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1. 发明专利

TW201523921A 發光裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201523921A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102146203
申请日：2013-12-13
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：吳明憲 , WU, MING HSIEN , 鐘基瑞 , CHUNG, CHI JUI , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 戴光佑 , TAI, KUANG YU
IPC分类号： H01L33/36
摘要：一種發光裝置及其製造方法，發光裝置包括一發光二極體晶片及一金屬反射層。發光二極體晶片包括一第一半導體層、一第二半導體層及一發光層。第一半導體層具有相對之一第一連接面及一出光面。第二半導體層具有相對之一第二連接面及一反射面。第一連接面及第二連接面彼此面對。反射面設有至少一凹陷。發光層設置於第一半導體層之第一連接面及第二半導體層之第二連接面之間。凹陷貫穿發光層及第二半導體層，且凹陷之底部位於第一連接面及出光面之間。金屬反射層設置於之反射面且電性連接於第二半導體層。
简体摘要：一种发光设备及其制造方法，发光设备包括一发光二极管芯片及一金属反射层。发光二极管芯片包括一第一半导体层、一第二半导体层及一发光层。第一半导体层具有相对之一第一连接面及一出光面。第二半导体层具有相对之一第二连接面及一反射面。第一连接面及第二连接面彼此面对。反射面设有至少一凹陷。发光层设置于第一半导体层之第一连接面及第二半导体层之第二连接面之间。凹陷贯穿发光层及第二半导体层，且凹陷之底部位于第一连接面及出光面之间。金属反射层设置于之反射面且电性连接于第二半导体层。

2. 发明专利

TWI590498B 電子元件的轉移方法及電子元件陣列有权
简体标题：电子组件的转移方法及电子组件数组
公开(公告)号：TWI590498B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102119638
申请日：2013-06-03
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 吳明憲 , WU, MING HSIEN , 朱盈蒨 , CHU, YING CHIEN , 鐘基瑞 , CHUNG, CHI JUI
IPC分类号： H01L33/62

3. 发明专利

TWI553933B 發光元件、電極結構與其製作方法有权
简体标题：发光组件、电极结构与其制作方法
公开(公告)号：TWI553933B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW104120972
申请日：2015-06-29
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳長營 , CHEN, CHANG YING , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 劉軍廷 , LIU, CHUN TING
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/56

4. 发明专利

TW201336065A 發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201336065A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102105341
申请日：2013-02-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 刁國棟 , TIAO, KUO TUNG , 趙嘉信 , CHAO, CHIA HSIN , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 吳明憲 , WU, MING HSIEN , 林瑞映 , LIN, JUI YING , 朱盈蒨 , CHU, YING CHIEN
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/48 , F21K9/90 , F21Y2113/20 , F21Y2115/10 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/483 , H01L33/60 , H01L2224/95136 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要：一種發光元件的製造方法。提供一基板。在基板上形成多個第一凹槽及多個第二凹槽，其中各第一凹槽的容積不同於各第二凹槽的容積。提供多個第一發光二極體晶粒及多個第二發光二極體晶粒，其中各第一發光二極體晶粒的體積對應於各第一凹槽的容積，各第二發光二極體晶粒的體積對應於各第二凹槽的容積。將這些第一發光二極體晶粒移至基板上，以使這些第一發光二極體晶粒進入這些第一凹槽，且將這些第二發光二極體晶粒移至基板上，以使這些第二發光二極體晶粒進入這些第二凹槽。
简体摘要：一种发光组件的制造方法。提供一基板。在基板上形成多个第一凹槽及多个第二凹槽，其中各第一凹槽的容积不同于各第二凹槽的容积。提供多个第一发光二极管晶粒及多个第二发光二极管晶粒，其中各第一发光二极管晶粒的体积对应于各第一凹槽的容积，各第二发光二极管晶粒的体积对应于各第二凹槽的容积。将这些第一发光二极管晶粒移至基板上，以使这些第一发光二极管晶粒进入这些第一凹槽，且将这些第二发光二极管晶粒移至基板上，以使这些第二发光二极管晶粒进入这些第二凹槽。

5. 发明专利

TW201605092A 有機發光模組审中-公开
简体标题：有机发光模块
公开(公告)号：TW201605092A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104120511
申请日：2015-06-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 陳振坤 , CHEN, CHEN KUN
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/5275 , H01L51/0096
摘要：一種有機發光模組包括一透光基板、一光萃取結構、一第一電極、一有機發光堆疊、一第二電極以及一透明載板。透光基板之折射率大於1.5，且具有一第一表面和一相對於第一表面之一第二表面。光萃取結構，設置在第一表面。一第一電極，設置在透光基板的第二表面上。一有機發光堆疊，設置在第一電極上。一第二電極，設置在有機發光堆疊上。一透明載板，連接光萃取結構，其中光萃取結構和透明載板之間的最小距離小於或等於125微米。
简体摘要：一种有机发光模块包括一透光基板、一光萃取结构、一第一电极、一有机发光堆栈、一第二电极以及一透明载板。透光基板之折射率大于1.5，且具有一第一表面和一相对于第一表面之一第二表面。光萃取结构，设置在第一表面。一第一电极，设置在透光基板的第二表面上。一有机发光堆栈，设置在第一电极上。一第二电极，设置在有机发光堆栈上。一透明载板，连接光萃取结构，其中光萃取结构和透明载板之间的最小距离小于或等于125微米。

6. 发明专利

TW201448287A 電子元件的轉移方法及電子元件陣列审中-公开
简体标题：电子组件的转移方法及电子组件数组
公开(公告)号：TW201448287A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW102119638
申请日：2013-06-03
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 吳明憲 , WU, MING HSIEN , 朱盈蒨 , CHU, YING CHIEN , 鐘基瑞 , CHUNG, CHI JUI
IPC分类号： H01L33/62
摘要：一種電子元件陣列，其包括線路基板、至少一第一電子元件、至少一第二電子元件、至少一第一導電凸塊以及至少一第二導電凸塊。第一電子元件以及第二電子元件配置於線路基板的同一表面上。第一導電凸塊配置於線路基板與第一電子元件之間。第二導電凸塊配置於線路基板與第二電子元件之間，其中第二導電凸塊的體積以及橫向尺寸大於第一導電凸塊的體積以及橫向尺寸，且第一電子元件以及第二電子元件的頂表面位於相同的水平高度上。本申請案另提供一種電子元件的轉移方法。
简体摘要：一种电子组件数组，其包括线路基板、至少一第一电子组件、至少一第二电子组件、至少一第一导电凸块以及至少一第二导电凸块。第一电子组件以及第二电子组件配置于线路基板的同一表面上。第一导电凸块配置于线路基板与第一电子组件之间。第二导电凸块配置于线路基板与第二电子组件之间，其中第二导电凸块的体积以及横向尺寸大于第一导电凸块的体积以及横向尺寸，且第一电子组件以及第二电子组件的顶表面位于相同的水平高度上。本申请案另提供一种电子组件的转移方法。

7. 发明专利

TWI443876B 發光元件及其製作方法有权
简体标题：发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI443876B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW100141855
申请日：2011-11-16
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 林瑞映 , LIN, JUI YING , 吳明憲 , WU, MING HSIEN
IPC分类号： H01L33/48

8. 发明专利

TWI552410B 有機發光模組有权
简体标题：有机发光模块
公开(公告)号：TWI552410B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104120511
申请日：2015-06-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 陳振坤 , CHEN, CHEN KUN
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/5275 , H01L51/0096

9. 发明专利

TW201622198A 發光元件、電極結構與其製作方法审中-公开
简体标题：发光组件、电极结构与其制作方法
公开(公告)号：TW201622198A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104120972
申请日：2015-06-29
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳長營 , CHEN, CHANG YING , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 劉軍廷 , LIU, CHUN TING
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要：本發明的發光元件包括一基板、一第一電極結構、一有機發光結構以及一第二電極結構。第一電極結構包括依序配置於基板上的一第一透明導電層、一圖案化導電層以及一第二透明導電層，使圖案化導電層在基板的一厚度方向上插置於第二透明導電層與第一透明導電層之間。有機發光結構與第二電極結構配置於基板上，且有機發光結構在基板的厚度方向上位於第一電極結構與第二電極結構之間。另揭露一種電極結構與其製作方法。
简体摘要：本发明的发光组件包括一基板、一第一电极结构、一有机发光结构以及一第二电极结构。第一电极结构包括依序配置于基板上的一第一透明导电层、一图案化导电层以及一第二透明导电层，使图案化导电层在基板的一厚度方向上插置于第二透明导电层与第一透明导电层之间。有机发光结构与第二电极结构配置于基板上，且有机发光结构在基板的厚度方向上位于第一电极结构与第二电极结构之间。另揭露一种电极结构与其制作方法。

10. 发明专利

TW201322494A 發光元件及其製作方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201322494A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100141855
申请日：2011-11-16
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 林瑞映 , LIN, JUI YING , 吳明憲 , WU, MING HSIEN
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光元件及其製作方法。發光元件包括一基板、一發光二極體晶粒陣列以及一準直柱體陣列，其中發光二極體晶粒陣列位於基板以及準直柱體陣列之間，其中發光二極體晶粒陣列具有多個發光二極體晶粒，而準直柱體陣列具有多個準直柱體，且每一準直柱體相對遠離基板的一頂面為一不平整的斷裂表面。
简体摘要：一种发光组件及其制作方法。发光组件包括一基板、一发光二极管晶粒数组以及一准直柱体数组，其中发光二极管晶粒数组位于基板以及准直柱体数组之间，其中发光二极管晶粒数组具有多个发光二极管晶粒，而准直柱体数组具有多个准直柱体，且每一准直柱体相对远离基板的一顶面为一不平整的断裂表面。

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