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    • 4. 发明专利
    • 有機半導體印墨組成物及使用它之有機半導體圖案形成方法 ORGANIC SEMICONDUCTOR INK COMPOSITION AND PROCESS FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR PATTERN USING THE SAME
    • 有机半导体印墨组成物及使用它之有机半导体图案形成方法 ORGANIC SEMICONDUCTOR INK COMPOSITION AND PROCESS FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR PATTERN USING THE SAME
    • TW201100501A
    • 2011-01-01
    • TW099109780
    • 2010-03-31
    • 迪愛生股份有限公司
    • 高武正義笠井正紀米原祥友高野聖史所寬樹
    • C09D
    • H01L51/0022H01L51/0007
    • [課題]本發明係提供一種有機半導體印墨組成物,其係在使用微接觸式印刷法與反轉印刷法等、撥液性的轉印用基版來轉印圖案,而藉以形成有機電晶體之方法中,最適合的印墨、亦即可在撥液性的轉印用基版表面形成均一的印墨塗膜,且印墨乾燥膜或半乾燥膜係可由轉印基版輕易地轉印至被轉印基材上的有機半導體印墨組成物。再者,提供一種使用上述有機半導體印墨組成物之有機電晶體的有機半導體圖案之形成方法。[解決方法]一種有機半導體印墨組成物,其特徵係藉由將在撥液性的轉印用基版上所形成之印墨層轉印至印刷基材上,用以得到所期望的圖案所使用的有機半導體印墨組成物,且其係含有有機半導體、有機溶媒及氟系界面活性劑。
    • [课题]本发明系提供一种有机半导体印墨组成物,其系在使用微接触式印刷法与反转印刷法等、拨液性的转印用基版来转印图案,而借以形成有机晶体管之方法中,最适合的印墨、亦即可在拨液性的转印用基版表面形成均一的印墨涂膜,且印墨干燥膜或半干燥膜系可由转印基版轻易地转印至被转印基材上的有机半导体印墨组成物。再者,提供一种使用上述有机半导体印墨组成物之有机晶体管的有机半导体图案之形成方法。[解决方法]一种有机半导体印墨组成物,其特征系借由将在拨液性的转印用基版上所形成之印墨层转印至印刷基材上,用以得到所期望的图案所使用的有机半导体印墨组成物,且其系含有有机半导体、有机溶媒及氟系界面活性剂。
    • 7. 发明专利
    • 反向印刷用導電性墨水及薄膜電晶體之製造方法、以及以該製造方法形成之薄膜電晶體
    • 反向印刷用导电性墨水及薄膜晶体管之制造方法、以及以该制造方法形成之薄膜晶体管
    • TW201410802A
    • 2014-03-16
    • TW102126152
    • 2013-07-22
    • DIC股份有限公司DIC CORPORATION
    • 高武正義KOUTAKE, MASAYOSHI義原直YOSHIHARA, SUNAO
    • C09D11/02
    • C09D11/033C09D11/52H01L27/1225H01L27/1292
    • 本發明提供一種可將形成於橡皮布上之圖案向支撐體完全轉印之容許時間範圍(range)更廣的凸版反向印刷用導電性墨水。本發明係一種凸版反向印刷用導電性墨水,其係用以藉由導電性粒子之粒子間熔融結合而形成導電性圖案者,其特徵在於:體積平均粒徑(Mv)為2~250 nm之上述導電性粒子分散於含有氟系表面能調整劑及/或聚矽氧系表面能調整劑、且含有水作為必需成分之包含有機溶劑的液介質中;及一種薄膜電晶體之製造方法,其特徵在於包括如下步驟:於支撐體上,使用上述導電性墨水利用凸版反向印刷法形成塗膜圖案,繼而使塗膜圖案中之導電性粒子進行粒子間熔融結合而形成導電性圖案;以及一種薄膜電晶體。
    • 本发明提供一种可将形成于橡皮布上之图案向支撑体完全转印之容许时间范围(range)更广的凸版反向印刷用导电性墨水。本发明系一种凸版反向印刷用导电性墨水,其系用以借由导电性粒子之粒子间熔融结合而形成导电性图案者,其特征在于:体积平均粒径(Mv)为2~250 nm之上述导电性粒子分散于含有氟系表面能调整剂及/或聚硅氧系表面能调整剂、且含有水作为必需成分之包含有机溶剂的液介质中;及一种薄膜晶体管之制造方法,其特征在于包括如下步骤:于支撑体上,使用上述导电性墨水利用凸版反向印刷法形成涂膜图案,继而使涂膜图案中之导电性粒子进行粒子间熔融结合而形成导电性图案;以及一种薄膜晶体管。
    • 8. 发明专利
    • 半導體用絕緣膜及使用其的有機薄膜電晶體
    • 半导体用绝缘膜及使用其的有机薄膜晶体管
    • TW201405660A
    • 2014-02-01
    • TW102121154
    • 2013-06-14
    • DIC股份有限公司DIC CORPORATION
    • 高武正義KOUTAKE, MASAYOSHI大塚俊一OTSUKA, SHUNICHI
    • H01L21/31H01L51/05
    • C07F7/21H01L51/052
    • 本發明提供一種藉由活性能量線硬化而成的絕緣膜,其可形成表現出高的場效遷移率、開/關(ON/OFF)比,且具有常斷時變動小的臨限值電壓(Vth)及耐實用的優異性能的有機電晶體。並且發現,藉由在具有活性能量線聚合性的倍半矽氧烷化合物中,併用含有特定活性能量線聚合性雙鍵的化合物,使用這些材料藉由活性能量線聚合而形成水接觸角為85°~115°的薄膜,從而可形成實用性高的薄膜電晶體,其除了優異的薄膜絕緣性、耐溶劑性外,還具有作為有機薄膜電晶體用閘極絕緣膜的優異的場效遷移率及ON/OFF比,常斷時臨限值電壓(Vth)的變動小,且特性穩定性優異,從而完成了本發明。
    • 本发明提供一种借由活性能量线硬化而成的绝缘膜,其可形成表现出高的场效迁移率、开/关(ON/OFF)比,且具有常断时变动小的临限值电压(Vth)及耐实用的优异性能的有机晶体管。并且发现,借由在具有活性能量线聚合性的倍半硅氧烷化合物中,并用含有特定活性能量线聚合性双键的化合物,使用这些材料借由活性能量线聚合而形成水接触角为85°~115°的薄膜,从而可形成实用性高的薄膜晶体管,其除了优异的薄膜绝缘性、耐溶剂性外,还具有作为有机薄膜晶体管用闸极绝缘膜的优异的场效迁移率及ON/OFF比,常断时临限值电压(Vth)的变动小,且特性稳定性优异,从而完成了本发明。