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1. 发明专利

TW201819846A 薄膜量測設備以及薄膜量測方法审中-公开
简体标题：薄膜量测设备以及薄膜量测方法
公开(公告)号：TW201819846A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105137585
申请日：2016-11-17
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：陳建璋 , CHEN, CHIEN-CHANG , 戴政祺 , TAI, CHENG-CHI
IPC分类号： G01B7/06
摘要：本發明提供一種薄膜量測設備包括第一感測模組、第二感測模組以及處理裝置。薄膜量測設備用以非接觸式量測多層薄膜。第一感測模組以及第二感測模組分別用以產生交變磁場，並且分別感測多層薄膜對應產生的磁場變化。處理裝置具有參數資料庫。處理裝置依據第一感測模組以及第二感測模組的感測結果取得多層薄膜的第一阻抗值以及第二阻抗值。處理裝置依據第一阻抗值、第二阻抗值以及參數資料庫執行厚度運算操作以取得多層薄膜的第一厚度值以及第二厚度值。另外，一種薄膜量測方法亦被提出。
简体摘要：本发明提供一种薄膜量测设备包括第一传感模块、第二传感模块以及处理设备。薄膜量测设备用以非接触式量测多层薄膜。第一传感模块以及第二传感模块分别用以产生交变磁场，并且分别传感多层薄膜对应产生的磁场变化。处理设备具有参数数据库。处理设备依据第一传感模块以及第二传感模块的传感结果取得多层薄膜的第一阻抗值以及第二阻抗值。处理设备依据第一阻抗值、第二阻抗值以及参数数据库运行厚度运算操作以取得多层薄膜的第一厚度值以及第二厚度值。另外，一种薄膜量测方法亦被提出。

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