-BASED SPUTTERING TARGET
公开(公告)号：TW200938645A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097141652
申请日：2008-10-29
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：松崎均 MATSUZAKI, HITOSHI
IPC分类号： C23C , C22C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C5/06 , C22F1/14
摘要：本發明係提供一種可用於形成面內均勻性極為優良的Ag系薄膜的Ag系濺鍍靶。Ag系薄膜的Ag系濺鍍靶,藉由下述步驟(1)-(3)測定Ag系濺鍍靶的濺鍍面的平均晶粒直徑dave時,平均晶粒直徑dave於10��m以下,(步驟1)在濺鍍面的面內任意選擇複數位置,以40-2000倍的倍率拍攝所選擇的各位置的顯微鏡照片;(步驟2)對於各顯微鏡照片,以井字狀或放射線狀畫4條以上的直線,調查直線上的晶界數n,對每條直線基於下式算出晶粒直徑d,d=L/n/m式中,L表示直線的長度,n表示直線上的晶界數,m表示顯微鏡照片的倍率;(步驟3)將全選擇位置的晶粒直徑d的平均値作為濺鍍面的平均晶粒直徑dave。
简体摘要：本发明系提供一种可用于形成面内均匀性极为优良的Ag系薄膜的Ag系溅镀靶。Ag系薄膜的Ag系溅镀靶,借由下述步骤(1)-(3)测定Ag系溅镀靶的溅镀面的平均晶粒直径dave时,平均晶粒直径dave于10��m以下,(步骤1)在溅镀面的面内任意选择复数码置,以40-2000倍的倍率拍摄所选择的各位置的显微镜照片;(步骤2)对于各显微镜照片,以井字状或放射线状画4条以上的直线,调查直在线的晶界数n,对每条直线基于下式算出晶粒直径d,d=L/n/m式中,L表示直线的长度,n表示直在线的晶界数,m表示显微镜照片的倍率;(步骤3)将全选择位置的晶粒直径d的平均値作为溅镀面的平均晶粒直径dave。

3. 发明专利

TW200925305A Ag基合金濺鍍靶及其製造方法 Ag BASE ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题： Ag基合金溅镀靶及其制造方法 Ag BASE ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200925305A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097130396
申请日：2008-08-08
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：高木勝壽 TAKAGI, KATSUTOSHI , 森元榮一 MORIMOTO, HIDEKAZU , 松崎均 MATSUZAKI, HITOSHI , 田內裕基 TAUCHI, YUKI
IPC分类号： C23C , C22C , G11B
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/15 , C22C5/06 , G11B7/259
摘要：本發明係提供可穩定地形成膜面方向(膜面內)中成分等之均勻性優異之薄膜的Ag-Ta-Cu合金濺鍍靶。由含有0.6~10.5原子%之Ta、2~13原子%之Cu之Ag基合金所形成之濺鍍靶,對濺鍍靶之濺鍍面進行圖像分析時,(1)相對於Ta粒子的總面積,相當圓直徑為10~50��m的Ta粒子之合計面積為60面積%以上,而且Ta粒子之平均重心間距離為10~50��m;(2)相對於Cu粒子的總面積,相當圓直徑為10��m~50��m的Cu粒子之合計面積為70面積%以上,而且Cu粒子之平均重心間距離為60��m~120��m。
简体摘要：本发明系提供可稳定地形成膜面方向(膜面内)中成分等之均匀性优异之薄膜的Ag-Ta-Cu合金溅镀靶。由含有0.6~10.5原子%之Ta、2~13原子%之Cu之Ag基合金所形成之溅镀靶,对溅镀靶之溅镀面进行图像分析时,(1)相对于Ta粒子的总面积,相当圆直径为10~50��m的Ta粒子之合计面积为60面积%以上,而且Ta粒子之平均重心间距离为10~50��m;(2)相对于Cu粒子的总面积,相当圆直径为10��m~50��m的Cu粒子之合计面积为70面积%以上,而且Cu粒子之平均重心间距离为60��m~120��m。

4. 发明专利

TWI275650B Ag-Bi系合金噴鍍靶及其製造方法 AG-BI-BASE ALLOY SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题： Ag-Bi系合金喷镀靶及其制造方法 AG-BI-BASE ALLOY SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI275650B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW093113503
申请日：2004-05-13
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 KOBE STEEL, LTD. , 鋼臂功科研股份有限公司 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC.
发明人：高木勝壽 TAKAGI, KATSUTOSHI , 中井淳一 NAKAI, JUNICHI , 田內裕基 TAUCHI, YUUKI , 佐藤俊樹 SATO, TOSHIKI , 松崎均 MATSUZAKI, HITOSHI , 藤井秀夫 FUJII, HIDEO
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C22C5/06 , C23C14/3414
摘要：一種濺鍍靶，係由含有以固溶於Ag之Bi的Ag-Bi系合金製成。該濺鍍靶之析出Bi強度為0.01原子%-1或以下，其根據下式，基於X-射線繞射之分析結果而予以計算，和/或於預定強度(於8等級強度中之第3至第6強度)的面積比率之和為89%或以上，其中面積比率係根據 X-射線顯微分析，計算Bi特徵X-射線強度之平面分佈得到。
析出Bi強度
=[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]在使用該濺鍍靶時，可將所得薄膜中的Bi含量之顯著降低加以抑制。
简体摘要：一种溅镀靶，系由含有以固溶于Ag之Bi的Ag-Bi系合金制成。该溅镀靶之析出Bi强度为0.01原子%-1或以下，其根据下式，基于X-射线绕射之分析结果而予以计算，和/或于预定强度(于8等级强度中之第3至第6强度)的面积比率之和为89%或以上，其中面积比率系根据 X-射线显微分析，计算Bi特征X-射线强度之平面分布得到。析出Bi强度 =[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]在使用该溅镀靶时，可将所得薄膜中的Bi含量之显着降低加以抑制。

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